Одиночные MOSFET транзисторы

Фильтр

Все товары
В наличии
Спецпредложения
Новинки
Екатеринбург, Розничный магазин

Тип монтажа

Through Hole (1887)
Surface Mount (3510)
Chassis Mount (4)

Умный фильтр

Показать

Сортировать по:

Рекомендуем

Наименование

В продаже

Цена

Одиночные MOSFET транзисторы (37)

Акция

IRF520NPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 9.7А 48Вт, 0.20 Ом

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

TO-220 Isolated Tab

Напряжение исток-сток макс.:

100В

Ток стока макс.:

9.7A

Сопротивление открытого канала:

200 мОм

Мощность макс.:

48Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

25нКл

Входная емкость:

330пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Наличие:

1 292 шт

Внешние склады:

0 шт

Цена от:

от 36,24₽

IRFR120NTRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 9.4А 48Вт

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

DPAK/TO-252AA

Напряжение исток-сток макс.:

100В

Ток стока макс.:

9.4A

Сопротивление открытого канала:

210 мОм

Мощность макс.:

48Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

25нКл

Входная емкость:

330пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Наличие:

9 830 шт

Внешние склады:

7 900 шт

Цена от:

от 19,86₽

Акция

IRFU120NPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 7.7А 42Вт, 0.27 Ом

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

TO-251AA

Напряжение исток-сток макс.:

100В

Ток стока макс.:

9.4A

Сопротивление открытого канала:

210 мОм

Мощность макс.:

48Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

25нКл

Входная емкость:

330пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Наличие:

62 шт

Внешние склады:

600 шт

Цена от:

от 17,10₽

IRL520NPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 10А 48Вт, 0.18 Ом

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

TO-220AB

Напряжение исток-сток макс.:

100В

Ток стока макс.:

10A

Сопротивление открытого канала:

180 мОм

Мощность макс.:

48Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

2В

Заряд затвора:

20нКл

Входная емкость:

440пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Наличие:

82 шт

Внешние склады:

0 шт

Цена от:

от 57,12₽

Акция

IRLR120NTRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 10А 39Вт

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

DPAK/TO-252AA

Напряжение исток-сток макс.:

100В

Ток стока макс.:

10A

Сопротивление открытого канала:

185 мОм

Мощность макс.:

48Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

2В

Заряд затвора:

20нКл

Входная емкость:

440пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Наличие:

26 474 шт

Внешние склады:

4 280 шт

Аналоги:

10 760 шт

Цена от:

от 21,90₽

Акция

IRLU120NPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 7.7А 42Вт, 0.27 Ом

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

TO-251AA

Напряжение исток-сток макс.:

100В

Ток стока макс.:

10A

Сопротивление открытого канала:

185 мОм

Мощность макс.:

48Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

2В

Заряд затвора:

20нКл

Входная емкость:

440пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Наличие:

573 шт

Внешние склады:

750 шт

Цена от:

от 35,82₽

Акция

IRF9520NPBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 100В 6.8А 48Вт, 0.48 Ом

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

TO-220AB

Напряжение исток-сток макс.:

100В

Ток стока макс.:

6.8A

Мощность макс.:

48Вт

Тип транзистора:

P-канал

Тип монтажа:

Through Hole

Наличие:

26 шт

Внешние склады:

0 шт

Цена от:

от 82,50₽

AUIRFR4105Z Транзистор полевой MOSFET N-канальный 55В 30A DPAK

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

D-Pak

Напряжение исток-сток макс.:

55В

Ток стока макс.:

20A(Tc)

Сопротивление открытого канала:

24.5 мОм @ 18А, 10В

Мощность макс.:

48Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Standard

Пороговое напряжение включения макс.:

4В @ 250 µA

Заряд затвора:

27нКл @ 10В

Входная емкость:

740пФ @ 25В

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

AUIRLR120N Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 10A DPAK

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

DPAK/TO-252AA

Напряжение исток-сток макс.:

100В

Ток стока макс.:

10A(Tc)

Сопротивление открытого канала:

185 мОм @ 6А, 10В

Мощность макс.:

48Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

2В @ 250 µA

Заряд затвора:

20нКл @ 5В

Входная емкость:

440пФ @ 25В

Тип монтажа:

Surface Mount

Наличие:

0 шт.

Внешние склады:

0 шт.

Аналоги:

194 шт.

Цена от:

от 122,70₽

FDPF55N06 Транзистор полевой N-канальный 60В 55A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

TO-220F

Напряжение исток-сток макс.:

60В

Ток стока макс.:

55A

Сопротивление открытого канала:

22 мОм

Мощность макс.:

48Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

37нКл

Входная емкость:

1510пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

FQPF10N50CF Полевой транзистор, N-канальный, 500 В, 10 А

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

TO-220F

Напряжение исток-сток макс.:

500В

Ток стока макс.:

10A

Сопротивление открытого канала:

610 мОм

Мощность макс.:

48Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

56нКл

Входная емкость:

2096пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

FQPF11N50CF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 500В 11А

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

TO-220F

Напряжение исток-сток макс.:

500В

Ток стока макс.:

11A

Сопротивление открытого канала:

550 мОм

Мощность макс.:

48Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

55нКл

Входная емкость:

2055пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

FQPF13N50CF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 500В 13А 48Вт

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

TO-220F

Напряжение исток-сток макс.:

500В

Ток стока макс.:

13A

Сопротивление открытого канала:

540 мОм

Мощность макс.:

48Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

56нКл

Входная емкость:

2055пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

Акция

FQPF7N60 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 4.3A TO-220FP туба

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

TO-220F

Напряжение исток-сток макс.:

600В

Ток стока макс.:

4.3A(Tc)

Сопротивление открытого канала:

1 Ом @ 2.2А, 10В

Мощность макс.:

48Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Standard

Пороговое напряжение включения макс.:

5В @ 250 µA

Заряд затвора:

38нКл @ 10В

Входная емкость:

1430пФ @ 25В

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

FQPF8N60C Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 7.5А 48Вт

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

TO-220F

Напряжение исток-сток макс.:

600В

Ток стока макс.:

7.5A

Сопротивление открытого канала:

1.2 Ом

Мощность макс.:

48Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

36нКл

Входная емкость:

1255пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

Акция

FQPF8N60CFT Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 6.26A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

TO-220F

Напряжение исток-сток макс.:

600В

Ток стока макс.:

6.26A

Сопротивление открытого канала:

1.5 Ом

Мощность макс.:

48Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

36нКл

Входная емкость:

1255пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

IRFI540GPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 17A

Производитель:

Vishay

Корпус:

TO-220-3

Напряжение исток-сток макс.:

100В

Ток стока макс.:

17A

Сопротивление открытого канала:

77 мОм

Мощность макс.:

48Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

72нКл

Входная емкость:

1700пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

IRFI9540GPBF Транзистор полевой P-канальный 100В 11А 48Вт

Производитель:

Vishay

Корпус:

TO-220F

Напряжение исток-сток макс.:

100В

Ток стока макс.:

11A

Сопротивление открытого канала:

200 мОм

Мощность макс.:

48Вт

Тип транзистора:

P-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

61нКл

Входная емкость:

1400пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

IRFIB41N15DPBF Полевой транзистор, N-канальный, 150 В, 41 А

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

TO-220F

Напряжение исток-сток макс.:

150В

Ток стока макс.:

41A

Сопротивление открытого канала:

45 мОм

Мощность макс.:

48Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

5.5В

Заряд затвора:

110нКл

Входная емкость:

2520пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

IRFIZ44GPBF Полевой транзистор, N-канальный, 60 В, 30 А

Производитель:

Vishay

Корпус:

TO-220

Напряжение исток-сток макс.:

60В

Ток стока макс.:

30A

Сопротивление открытого канала:

28 мОм

Мощность макс.:

48Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

95нКл

Входная емкость:

2500пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.66633 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"