IKW40N60H3FKSA1, Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 80 А, 306 Вт

Изображения служат только для ознакомления. См. документацию товара

IGBT Chip N-CH 600V 80A 306 W Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 80 А, 306 Вт

Infineon-IKW40N60H3_ pdf, 1,8 мБ

Код товара: 412463

Дата обновления: 27.04.2024 00:10

Цена от: 303,56 руб.

Цена и наличие
Сроки доставки

Доставка IKW40N60H3FKSA1 , Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 80 А, 306 Вт в город Калининград

Boxberry

от 9 раб. дней

от 761 ₽

DPD РФ

от 7 раб. дней

от 670 ₽

Деловые линии

от 10 раб. дней

от 1586 ₽

Почта РФ

от 15 раб. дней

от 290 ₽

EMS

от 4 раб. дней

от 1363 ₽

СДЭК

от 4 раб. дней

от 724 ₽

* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.

Технические параметры

Корпус

PG-TO-247-3
Тип упаковки

Tube (туба)
Нормоупаковка

30 шт
Вес брутто

8.6 г.

Описание IKW40N60H3FKSA1

Infineon TrenchStop IGBT Transistors, 600 and 650V
A range of IGBT Transistors from Infineon with collector-emitter voltage ratings of 600 and 650V featuring TrenchStop™ technology. The range includes devices with an integrated high speed, fast recovery anti-parallel diode.

Maximum Operating Temperature	+175 °C
Length	16.13mm
Transistor Configuration	Single
Brand	Infineon
Maximum Collector Emitter Voltage	600 V
Maximum Continuous Collector Current	80 A
Package Type	TO-247
Maximum Power Dissipation	306 W
Energy Rating	2.12mJ
Mounting Type	Through Hole
Minimum Operating Temperature	-40 °C
Width	5.21mm
Height	21.1mm
Pin Count	3
Dimensions	16.13 x 5.21 x 21.1mm
Maximum Gate Emitter Voltage	±20V
Channel Type	N
Gate Capacitance	2190pF
Вес, г	7.5

Рекламодатель:
ООО ТД «Промэлектроника»
erid: Kra23ThKf

← IKW30N65H5XKSA1 IKW40N65ES5XKSA1 →