Одиночные MOSFET транзисторы

Фильтр
Фильтр
Производители
Корпус
Тип транзистора
Особенности
Напряжение исток-сток макс.
Ток стока макс.
Сопротивление открытого канала
Мощность макс.
Пороговое напряжение включения макс.
Заряд затвора
Входная емкость
Тип монтажа
Одиночные MOSFET транзисторы (47)
IRF9540NPBF IRF9540NPBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 100В 23А 140Вт, 0.117 Ом
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-220AB
Напряжение исток-сток макс.:
100В
Ток стока макс.:
23A
Сопротивление открытого канала:
117 мОм
Мощность макс.:
140Вт
Тип транзистора:
P-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
97нКл
Входная емкость:
1300пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
6 052 шт

Внешние склады:
1 250 шт
Цена от:
от 29,46
Акция
IRFIZ44NPBF IRFIZ44NPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 55В 31А 45Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-220F
Напряжение исток-сток макс.:
55В
Ток стока макс.:
31A
Сопротивление открытого канала:
24 мОм
Мощность макс.:
45Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
65нКл
Входная емкость:
1300пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
61 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 34,50
IRFP9140NPBF IRFP9140NPBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 100В 23А 140Вт, 0.117 Ом
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-247AC
Напряжение исток-сток макс.:
100В
Ток стока макс.:
23A
Сопротивление открытого канала:
117 мОм
Мощность макс.:
140Вт
Тип транзистора:
P-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
97нКл
Входная емкость:
1300пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
1 391 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 109,80
Акция
IRFR1205TRPBF IRFR1205TRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 55В 44А 107Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Напряжение исток-сток макс.:
55В
Ток стока макс.:
44A
Сопротивление открытого канала:
27 мОм
Мощность макс.:
107Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
65нКл
Входная емкость:
1300пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
12 049 шт

Внешние склады:
4 390 шт
Аналоги:
11 784 шт
Цена от:
от 34,14
STB55NF06T4 STB55NF06T4 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 50А 110Вт
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
D2Pak (TO-263)
Напряжение исток-сток макс.:
60В
Ток стока макс.:
50A
Сопротивление открытого канала:
18 мОм
Мощность макс.:
110Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
60нКл
Входная емкость:
1300пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
758 шт

Внешние склады:
100 шт
Цена от:
от 85,20
STFW4N150 STFW4N150 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 1500В 4А 63Вт
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
TO-3PF
Напряжение исток-сток макс.:
1500В
Ток стока макс.:
4A
Сопротивление открытого канала:
7 Ом
Мощность макс.:
63Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
50нКл
Входная емкость:
1300пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
929 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 267,72
STP4N150 STP4N150 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 1500В 4А 160Вт, 5 Ом
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
TO-220
Напряжение исток-сток макс.:
1500В
Ток стока макс.:
4A
Сопротивление открытого канала:
7 Ом
Мощность макс.:
160Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
50нКл
Входная емкость:
1300пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
150 шт

Внешние склады:
7 шт
Цена от:
от 204,48
STP55NF06 STP55NF06 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 55А 150Вт
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
TO-220AB
Напряжение исток-сток макс.:
60В
Ток стока макс.:
50A
Сопротивление открытого канала:
18 мОм
Мощность макс.:
110Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
60нКл
Входная емкость:
1300пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
1 951 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 44,04
STP55NF06FP STP55NF06FP Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 50A
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
TO-220F
Напряжение исток-сток макс.:
60В
Ток стока макс.:
50A
Сопротивление открытого канала:
18 мОм
Мощность макс.:
30Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
60нКл
Входная емкость:
1300пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
50 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 88,02
STW4N150 STW4N150 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 1500В 4А 160Вт
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
TO-247
Напряжение исток-сток макс.:
1500В
Ток стока макс.:
4A
Сопротивление открытого канала:
7 Ом
Мощность макс.:
160Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
50нКл
Входная емкость:
1300пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
1 495 шт

Внешние склады:
489 шт
Цена от:
от 125,16
CSD16327Q3T CSD16327Q3T Полевой транзистор N-канальный 25В 21A 8-Pin VSON-CLIP EP лента на катушке
Производитель:
Texas Instruments
Корпус:
SON8
Напряжение исток-сток макс.:
25В
Ток стока макс.:
60A
Сопротивление открытого канала:
4 мОм
Мощность макс.:
3Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
1.4В
Заряд затвора:
8.4нКл
Входная емкость:
1300пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
HUF75332P3 HUF75332P3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 55В 60A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-220AB
Напряжение исток-сток макс.:
55В
Ток стока макс.:
60A
Сопротивление открытого канала:
19 мОм
Мощность макс.:
145Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
85нКл
Входная емкость:
1300пФ
Тип монтажа:
Through Hole
IRF3315PBF IRF3315PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 150В 23A
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-220AB
Напряжение исток-сток макс.:
150В
Ток стока макс.:
23A
Сопротивление открытого канала:
70 мОм
Мощность макс.:
94Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
95нКл
Входная емкость:
1300пФ
Тип монтажа:
Through Hole
IRF640PBF IRF640PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 18А 125Вт
Производитель:
Vishay
Корпус:
TO-220AB
Напряжение исток-сток макс.:
200В
Ток стока макс.:
18A
Сопротивление открытого канала:
180 мОм
Мощность макс.:
125Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
70нКл
Входная емкость:
1300пФ
Тип монтажа:
Through Hole
IRF640SPBF IRF640SPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 18А 3.1Вт
Производитель:
Vishay
Корпус:
D2Pak (TO-263)
Напряжение исток-сток макс.:
200В
Ток стока макс.:
18A
Сопротивление открытого канала:
180 мОм
Мощность макс.:
130Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
70нКл
Входная емкость:
1300пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
IRF640STRLPBF IRF640STRLPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 18А 3.1Вт
Производитель:
Vishay
Корпус:
D2Pak (TO-263)
Напряжение исток-сток макс.:
200В
Ток стока макс.:
18A
Сопротивление открытого канала:
180 мОм
Мощность макс.:
130Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
70нКл
Входная емкость:
1300пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
IRF640STRRPBF IRF640STRRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 18A
Производитель:
Vishay
Корпус:
D2Pak (TO-263)
Напряжение исток-сток макс.:
200В
Ток стока макс.:
18A
Сопротивление открытого канала:
180 мОм
Мощность макс.:
130Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
70нКл
Входная емкость:
1300пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
IRF644PBF IRF644PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 250В 14А 125Вт
Производитель:
Vishay
Корпус:
TO-220AB
Напряжение исток-сток макс.:
250В
Ток стока макс.:
14A
Сопротивление открытого канала:
280 мОм
Мощность макс.:
125Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
68нКл
Входная емкость:
1300пФ
Тип монтажа:
Through Hole
IRF840PBF IRF840PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 500В 8А 125Вт, 0.85 Ом
Производитель:
Vishay
Корпус:
TO-220AB
Напряжение исток-сток макс.:
500В
Ток стока макс.:
8A
Сопротивление открытого канала:
850 мОм
Мощность макс.:
125Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
63нКл
Входная емкость:
1300пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Акция
IRF840SPBF IRF840SPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 500В 8А 3.1Вт, 0.85 Ом
Производитель:
Vishay
Корпус:
D2Pak (TO-263)
Напряжение исток-сток макс.:
500В
Ток стока макс.:
8A
Сопротивление открытого канала:
850 мОм
Мощность макс.:
3.1Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
63нКл
Входная емкость:
1300пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
На странице:

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.71808 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"