FF900R12IE4BOSA1, Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 900 А
Изображения служат только для ознакомления
Наименование:
FF900R12IE4BOSA1
Описание Eng:
IGBT, MODULE, N-CH, 1.2KV, 900A; Transistor Polarity:N Channel; DC Collector Current:900A; Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on):1.75V; Power Dissipation Pd:5.1kW; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:1.2kV; Transis
Тип упаковки:
Palette (палетта)
В упаковке:
3 шт
Есть технические вопросы по товару или производителю? Задайте их нашему инженеру.
Телеграм MAX Заказать бесплатный образецЦена от:
76 070,04 руб.
Нет в наличии
Описание FF900R12IE4BOSA1
Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 900 А
Документы и сертификаты
Разрешительная документация
Товар не подлежит обязательной сертификации и декларированию.
Способы доставки в Екатеринбург
Доставка FF900R12IE4BOSA1 , Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 900 А
в город Екатеринбург
Самовывоз из Екатеринбурга
от 1 раб. дня
Бесплатно
DPD РФ
от 1 раб. дня
от 233 ₽
Деловые линии
от 2 раб. дней
от 2392 ₽
EMS
от 1 раб. дня
от 620 ₽
Почта России
от 1 раб. дня
от 319 ₽
СДЭК
от 2 раб. дней
от 171 ₽
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.
Сообщите мне о поступлении товара