510пф

Фильтр
  • Спецпредложения
  • Новинки
510пф (27)
STP4NK60ZFP Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 4А 25Вт
Производитель:
ST Microelectronics
Напряжение сток-исток макс.:
600В
Ток стока макс.:
4A
Сопротивление открытого канала:
2 Ом
Мощность макс.:
25Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
4.5В
Заряд затвора:
26нКл
Входная емкость:
510пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
10 020 шт

Под заказ:
26 000 шт
Аналоги:
19 шт
Цена от:
от 25,32
STD4NK60ZT4 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 4А 70Вт
Производитель:
ST Microelectronics
Напряжение сток-исток макс.:
600В
Ток стока макс.:
4A
Сопротивление открытого канала:
2 Ом
Мощность макс.:
70Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
4.5В
Заряд затвора:
26нКл
Входная емкость:
510пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
5 560 шт

Под заказ:
46 450 шт
Аналоги:
2 000 шт
Цена от:
от 19,08
IRLL024NTRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 55В 3.1А 2.1Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Напряжение сток-исток макс.:
55В
Ток стока макс.:
3.1A
Сопротивление открытого канала:
65 мОм
Мощность макс.:
1Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
15.6нКл
Входная емкость:
510пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
4 242 шт

Под заказ:
23 421 шт
Цена от:
от 22,32
SI2325DS-T1-E3 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 150В 530мА
Производитель:
Vishay
Напряжение сток-исток макс.:
150В
Ток стока макс.:
530мА
Сопротивление открытого канала:
1.2 Ом
Мощность макс.:
750мВт
Тип транзистора:
P-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
4.5В
Заряд затвора:
12нКл
Входная емкость:
510пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
1 543 шт

Под заказ:
27 546 шт
Аналоги:
10 028 шт
Цена от:
от 27,78
STP4NK60Z Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 4А 70Вт
Производитель:
ST Microelectronics
Напряжение сток-исток макс.:
600В
Ток стока макс.:
4A
Сопротивление открытого канала:
2 Ом
Мощность макс.:
70Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
4.5В
Заряд затвора:
26нКл
Входная емкость:
510пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
322 шт

Под заказ:
273 шт
Цена от:
от 45,60
IRFBC30APBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 3.6A
Производитель:
Vishay
Напряжение сток-исток макс.:
600В
Ток стока макс.:
3.6A
Сопротивление открытого канала:
2.2 Ом
Мощность макс.:
74Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
4.5В
Заряд затвора:
23нКл
Входная емкость:
510пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
57 шт

Под заказ:
10 000 шт
Цена от:
от 36,18
FDPF4N60NZ Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 3.8A
Производитель:
ON Semiconductor
Напряжение сток-исток макс.:
600В
Ток стока макс.:
3.8A
Сопротивление открытого канала:
2.5 Ом
Мощность макс.:
28Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
10.8нКл
Входная емкость:
510пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
0 шт

Под заказ:
40 шт
Цена от:
от 224,10
FQP10N20C Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 9.5A
Производитель:
ON Semiconductor
Напряжение сток-исток макс.:
200В
Ток стока макс.:
9.5A
Сопротивление открытого канала:
360 мОм
Мощность макс.:
72Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
26нКл
Входная емкость:
510пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
0 шт

Под заказ:
1 000 шт
Цена от:
от 87,60
SI2325DS-T1-GE3 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 150В 530мА
Производитель:
Vishay
Напряжение сток-исток макс.:
150В
Ток стока макс.:
530мА
Сопротивление открытого канала:
1.2 Ом
Мощность макс.:
750мВт
Тип транзистора:
P-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
4.5В
Заряд затвора:
12нКл
Входная емкость:
510пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
0 шт

Под заказ:
10 028 шт
Аналоги:
29 089 шт
Цена от:
от 27,78
SI3437DV-T1-GE3 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 150В 1.4A
Производитель:
Vishay
Напряжение сток-исток макс.:
150В
Ток стока макс.:
1.4A
Сопротивление открытого канала:
750 мОм
Мощность макс.:
3.2Вт
Тип транзистора:
P-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
19нКл
Входная емкость:
510пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
0 шт

Под заказ:
23 340 шт
Цена от:
от 19,68
STD4NK60Z-1 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 4A 3-Pin(3+Tab) IPAK туба
Производитель:
ST Microelectronics
Напряжение сток-исток макс.:
600В
Ток стока макс.:
4A
Сопротивление открытого канала:
2 Ом
Мощность макс.:
70Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
4.5В
Заряд затвора:
26нКл
Входная емкость:
510пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
0 шт

Под заказ:
2 000 шт
Цена от:
от 70,80
STB4NK60ZT4 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 4A 3-Pin(2+Tab) D2PAK лента на катушке
Производитель:
ST Microelectronics
Напряжение сток-исток макс.:
600В
Ток стока макс.:
4A
Сопротивление открытого канала:
2 Ом
Мощность макс.:
70Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
4.5В
Заряд затвора:
26нКл
Входная емкость:
510пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
0 шт

Под заказ:
1 000 шт
Цена от:
от 138,36
  • 1
  • 2
  • Далее