HGTG5N120BND, Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 21 А, 167 Вт
IGBT 1200V 21A 167W TO247
Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 21 А, 167 Вт
Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 21 А, 167 Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Артикул:
HGTG5N120BND
Документы:
Технические параметры
-
КорпусTO-247
-
Тип упаковкиTube (туба)
-
Нормоупаковка30 шт
-
Вес брутто7.52 г.
Хотите получить образцы?
Заказать образец
Сообщите мне о поступлении товара