IGB50N60TATMA1, Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 90 А, 333 Вт

Name: IGB50N60TATMA1, Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 90 А, 333 Вт
Brand: Infineon Technologies
SKU: 202742
Availability: OutOfStock

Изображения служат только для ознакомления. См. документацию товара

Trans IGBT Chip N-CH 600V 90A 333000mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 90 А, 333 Вт

Код товара: 202742

Дата обновления: 21.09.2021 10:25

Цена и наличие
Сроки доставки

Доставка IGB50N60TATMA1 , Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 90 А, 333 Вт в город Калининград

Boxberry

от 9 раб. дней

от 761 ₽

DPD РФ

от 7 раб. дней

от 670 ₽

Деловые линии

от 10 раб. дней

от 1586 ₽

Почта РФ

от 15 раб. дней

от 290 ₽

EMS

от 4 раб. дней

от 1363 ₽

СДЭК

от 4 раб. дней

от 724 ₽

* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.

Технические параметры

Корпус

D2PAK/TO263
Нормоупаковка

1000 шт.
Вес брутто

1.2 г.
Макс. напр. коллектор-эмиттер

600V
Макс. ток коллектора

90A
Макс. рассеиваемая мощность

333W

Рекламодатель:
ООО ТД «Промэлектроника»
erid: Kra23ThKf

Хотите получить образцы?

Заказать образец

← HGTP10N120BN IGP06N60TXKSA1 →