IRFBE30PBF, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 800В 4.1А 125Вт, 3 Ом

Код товара: 45417

Изображения служат только для ознакомления

Наименование:
IRFBE30PBF
Производитель:
Описание Eng:
MOSFET N-CH 800V 4.1A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
Тип упаковки:
Tube (туба)
Нормоупаковка:
50 шт
Корпус:
TO-220AB
Напряжение сток-исток макс.:
800В
Ток стока макс.:
4.1A
Сопротивление открытого канала:
3 Ом
Мощность макс.:
125Вт
Тип транзистора:
N-канал

Технические параметры

Напряжение сток-исток макс.

800В

Ток стока макс.

4.1A

Сопротивление открытого канала

3 Ом

Мощность макс.

125Вт

Тип транзистора

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.

Заряд затвора

78нКл

Входная емкость

1300пФ

Тип монтажа

Through Hole

Корпус

TO-220AB

Вес брутто

2.76 г.

Описание IRFBE30PBF

N-Channel MOSFET, 600V to 1000V, Vishay Semiconductor

Структураn-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В800
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А4.1
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)3 ом при 2.5a, 10в
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт125
Крутизна характеристики, S2.5
Корпусto220ab
Пороговое напряжение на затворе4
Вес, г2.5

Нашли ошибку? Выделите текст с ошибкой и нажмите Ctrl+Enter

Документы и сертификаты

Документация и Datasheet

Способы доставки в Екатеринбург

Доставка IRFBE30PBF , Транзистор полевой MOSFET N-канальный 800В 4.1А 125Вт, 3 Ом в город Екатеринбург
Самовывоз из Екатеринбурга
завтра
Бесплатно
DPD РФ
от 1 раб. дня
от 170
Деловые линии
от 2 раб. дней
от 2146
EMS
от 1 раб. дня
от 611
Почта России
от 1 раб. дня
от 324
СДЭК
от 2 раб. дней
от 196
от 1 раб. дня
от 158
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.