IRFD220PBF, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 0.8А 1.3Вт, 0.8 Ом
Цена от:
61,67 руб.
Оптовый склад «Промэлектроника»
-
1+ 25+ 50+ 100+ 200+81,76 ₽ 74,90 ₽ 69,45 ₽ 65,00 ₽ 61,67 ₽Срок:В наличииНаличие:538Минимум:4Количество в заказ
Количество:
Стоимость:
Технические параметры
Описание IRFD220PBF
The IRFD220PBF is a third generation N-channel enhancement-mode Power MOSFET comes with the best combination of fast switching, ruggedized device design and low ON-resistance. The package is a machine-insertable case style which can be stacked in multiple combinations on standard 0.1-inch pin centres. The dual drain serves as a thermal link to the mounting surface for power dissipation levels up to 1W.
• Dynamic dV/dt rating
• For automatic insertion
• End stackable
• Repetitive avalanche rated
• Ease of paralleling
• Simple drive requirements
| Структура | n-канал |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 200 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 0.8 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20 |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.8 ом при 0.48a, 10в |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 1 |
| Крутизна характеристики, S | 1.1 |
| Корпус | HVMDIP |
| Пороговое напряжение на затворе | 4 |
| Вес, г | 0.6 |
Документы и сертификаты
Документация и Datasheet
Способы доставки в Екатеринбург
Доставка IRFD220PBF , Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 0.8А 1.3Вт, 0.8 Ом
в город Екатеринбург
Самовывоз из Екатеринбурга
завтра
Бесплатно
DPD РФ
от 1 раб. дня
от 136 ₽
Деловые линии
от 2 раб. дней
от 2145 ₽
EMS
от 1 раб. дня
от 568 ₽
Почта России
от 1 раб. дня
от 303 ₽
СДЭК
от 2 раб. дней
от 172 ₽
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.
Сообщите мне о поступлении товара