IRFD320PBF, транзистор полевой n-канальный 400в 0.6а 1.3вт, 1.8 ом
Изображения служат только для ознакомления. См. документацию товара
MOSFET N-CH 400V 0.49A 4-Pin HVMDIP
Транзистор полевой N-канальный 400В 0.6А 1.3Вт, 1.8 Ом
Транзистор полевой N-канальный 400В 0.6А 1.3Вт, 1.8 Ом
Производитель:
Vishay
Артикул:
IRFD320PBF
Документы:
Технические параметры
-
Корпус4-DIP, Hexdip, HVMDIP
-
Тип упаковкиTube (туба)
-
Нормоупаковка100 шт
-
Вес брутто0.56 г.
-
Напряжение исток-сток макс.
-
Ток стока макс.
-
Сопротивление открытого канала
-
Мощность макс.
-
Тип транзистора
-
Пороговое напряжение включения макс.
-
Заряд затвора
-
Входная емкость
-
Тип монтажа
Описание IRFD320PBF
MOSFET N, HEXDIP Transistor Type MOSFET Transistor Polarity N Current, Id Cont 0.49A Resistance, Rds On 1.8ohm Case Style HEXDIP Current, Idm Pulse 3.9A Power, Pd 1W Voltage, Vds Max 400V
Корпус DIP4, Конфигурация и полярность N, Максимальное напряжение сток-исток 400 В, Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса 3.9 А, Сопротивление открытого канала (мин) 1.8 Ом
| Структура | n-канал |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 400 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 0.3 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20 |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 1.8 ом при 0.21a, 10в |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 1 |
| Крутизна характеристики, S | 2 |
| Корпус | HVMDIP |
| Пороговое напряжение на затворе | 4 |
| Вес, г | 0.6 |
Хотите получить образцы?
Заказать образец
Сообщите мне о поступлении товара