IRFD024PBF, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 2.5А 1.3Вт, 0.1 Ом
Есть технические вопросы по товару или производителю? Задайте их нашему инженеру.
Телеграм MAX Заказать бесплатный образец-
1+ 10+ 19+ 37+ 73+73,72 ₽ 72,56 ₽ 71,07 ₽ 69,01 ₽ 65,87 ₽Срок:В наличииНаличие:173Минимум:5Количество в заказ
-
1+ 10+ 19+ 37+ 73+73,72 ₽ 72,56 ₽ 71,07 ₽ 69,01 ₽ 65,87 ₽Срок:В наличииНаличие:109Минимум:1Количество в заказ
Технические параметры
Описание IRFD024PBF
The IRFD024PBF is a 60V N-channel Power MOSFET, third generation HEXFET® power MOSFET provides the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design and low on-resistance. The package is a machine-insertable case style which can be stacked in multiple combinations on standard 0.1-inch pin centres. The dual drain serves as a thermal link to the mounting surface for power dissipation levels up to 1W.
• Dynamic dV/dt rating
• Repetitive avalanche rated
• 175°C Operating temperature
• Easy to parallel
• Simple drive requirement
• For automatic insertion
• End stackable
| Структура | n-канал |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 60 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 2.5 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20 |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.1 ом при 1.5a, 10в |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 1.3 |
| Крутизна характеристики, S | 0.9 |
| Корпус | HVMDIP |
| Пороговое напряжение на затворе | 4 |
| Вес, г | 0.6 |