igbt 600v

Фильтр
  • Спецпредложения
  • Новинки
igbt 600v (390)
FGH80N60FDTU Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 80 А, 290 Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
600V
Макс. ток коллектора:
80A
Импульсный ток коллектора макс.:
160A
Макс. рассеиваемая мощность:
290W
Переключаемая энергия:
1mJ (on), 520 µJ (off)
Наличие:
0 шт

Под заказ:
10 шт
Цена от:
от 374,97
FGH40N60UFDTU Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 40 А, 290 Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
600 В
Макс. ток коллектора:
80 А
Импульсный ток коллектора макс.:
120 А
Макс. рассеиваемая мощность:
290 Вт
Переключаемая энергия:
1.19 мДж
Наличие:
887 шт

Под заказ:
2 074 шт
Цена от:
от 168,07
FGH40N60SMD Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 40 А, 290 Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
600 В
Макс. ток коллектора:
80 А
Импульсный ток коллектора макс.:
120 А
Макс. рассеиваемая мощность:
349 Вт
Переключаемая энергия:
870 мкДж
Наличие:
758 шт

Под заказ:
1 370 шт
Аналоги:
100 шт
Цена от:
от 151,17
IKW50N60H3FKSA1 Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 100 А, 333 Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
600 В
Макс. ток коллектора:
100 А
Импульсный ток коллектора макс.:
200 А
Макс. рассеиваемая мощность:
333 Вт
Переключаемая энергия:
2.36 мДж
Наличие:
531 шт

Под заказ:
255 шт
Цена от:
от 197,52
STGF14NC60KD Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 11 А, 28 Вт
Производитель:
ST Microelectronics
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
600 В
Макс. ток коллектора:
11 А
Импульсный ток коллектора макс.:
50 А
Макс. рассеиваемая мощность:
28 Вт
Переключаемая энергия:
82 мкДж
Наличие:
238 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 105,31
DG20X06T2 Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 20 А
Производитель:
STARPOWER Semiconductor Ltd.
Наличие:
249 шт

Под заказ:
1 200 шт
Цена от:
от 157,74
RJH60F7DPQ-A0-T0 Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 90 А, 320 Вт
Производитель:
RENESAS Electronics Corp.
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
600V
Макс. ток коллектора:
90A
Макс. рассеиваемая мощность:
320W
Наличие:
140 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 326,23
GT50J325 Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 50 А, 240 Вт (Recommended replacement: GT30J341)
Производитель:
Toshiba Semiconductor
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
600V
Макс. ток коллектора:
50A
Макс. рассеиваемая мощность:
240W
Наличие:
15 шт

Под заказ:
1 шт
Цена от:
от 1 717,06
DG50X06T2 Биполярный транзистор IGBT, 600В 100А 714Вт
Производитель:
STARPOWER Semiconductor Ltd.
Наличие:
120 шт

Под заказ:
2 175 шт
Цена от:
от 124,33
IGB50N60TATMA1 Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 90 А, 333 Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
600V
Макс. ток коллектора:
90A
Макс. рассеиваемая мощность:
333W
Наличие:
0 шт

Под заказ:
3 084 шт
Цена от:
от 511,50
IGP06N60TXKSA1 Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 12 А, 88 Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
600V
Макс. ток коллектора:
12A
Макс. рассеиваемая мощность:
88W
Наличие:
0 шт

Под заказ:
500 шт
Цена от:
от 84,76
IGW30N60H3FKSA1 Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 60 А, 187 Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
600V
Макс. ток коллектора:
60A
Макс. рассеиваемая мощность:
187W
Наличие:
0 шт

Под заказ:
6 707 шт
Цена от:
от 204,17
IKD03N60RFATMA1 Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 5 А, 53,6Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
600V
Макс. ток коллектора:
5A
Макс. рассеиваемая мощность:
53.6W
Наличие:
0 шт

Под заказ:
2 500 шт
Цена от:
от 101,40
IKD10N60RFATMA1 Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 20 А, 150000 мВт
Производитель:
Infineon Technologies
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
600V
Макс. ток коллектора:
20A
Макс. рассеиваемая мощность:
150W
Наличие:
0 шт

Под заказ:
4 239 шт
Цена от:
от 106,87
IKP20N60H3XKSA1 Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 40 А
Производитель:
Infineon Technologies
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
600V
Макс. ток коллектора:
40A
Макс. рассеиваемая мощность:
170W
Наличие:
0 шт

Под заказ:
360 шт
Цена от:
от 291,86