IRFBE30PBF, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 800В 4.1А 125Вт, 3 Ом
Изображения служат только для ознакомления
Наименование:
IRFBE30PBF
Производитель:
Описание Eng:
MOSFET N-CH 800V 4.1A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
Тип упаковки:
Tube (туба)
Нормоупаковка:
50 шт
Корпус:
TO-220AB
Напряжение сток-исток макс.:
800В
Ток стока макс.:
4.1A
Сопротивление открытого канала:
3 Ом
Мощность макс.:
125Вт
Тип транзистора:
N-канал
Цена от:
70,09 руб.
Оптовый склад «Промэлектроника»
-
1+ 14+ 27+ 50+ 150+92,78 ₽ 91,59 ₽ 90,12 ₽ 88,20 ₽ 85,51 ₽Срок:В наличииНаличие:379Минимум:4Количество в заказ
Магазин «Радиодетали». Екатеринбург, ул. Колмогорова, д. 70
-
1+ 14+ 27+ 50+ 150+92,78 ₽ 91,59 ₽ 90,12 ₽ 88,20 ₽ 85,51 ₽Срок:В наличииНаличие:40Минимум:1Количество в заказ
Внешние склады
-
102+ 147+ 294+ 1468+85,59 ₽ 73,81 ₽ 71,95 ₽ 70,09 ₽Срок:25 днейНаличие:4 133Минимум:Мин: 102Количество в заказ
Количество:
Стоимость:
Технические параметры
Описание IRFBE30PBF
N-Channel MOSFET, 600V to 1000V, Vishay Semiconductor
| Структура | n-канал |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 800 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 4.1 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20 |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 3 ом при 2.5a, 10в |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 125 |
| Крутизна характеристики, S | 2.5 |
| Корпус | to220ab |
| Пороговое напряжение на затворе | 4 |
| Вес, г | 2.5 |
Документы и сертификаты
Документация и Datasheet
Способы доставки в Екатеринбург
Доставка IRFBE30PBF , Транзистор полевой MOSFET N-канальный 800В 4.1А 125Вт, 3 Ом
в город Екатеринбург
Самовывоз из Екатеринбурга
от 1 раб. дня
Бесплатно
DPD РФ
от 1 раб. дня
от 187 ₽
Деловые линии
от 2 раб. дней
от 2145 ₽
EMS
от 1 раб. дня
от 1312 ₽
Почта России
от 1 раб. дня
от 473 ₽
СДЭК
от 2 раб. дней
от 266 ₽
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.
Сообщите мне о поступлении товара