MJD122T4G, Биполярный транзистор, NPN, составной (Darlington), 100 В, 5 А, 20 Вт

Код товара: 80824

Изображения служат только для ознакомления

Наименование:
MJD122T4G
Производитель:
Описание Eng:
NPN Darlington 100V 5A 20W
Тип упаковки:
Tape and Reel (лента в катушке)
Нормоупаковка:
2500 шт
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Тип транзистора:
NPN, составной
Напряжение КЭ Макс.:
100 В
Ток коллектора Макс.:
8 А
Мощность Макс.:
1.75 Вт
Коэффициент усиления hFE:
1000
Показать аналоги

Технические параметры

Тип транзистора

NPN, составной

Напряжение КЭ Макс.

100 В

Ток коллектора Макс.

8 А

Мощность Макс.

1.75 Вт

Коэффициент усиления hFE

1000

Тип монтажа

Поверхностный

Граничная частота

4 МГц

Корпус

DPAK/TO-252AA

Вес брутто

0.66 г.

Описание MJD122T4G

Биполярный транзистор, NPN, составной (Darlington), 100 В, 5 А, 20 Вт

Нашли ошибку? Выделите текст с ошибкой и нажмите Ctrl+Enter

Документы и сертификаты

Документация и Datasheet

Аналоги и возможные замены

MJD122T4 Полный аналог Биполярный транзистор, NPN, составной (Darlington), 100 В, 8 А Производитель: ST Microelectronics
Наличие:
8 175 шт

Под заказ:
6 045 шт
Цена от:
от 25,68
MJD122TF Полный аналог Биполярный транзистор, NPN, составной (Darlington), 100 В, 8 А Производитель: ON Semiconductor
MJD122G Полный аналог Биполярный транзистор, NPN, составной (Darlington), 100 В, 8 А Производитель: ON Semiconductor

Способы доставки в Екатеринбург

Доставка MJD122T4G , Биполярный транзистор, NPN, составной (Darlington), 100 В, 5 А, 20 Вт в город Екатеринбург
Самовывоз из Екатеринбурга
завтра
Бесплатно
DPD РФ
от 1 раб. дня
от 136
Деловые линии
от 2 раб. дней
от 2145
EMS
от 1 раб. дня
от 568
Почта России
от 1 раб. дня
от 303
СДЭК
от 2 раб. дней
от 172
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.