Одиночные MOSFET транзисторы

26
Сопротивление открытого канала: 150 мОм
Фильтр
Производители
Корпус
Тип транзистора
Особенности
Напряжение сток-исток макс.
Ток стока макс.
Сопротивление открытого канала
Мощность макс.
Пороговое напряжение включения макс.
Заряд затвора
Входная емкость
Тип монтажа
Одиночные MOSFET транзисторы (26)
Акция
IRF640NSTRLPBF IRF640NSTRLPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 18А 150Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
D2Pak (TO-263)
Напряжение сток-исток макс.:
200В
Ток стока макс.:
18A
Сопротивление открытого канала:
150 мОм
Мощность макс.:
150Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
67нКл
Входная емкость:
1160пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
10 793 шт

Внешние склады:
1 048 шт
Аналоги:
89 шт
Цена от:
от 40,44
IRF640NPBF IRF640NPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 18А 150Вт, 0.15 Ом
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-220AB
Напряжение сток-исток макс.:
200В
Ток стока макс.:
18A
Сопротивление открытого канала:
150 мОм
Мощность макс.:
150Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
67нКл
Входная емкость:
1160пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
5 899 шт

Внешние склады:
3 178 шт
Цена от:
от 15,59
IRF6218PBF IRF6218PBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 150В 27А 250Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-220AB
Напряжение сток-исток макс.:
150В
Ток стока макс.:
27A
Сопротивление открытого канала:
150 мОм
Мощность макс.:
250Вт
Тип транзистора:
P-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
110нКл
Входная емкость:
2210пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
264 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 362,84
Акция
AUIRF6218S AUIRF6218S Транзистор полевой MOSFET P-канальный 150В 27А 250Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
D2Pak (TO-263)
Напряжение сток-исток макс.:
150В
Ток стока макс.:
27A
Сопротивление открытого канала:
150 мОм
Мощность макс.:
250Вт
Тип транзистора:
P-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
110нКл
Входная емкость:
2210пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
0 шт
Аналоги:
60 шт
Цена от:
от 285,01
FQB19N20TM FQB19N20TM Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 19.4A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
D2Pak (TO-263)
Напряжение сток-исток макс.:
200В
Ток стока макс.:
19.4A
Сопротивление открытого канала:
150 мОм
Мощность макс.:
3.13Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
40нКл
Входная емкость:
1600пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
FQP19N20 FQP19N20 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 19.4A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-220
Напряжение сток-исток макс.:
200В
Ток стока макс.:
19.4A
Сопротивление открытого канала:
150 мОм
Мощность макс.:
140Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
40нКл
Входная емкость:
1600пФ
Тип монтажа:
Through Hole
FQPF19N20 FQPF19N20 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 11.8A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-220F
Напряжение сток-исток макс.:
200В
Ток стока макс.:
11.8A
Сопротивление открытого канала:
150 мОм
Мощность макс.:
50Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
40нКл
Входная емкость:
1600пФ
Тип монтажа:
Through Hole
IRF6218STRLPBF IRF6218STRLPBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 150В 27A
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
D2Pak (TO-263)
Напряжение сток-исток макс.:
150В
Ток стока макс.:
27A
Сопротивление открытого канала:
150 мОм
Мощность макс.:
250Вт
Тип транзистора:
P-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
110нКл
Входная емкость:
2210пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Акция
IRF640NSPBF IRF640NSPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 18А 3.1Вт, 0.15 Ом
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
D2Pak (TO-263)
Напряжение сток-исток макс.:
200В
Ток стока макс.:
18A
Сопротивление открытого канала:
150 мОм
Мощность макс.:
150Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
67нКл
Входная емкость:
1160пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
0 шт
Аналоги:
11 930 шт
Цена от:
от 40,44
IRFPS38N60LPBF IRFPS38N60LPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 38A
Производитель:
Vishay
Корпус:
Super-247 (TO-274AA)
Напряжение сток-исток макс.:
600В
Ток стока макс.:
38A
Сопротивление открытого канала:
150 мОм
Мощность макс.:
540Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
320нКл
Входная емкость:
7990пФ
Тип монтажа:
Through Hole
MTD3055V MTD3055V Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 12A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-252-3
Напряжение сток-исток макс.:
60В
Ток стока макс.:
12A
Сопротивление открытого канала:
150 мОм
Мощность макс.:
1.5Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
17нКл
Входная емкость:
500пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
NDS9407 NDS9407 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 60В 3A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SO-8
Напряжение сток-исток макс.:
60В
Ток стока макс.:
3A
Сопротивление открытого канала:
150 мОм
Мощность макс.:
1Вт
Тип транзистора:
P-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
22нКл
Входная емкость:
732пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
NTD20P06LT4G NTD20P06LT4G Транзистор полевой MOSFET P-канальный 60В 15.5А 65Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Напряжение сток-исток макс.:
60В
Сопротивление открытого канала:
150 мОм
Мощность макс.:
65Вт
Тип транзистора:
P-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
26нКл
Входная емкость:
1190пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
NTD3055-150T4G NTD3055-150T4G Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 9A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
DPAK-3
Напряжение сток-исток макс.:
60В
Ток стока макс.:
9A
Сопротивление открытого канала:
150 мОм
Мощность макс.:
1.5Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
15нКл
Входная емкость:
280пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
NTS4173PT1G NTS4173PT1G Транзистор полевой MOSFET P-канальный 30В 1.2A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SC-70-3 (SOT323)
Напряжение сток-исток макс.:
30В
Ток стока макс.:
1.2A
Сопротивление открытого канала:
150 мОм
Мощность макс.:
290мВт
Тип транзистора:
P-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
1.5В
Заряд затвора:
10.1нКл
Входная емкость:
430пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
NTZS3151PT1G NTZS3151PT1G Транзистор полевой MOSFET P-канальный 20В 860мА
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT-563-6
Напряжение сток-исток макс.:
20В
Ток стока макс.:
860мА
Сопротивление открытого канала:
150 мОм
Мощность макс.:
170мВт
Тип транзистора:
P-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
5.6нКл
Входная емкость:
458пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
NVD3055-150T4G NVD3055-150T4G Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 9A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
DPAK-3
Напряжение сток-исток макс.:
60В
Ток стока макс.:
9A
Сопротивление открытого канала:
150 мОм
Мощность макс.:
1.5Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
15нКл
Входная емкость:
280пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
SI1317DL-T1-GE3 SI1317DL-T1-GE3 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 20В 1.4A
Производитель:
Vishay
Корпус:
SOT-323
Напряжение сток-исток макс.:
20В
Ток стока макс.:
1.4A
Сопротивление открытого канала:
150 мОм
Мощность макс.:
500мВт
Тип транзистора:
P-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
800mВ
Заряд затвора:
6.5нКл
Входная емкость:
272пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
SI1403BDL-T1-E3 SI1403BDL-T1-E3 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 20В 1.4A
Производитель:
Vishay
Корпус:
SOT-363 (SC-88)
Напряжение сток-исток макс.:
20В
Ток стока макс.:
1.4A
Сопротивление открытого канала:
150 мОм
Мощность макс.:
568мВт
Тип транзистора:
P-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
1.3В
Заряд затвора:
4.5нКл
Тип монтажа:
Surface Mount
SIHG32N50D-E3 SIHG32N50D-E3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 500В 30A
Производитель:
Vishay
Корпус:
TO-247AC
Напряжение сток-исток макс.:
500В
Ток стока макс.:
30A
Сопротивление открытого канала:
150 мОм
Мощность макс.:
390Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
96нКл
Входная емкость:
2550пФ
Тип монтажа:
Through Hole
На странице:

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.62466 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"