IRFD9120PBF, Транзистор полевой P-канальный 100В 1А 1.3Вт, 0.6 Ом
Изображения служат только для ознакомления. См. документацию товара
MOSFET P-CH 100V 1A 4-Pin HVMDIP
Транзистор полевой P-канальный 100В 1А 1.3Вт, 0.6 Ом
Транзистор полевой P-канальный 100В 1А 1.3Вт, 0.6 Ом
Производитель:
Vishay
Артикул:
IRFD9120PBF
Документы:
Технические параметры
-
КорпусDIP-4
-
Тип упаковкиTube (туба)
-
Нормоупаковка100 шт
-
Вес брутто0.56 г.
-
Напряжение исток-сток макс.
-
Ток стока макс.
-
Сопротивление открытого канала
-
Мощность макс.
-
Тип транзистора
-
Пороговое напряжение включения макс.
-
Заряд затвора
-
Входная емкость
-
Тип монтажа
Описание IRFD9120PBF
The IRFD9120PBF is a -100V P-channel Power MOSFET, third generation HEXFET® power MOSFET provides the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design and low on-resistance. The package is a machine-insertable case style which can be stacked in multiple combinations on standard 0.1-inch pin centres. The dual drain serves as a thermal link to the mounting surface for power dissipation levels up to 1W.
• Dynamic dV/dt rating
• Repetitive avalanche rated
• 175°C Operating temperature
• Easy to parallel
• Simple drive requirement
• For automatic insertion
• End stackable
| Структура | p-канал |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | -100 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | -1 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20 |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.6 ом при-0.6a, -10в |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 1.3 |
| Крутизна характеристики, S | 0.71 |
| Корпус | HVMDIP |
| Пороговое напряжение на затворе | -2…-4 |
| Вес, г | 0.6 |
Хотите получить образцы?
Заказать образец
Сообщите мне о поступлении товара