IRFD024PBF, Полевой транзистор, N-канальный, 60 В, 2.5 А, 1.3 Вт, 0.1 Ом

*Изображения служат только для ознакомления. См. DataSheet продукта

Полевой транзистор, N-канальный, 60 В, 2.5 А, 1.3 Вт, 0.1 Ом
Код товара: 62345
Дата обновления: 23.06.2021 03:10
Цена от: 28,41 руб.
Адрес доставки
Для расчета срока и стоимости доставки, пожалуйста, выберите страну/регион/населенный пункт.
Доставка IRFD024PBF, Полевой транзистор, N-канальный, 60 В, 2.5 А, 1.3 Вт, 0.1 Ом в Екатеринбург

Технические параметры

  • Корпус
    DIP4
  • Тип упаковки
    Tube (туба)
  • Нормоупаковка
    100 шт.
  • Вес брутто
    0.55 г.
  • Напряжение исток-сток макс.
    60V
  • Ток стока макс.
  • Мощность макс.
  • Тип транзистора

Описание IRFD024PBF

Полевой транзистор, N-канальный, 60 В, 2.5 А, 1.3 Вт, 0.1 Ом

The IRFD024PBF is a 60V N-channel Power MOSFET, third generation HEXFET® power MOSFET provides the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design and low on-resistance. The package is a machine-insertable case style which can be stacked in multiple combinations on standard 0.1-inch pin centres. The dual drain serves as a thermal link to the mounting surface for power dissipation levels up to 1W.

Структураn-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В60
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А2.5
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)0.1 ом при 1.5a, 10в
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт1.3
Крутизна характеристики, S0.9
КорпусHVMDIP
Пороговое напряжение на затворе4
Вес, г0.6