Одиночные MOSFET транзисторы

55
Сопротивление открытого канала: 100 мОм
Фильтр
Производители
Корпус
Тип транзистора
Особенности
Напряжение исток-сток макс.
Ток стока макс.
Сопротивление открытого канала
Мощность макс.
Пороговое напряжение включения макс.
Заряд затвора
Входная емкость
Тип монтажа
Одиночные MOSFET транзисторы (55)
Акция
IRF9Z34NPBF IRF9Z34NPBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 55В 19А 68Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-220AB
Напряжение исток-сток макс.:
55В
Ток стока макс.:
19A
Сопротивление открытого канала:
100 мОм
Мощность макс.:
68Вт
Тип транзистора:
P-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
35нКл
Входная емкость:
620пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
12 098 шт

Внешние склады:
7 800 шт
Цена от:
от 19,50
Акция
IRF9Z34NSTRLPBF IRF9Z34NSTRLPBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 55В 19A
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
D2Pak (TO-263)
Напряжение исток-сток макс.:
55В
Ток стока макс.:
19A
Сопротивление открытого канала:
100 мОм
Мощность макс.:
3.8Вт
Тип транзистора:
P-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
35нКл
Входная емкость:
620пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
2 643 шт

Внешние склады:
7 040 шт
Цена от:
от 46,32
IRFB4020PBF IRFB4020PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 18A
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-220AB
Напряжение исток-сток макс.:
200В
Ток стока макс.:
18A
Сопротивление открытого канала:
100 мОм
Мощность макс.:
100Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
4.9В
Заряд затвора:
29нКл
Входная емкость:
1200пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
1 322 шт

Внешние склады:
21 600 шт
Цена от:
от 42,12
Акция
IRL530NPBF IRL530NPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 17А 79Вт, 0.1 Ом
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-220AB
Напряжение исток-сток макс.:
100В
Ток стока макс.:
17A
Сопротивление открытого канала:
100 мОм
Мощность макс.:
79Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
34нКл
Входная емкость:
800пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
348 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 186,84
IRL530NSTRLPBF IRL530NSTRLPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 17A
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
D2Pak (TO-263)
Напряжение исток-сток макс.:
100В
Ток стока макс.:
17A
Сопротивление открытого канала:
100 мОм
Мощность макс.:
3.8Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
34нКл
Входная емкость:
800пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
476 шт

Внешние склады:
4 229 шт
Цена от:
от 66,66
IRLML2030TRPBF IRLML2030TRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 2.7А 1.3Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
SOT-23
Напряжение исток-сток макс.:
30В
Ток стока макс.:
2.7A
Сопротивление открытого канала:
100 мОм
Мощность макс.:
1.3Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
2.3В
Заряд затвора:
1нКл
Входная емкость:
110пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
29 481 шт

Внешние склады:
33 400 шт
Аналоги:
86 061 шт
Цена от:
от 5,94
Акция
IRLMS1503TRPBF IRLMS1503TRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 3.2A
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TSOP-6
Напряжение исток-сток макс.:
30В
Ток стока макс.:
3.2A
Сопротивление открытого канала:
100 мОм
Мощность макс.:
1.7Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
9.6нКл
Входная емкость:
210пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
424 шт

Внешние склады:
3 000 шт
Цена от:
от 21,12
SPW35N60C3FKSA1 SPW35N60C3FKSA1 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 650В 34.6А 313Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-247
Напряжение исток-сток макс.:
650В
Ток стока макс.:
34.6A
Сопротивление открытого канала:
100 мОм
Мощность макс.:
313Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
3.9В
Заряд затвора:
200нКл
Входная емкость:
4500пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
236 шт

Внешние склады:
20 шт
Цена от:
от 422,34
STN3NF06L STN3NF06L Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 4А 3.3Вт
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
SOT-223
Напряжение исток-сток макс.:
60В
Ток стока макс.:
4A
Сопротивление открытого канала:
100 мОм
Мощность макс.:
3.3Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
2.8В
Заряд затвора:
9нКл
Входная емкость:
340пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
3 301 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 22,98
STP16NF06 STP16NF06 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 16A
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
TO-220
Напряжение исток-сток макс.:
60В
Ток стока макс.:
16A
Сопротивление открытого канала:
100 мОм
Мощность макс.:
45Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
13нКл
Входная емкость:
315пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
294 шт

Внешние склады:
20 шт
Цена от:
от 70,02
Акция
IRFB23N20DPBF IRFB23N20DPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 24А 170Вт, 0.1 Ом
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-220 Isolated Tab
Напряжение исток-сток макс.:
200В
Ток стока макс.:
24A
Сопротивление открытого канала:
100 мОм
Мощность макс.:
3.8Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
5.5В
Заряд затвора:
86нКл
Входная емкость:
1960пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
34 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 233,46
STW45NM50 STW45NM50 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 500В 45А 417Вт
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
TO-247
Напряжение исток-сток макс.:
500В
Ток стока макс.:
45A
Сопротивление открытого канала:
100 мОм
Мощность макс.:
417Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
117нКл
Входная емкость:
3700пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
206 шт
Цена от:
от 1 789,62
DMP2160UW-7 DMP2160UW-7 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 20В 1.5A
Производитель:
Diodes Incorporated
Корпус:
SOT-323
Напряжение исток-сток макс.:
20В
Ток стока макс.:
1.5A
Сопротивление открытого канала:
100 мОм
Мощность макс.:
350мВт
Тип транзистора:
P-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
900mВ
Входная емкость:
627пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
FDD5614P FDD5614P Транзистор полевой MOSFET P-канальный 60В 15A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Напряжение исток-сток макс.:
60В
Ток стока макс.:
15A
Сопротивление открытого канала:
100 мОм
Мощность макс.:
1.6Вт
Тип транзистора:
P-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
24нКл
Входная емкость:
759пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
FDMC5614P FDMC5614P Транзистор полевой MOSFET P-канальный 60В 5.7A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
8-Power33 (3x3)
Напряжение исток-сток макс.:
60В
Ток стока макс.:
5.7A
Сопротивление открытого канала:
100 мОм
Мощность макс.:
2.1Вт
Тип транзистора:
P-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
20нКл
Входная емкость:
1055пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
FDN5630 FDN5630 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 1.7A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT-23 (SuperSOT-3)
Напряжение исток-сток макс.:
60В
Ток стока макс.:
1.7A
Сопротивление открытого канала:
100 мОм
Мощность макс.:
460мВт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
10нКл
Входная емкость:
400пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
FDT86113LZ FDT86113LZ Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 3.3A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT-223-4
Напряжение исток-сток макс.:
100В
Ток стока макс.:
3.3A
Сопротивление открытого канала:
100 мОм
Мощность макс.:
1Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
2.5В
Заряд затвора:
6.8нКл
Входная емкость:
315пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
FQD19N10LTM FQD19N10LTM Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 15.6A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-252-3
Напряжение исток-сток макс.:
100В
Ток стока макс.:
15.6A
Сопротивление открытого канала:
100 мОм
Мощность макс.:
2.5Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
18нКл
Входная емкость:
870пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
FQD19N10TM FQD19N10TM Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 15.6A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Напряжение исток-сток макс.:
100В
Ток стока макс.:
15.6A
Сопротивление открытого канала:
100 мОм
Мощность макс.:
2.5Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
25нКл
Входная емкость:
780пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
FQPF19N10 FQPF19N10 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 13.6A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-220F
Напряжение исток-сток макс.:
100В
Ток стока макс.:
13.6A
Сопротивление открытого канала:
100 мОм
Мощность макс.:
38Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
25нКл
Входная емкость:
780пФ
Тип монтажа:
Through Hole
На странице:

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.67983 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"