igbt 1200v

Фильтр
  • Спецпредложения
  • Новинки
igbt 1200v (84)
FF100R12RT4HOSA1 Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 100 А, 555 Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Наличие:
9 шт

Под заказ:
30 шт
Цена от:
от 5 298,62
IKW25N120H3FKSA1 Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 50 А, 326 Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
1200 В
Макс. ток коллектора:
50 А
Импульсный ток коллектора макс.:
100 А
Макс. рассеиваемая мощность:
326 Вт
Переключаемая энергия:
2.65 мДж
Наличие:
2 001 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 187,86
IKW40N120H3FKSA1 Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 80 А, 483 Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
1200 В
Макс. ток коллектора:
80 А
Импульсный ток коллектора макс.:
160 А
Макс. рассеиваемая мощность:
483 Вт
Переключаемая энергия:
4.4 мДж
Наличие:
1 663 шт

Под заказ:
200 шт
Цена от:
от 202,19
IKW25N120T2FKSA1 Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 50 А, 349 Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
1200 В
Макс. ток коллектора:
50 А
Импульсный ток коллектора макс.:
100 А
Макс. рассеиваемая мощность:
349 Вт
Переключаемая энергия:
2.9 мДж
Наличие:
849 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 225,20
FGH40T120SMD Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 80 А, 555 Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
1200 В
Макс. ток коллектора:
80 А
Импульсный ток коллектора макс.:
160 А
Макс. рассеиваемая мощность:
555 Вт
Переключаемая энергия:
2.7 мДж
Наличие:
723 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 294,39
IKW15N120H3FKSA1 Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 30 А, 217 Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
1200 В
Макс. ток коллектора:
30 А
Импульсный ток коллектора макс.:
60 А
Макс. рассеиваемая мощность:
217 Вт
Переключаемая энергия:
1.55 мДж
Наличие:
442 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 250,26
IKW40N120T2FKSA1 Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 75 А, 480 Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
1200 В
Макс. ток коллектора:
75 А
Импульсный ток коллектора макс.:
160 А
Макс. рассеиваемая мощность:
480 Вт
Переключаемая энергия:
5.25 мДж
Наличие:
298 шт

Под заказ:
110 шт
Цена от:
от 276,12
IGW60T120FKSA1 Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 100 А, 375 Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
1200 В
Макс. ток коллектора:
100 А
Импульсный ток коллектора макс.:
150 А
Макс. рассеиваемая мощность:
375 Вт
Переключаемая энергия:
9.5 мДж
Наличие:
203 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 624,10
AUIRG4PH50S Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 57 А, 200 Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
1200 В
Макс. ток коллектора:
57 А
Импульсный ток коллектора макс.:
114 А
Макс. рассеиваемая мощность:
200 Вт
Переключаемая энергия:
1.8 мДж
Наличие:
81 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 384,63
IRG7PH35UDPBF Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 50 А, 180 Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
1200 В
Макс. ток коллектора:
50 А
Импульсный ток коллектора макс.:
60 А
Макс. рассеиваемая мощность:
180 Вт
Переключаемая энергия:
1.06 мДж
Наличие:
81 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 343,85
HGTG5N120BND Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 21 А, 167 Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Наличие:
70 шт

Под заказ:
130 шт
Цена от:
от 209,25
IRGP20B120UD-EP Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 40 А, 300 Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
1200 В
Макс. ток коллектора:
40 А
Импульсный ток коллектора макс.:
120 А
Макс. рассеиваемая мощность:
300 Вт
Переключаемая энергия:
850 мкДж
Наличие:
56 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 875,30
IKW25T120FKSA1 Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 50 А, 190 Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
1200 В
Макс. ток коллектора:
50 А
Импульсный ток коллектора макс.:
75 А
Макс. рассеиваемая мощность:
190 Вт
Переключаемая энергия:
4.2 мДж
Наличие:
47 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 589,04
IHW30N120R5XKSA1 Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 60 А, 330 Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Наличие:
19 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 291,11
SGW25N120 Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 46 А, 313 Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
1200 В
Макс. ток коллектора:
46 А
Импульсный ток коллектора макс.:
84 А
Макс. рассеиваемая мощность:
313 Вт
Переключаемая энергия:
3.7 мДж
Наличие:
3 шт

Под заказ:
12 шт
Цена от:
от 822,87