IGB50N65S5ATMA1, Транзистор IGBT одиночный
Изображения служат только для ознакомления
Наименование:
IGB50N65S5ATMA1
Описание Eng:
IGBT, SINGLE, 650V, 80A, TO-263; DC Collector Current:80A; Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on):1.35V; Power Dissipation Pd:270W; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:650V; Transistor Case Style:TO-263; No. of Pins
В упаковке:
1000 шт
Есть технические вопросы по товару или производителю? Задайте их нашему инженеру.
Телеграм MAX Заказать бесплатный образецЦена от:
234,83 руб.
Нет в наличии
Описание IGB50N65S5ATMA1
Документы и сертификаты
Документация и Datasheet
Разрешительная документация
Товар не подлежит обязательной сертификации и декларированию.
Способы доставки в Екатеринбург
Доставка IGB50N65S5ATMA1
в город Екатеринбург
Самовывоз из Екатеринбурга
от 1 раб. дня
Бесплатно
DPD РФ
от 1 раб. дня
от 233 ₽
Деловые линии
от 2 раб. дней
от 2392 ₽
EMS
от 1 раб. дня
от 620 ₽
Почта России
от 1 раб. дня
от 319 ₽
СДЭК
от 2 раб. дней
от 171 ₽
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.
Сообщите мне о поступлении товара