GT50J325, Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 50 А, 240 Вт (Recommended replacement: GT30J341)
Obsolete
Bipolar transistor IGBT, 600 V, 50 A, 240 W
Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 50 А, 240 Вт (Recommended replacement: GT30J341)
Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 50 А, 240 Вт (Recommended replacement: GT30J341)
Производитель:
Toshiba Semiconductor
Артикул:
GT50J325
Документы:
Описание GT50J325
Вес, г | 9.75 |
Сообщите мне о поступлении товара