IRF640NPBF, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 18А 150Вт, 0.15 Ом
Есть технические вопросы по товару или производителю? Задайте их нашему инженеру.
Телеграм MAX Заказать бесплатный образецЦена от:
23,04 руб.
-
1+ 150+ 250+ 450+ 850+32,04 ₽ 28,87 ₽ 26,52 ₽ 24,66 ₽ 23,04 ₽Срок:В наличииНаличие:4 212Минимум:10Количество в заказ
-
1+ 150+ 250+ 450+ 850+32,04 ₽ 28,87 ₽ 26,52 ₽ 24,66 ₽ 23,04 ₽Срок:В наличииНаличие:781Минимум:2Количество в заказ
-
89+ 500+ 1000+78,05 ₽ 60,04 ₽ 50,15 ₽Срок:10 днейНаличие:1 948Минимум:Мин: 89Количество в заказ
-
128+56,68 ₽Срок:14 днейНаличие:197Минимум:Мин: 128Количество в заказ
Технические параметры
Описание IRF640NPBF
IRF640NPBF от компании International Rectifier является N-канальным силовым МОП-транзистором HEXFET 200В в корпусе TO-220AB. Данная особенность МОП-транзистора обеспечивает очень низкое сопротивление в активном состоянии, динамический dv/dt, быстрой процесс переключения и лавинные характеристики. Поэтому силовые МОП-транзисторы широко используются в устройствах для обеспечения высокой эффективности и надежности.
• Напряжение сток-исток (Vds) 200В
• Напряжение затвор-исток ±20В
• Сопротивление в активном состоянии 150мОм
• Рассеиваемая мощность Pd 150Вт при 25°C
• Непрерывный ток стока 18А при Vgs 10В и 25°C
• Диапазон рабочей температуры перехода от -55°C до 175°C
| Структура | n-канал |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 200 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 18 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20 |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.15 ом при 11a, 10в |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 150 |
| Крутизна характеристики, S | 6.8 |
| Корпус | to220ab |
| Пороговое напряжение на затворе | 2…4 |
| Вес, г | 2.5 |