IRF640NPBF, Полевой транзистор, N-канальный, 200 В, 18 А, 150 Вт, 0.15 Ом
*Изображения служат только для ознакомления. См. DataSheet продукта
Полевой транзистор, N-канальный, 200 В, 18 А, 150 Вт, 0.15 Ом
Производитель:
Infineon Technologies
Артикул:
IRF640NPBF
Документы:
Описание IRF640NPBF
Полевой транзистор, N-канальный, 200 В, 18 А, 150 Вт, 0.15 Ом
IRF640NPBF от компании International Rectifier является N-канальным силовым МОП-транзистором HEXFET 200В в корпусе TO-220AB. Данная особенность МОП-транзистора обеспечивает очень низкое сопротивление в активном состоянии, динамический dv/dt, быстрой процесс переключения и лавинные характеристики. Поэтому силовые МОП-транзисторы широко используются в устройствах для обеспечения высокой эффективности и надежности.
| Структура | n-канал |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 200 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 18 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20 |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.15 ом при 11a, 10в |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 150 |
| Крутизна характеристики, S | 6.8 |
| Корпус | to220ab |
| Пороговое напряжение на затворе | 2…4 |
| Вес, г | 2.5 |
Сообщите мне о поступлении товара
