IGB20N65S5ATMA1, Транзистор IGBT одиночный
Изображения служат только для ознакомления
Наименование:
IGB20N65S5ATMA1
Производитель:
Описание Eng:
IGBT, 650V, 40A, 175DEG C, 125W;
Нормоупаковка:
1000 шт
Цена от:
153,39 руб.
Нет в наличии
Описание IGB20N65S5ATMA1
| Упаковка / блок | TO-263-3 |
|---|---|
| Минимальная рабочая температура | 40 C |
| Максимальная рабочая температура | + 175 C |
| Серия | Trenchstop IGBT5 |
| Упаковка | Reel, Cut Tape |
| Pd - рассеивание мощности | 125 W |
| Вес изделия | 1.557 g |
| ECCN | EAR99 |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Конфигурация | Single |
| Технология | Si |
| Коммерческое обозначение | TRENCHSTOP |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 650 V |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 1.35 V |
| Максимальное напряжение затвор-эмиттер | 20 V |
| Непрерывный коллекторный ток при 25 C | 40 A |
| Непрерывный ток коллектора Ic, макс. | 40 A |
| Ток утечки затвор-эмиттер | 100 nA |
Документы и сертификаты
Документация и Datasheet
Способы доставки в Екатеринбург
Доставка IGB20N65S5ATMA1
в город Екатеринбург
Самовывоз из Екатеринбурга
завтра
Бесплатно
DPD РФ
от 1 раб. дня
от 136 ₽
Деловые линии
от 2 раб. дней
от 2145 ₽
EMS
от 1 раб. дня
от 1627 ₽
Почта России
от 1 раб. дня
от 765 ₽
СДЭК
от 2 раб. дней
от 476 ₽
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.
Сообщите мне о поступлении товара