IRFD024PBF, Транзистор полевой N-канальный 60В 2.5А 1.3Вт, 0.1 Ом
Изображения служат только для ознакомления. См. документацию товара
MOSFET N-CH 60V 2.5A 4-Pin HVMDIP
Транзистор полевой N-канальный 60В 2.5А 1.3Вт, 0.1 Ом
Транзистор полевой N-канальный 60В 2.5А 1.3Вт, 0.1 Ом
Производитель:
Vishay
Артикул:
IRFD024PBF
Документы:
Технические параметры
-
КорпусDIP-4
-
Тип упаковкиTube (туба)
-
Нормоупаковка100 шт
-
Вес брутто0.55 г.
-
Напряжение исток-сток макс.
-
Ток стока макс.
-
Сопротивление открытого канала
-
Мощность макс.
-
Тип транзистора
-
Пороговое напряжение включения макс.
-
Заряд затвора
-
Входная емкость
-
Тип монтажа
Описание IRFD024PBF
The IRFD024PBF is a 60V N-channel Power MOSFET, third generation HEXFET® power MOSFET provides the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design and low on-resistance. The package is a machine-insertable case style which can be stacked in multiple combinations on standard 0.1-inch pin centres. The dual drain serves as a thermal link to the mounting surface for power dissipation levels up to 1W.
• Dynamic dV/dt rating
• Repetitive avalanche rated
• 175°C Operating temperature
• Easy to parallel
• Simple drive requirement
• For automatic insertion
• End stackable
| Структура | n-канал |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 60 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 2.5 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20 |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.1 ом при 1.5a, 10в |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 1.3 |
| Крутизна характеристики, S | 0.9 |
| Корпус | HVMDIP |
| Пороговое напряжение на затворе | 4 |
| Вес, г | 0.6 |
Хотите получить образцы?
Заказать образец
Сообщите мне о поступлении товара