FGHL50T65SQ, Биполярный транзистор IGBT, 650 В, 50 А
Изображения служат только для ознакомления
Наименование:
FGHL50T65SQ
Производитель:
Описание Eng:
IGBT Transistors Hybrid iGBT 650V 50A FS4 with SiC-SBD
Тип упаковки:
Tube (туба)
Нормоупаковка:
450 шт
Корпус:
TO-247-3
Цена от:
276,38 руб.
Нет в наличии
Описание FGHL50T65SQ
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
|---|---|
| Максимальная рабочая температура | + 175 C |
| Упаковка / блок | TO-247-3 |
| Упаковка | Tube |
| Вес изделия | 116.667 mg |
| ECCN | EAR99 |
| Технология | Si |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Pd - рассеивание мощности | 268 W |
| Конфигурация | Single |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 650 V |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 1.6 V |
| Максимальное напряжение затвор-эмиттер | 20 V |
| Непрерывный коллекторный ток при 25 C | 100 A |
| Непрерывный ток коллектора Ic, макс. | 100 A |
| Ток утечки затвор-эмиттер | 400 nA |
Документы и сертификаты
Документация и Datasheet
Способы доставки в Екатеринбург
Доставка FGHL50T65SQ , Биполярный транзистор IGBT, 650 В, 50 А
в город Екатеринбург
Самовывоз из Екатеринбурга
завтра
Бесплатно
DPD РФ
от 1 раб. дня
от 160 ₽
Деловые линии
от 2 раб. дней
от 2145 ₽
EMS
от 1 раб. дня
от 568 ₽
Почта России
от 1 раб. дня
от 303 ₽
СДЭК
от 2 раб. дней
от 172 ₽
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.
Сообщите мне о поступлении товара