510пф

Фильтр
  • Спецпредложения
  • Новинки
510пф (24)
GRM1885C2A511JA01D Конденсатор керамический SMD 0603 NP0 510пФ ±5% 100В
Производитель:
Murata Electronics
Тип диэлектрика:
NP0
Емкость:
510пФ
Допуск:
±5%
Напряжение:
100В
Наличие:
0 шт

Под заказ:
2 406 шт
Цена от:
от 4,18
IRLML5203TRPBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 30В 3А 1,25Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Напряжение сток-исток макс.:
30В
Ток стока макс.:
3A
Сопротивление открытого канала:
98 мОм
Мощность макс.:
1.25Вт
Тип транзистора:
P-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
2.5В
Заряд затвора:
14нКл
Входная емкость:
510пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
30 220 шт

Под заказ:
27 080 шт
Аналоги:
104 374 шт
Цена от:
от 7,42
STD4NK60ZT4 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 4А 70Вт
Производитель:
ST Microelectronics
Напряжение сток-исток макс.:
600В
Ток стока макс.:
4A
Сопротивление открытого канала:
2 Ом
Мощность макс.:
70Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
4.5В
Заряд затвора:
26нКл
Входная емкость:
510пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
12 255 шт

Под заказ:
1 450 шт
Цена от:
от 18,20
IRLL024NTRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 55В 3.1А 2.1Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Напряжение сток-исток макс.:
55В
Ток стока макс.:
3.1A
Сопротивление открытого канала:
65 мОм
Мощность макс.:
1Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
15.6нКл
Входная емкость:
510пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
5 761 шт

Под заказ:
2 480 шт
Цена от:
от 27,82
SI2325DS-T1-E3 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 150В 530мА
Производитель:
Vishay
Напряжение сток-исток макс.:
150В
Ток стока макс.:
530мА
Сопротивление открытого канала:
1.2 Ом
Мощность макс.:
750мВт
Тип транзистора:
P-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
4.5В
Заряд затвора:
12нКл
Входная емкость:
510пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
3 573 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 36,84
STP4NK60ZFP Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 4А 25Вт
Производитель:
ST Microelectronics
Напряжение сток-исток макс.:
600В
Ток стока макс.:
4A
Сопротивление открытого канала:
2 Ом
Мощность макс.:
25Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
4.5В
Заряд затвора:
26нКл
Входная емкость:
510пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
1 510 шт

Под заказ:
2 060 шт
Аналоги:
984 шт
Цена от:
от 34,86
STP4NK60Z Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 4А 70Вт
Производитель:
ST Microelectronics
Напряжение сток-исток макс.:
600В
Ток стока макс.:
4A
Сопротивление открытого канала:
2 Ом
Мощность макс.:
70Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
4.5В
Заряд затвора:
26нКл
Входная емкость:
510пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
339 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 38,89
IRFBC30APBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 3.6A
Производитель:
Vishay
Напряжение сток-исток макс.:
600В
Ток стока макс.:
3.6A
Сопротивление открытого канала:
2.2 Ом
Мощность макс.:
74Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
4.5В
Заряд затвора:
23нКл
Входная емкость:
510пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
250 шт

Под заказ:
850 шт
Цена от:
от 83,11
FDPF4N60NZ Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 3.8A
Производитель:
ON Semiconductor
Напряжение сток-исток макс.:
600В
Ток стока макс.:
3.8A
Сопротивление открытого канала:
2.5 Ом
Мощность макс.:
28Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
10.8нКл
Входная емкость:
510пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
0 шт

Под заказ:
30 шт
Цена от:
от 252,75
  • 1
  • 2
  • Далее