HGTG5N120BND, Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 21 А, 167 Вт
Изображения служат только для ознакомления
Наименование:
HGTG5N120BND
Производитель:
Описание Eng:
IGBT 1200V 21A 167W TO247
Тип упаковки:
Tube (туба)
В упаковке:
30 шт
Корпус:
TO-247
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
1200 В
Есть технические вопросы по товару или производителю? Задайте их нашему инженеру.
Телеграм MAX Заказать бесплатный образецЦена от:
220,12 ₽
Оптовый склад «Промэлектроника»
-
1+ 8+ 16+ 30+ 90+275,98 ₽ 256,86 ₽ 241,68 ₽ 229,32 ₽ 220,12 ₽Срок:В наличииНаличие:40Минимум:2Количество в заказ
-
1+ 8+ 16+ 30+ 90+275,98 ₽ 256,86 ₽ 241,68 ₽ 229,32 ₽ 220,12 ₽Срок:В наличииНаличие:120Минимум:2Количество в заказ
Количество:
Стоимость:
Технические параметры
Описание HGTG5N120BND
Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 21 А, 167 Вт
Документы и сертификаты
Документация и Datasheet
Разрешительная документация
Товар не подлежит обязательной сертификации и декларированию.
Способы доставки в Екатеринбург
Доставка HGTG5N120BND , Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 21 А, 167 Вт
в город Екатеринбург
Самовывоз из Екатеринбурга
от 1 раб. дня
Бесплатно
DPD РФ
от 1 раб. дня
от 233 ₽
Деловые линии
от 2 раб. дней
от 2334 ₽
EMS
от 1 раб. дня
от 620 ₽
Почта России
от 2 раб. дней
от 319 ₽
СДЭК
от 2 раб. дней
от 171 ₽
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.
Сообщите мне о поступлении товара