to247

Фильтр
  • Спецпредложения
  • Новинки
to247 (477)
SPW32N50C3FKSA1 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 560В 32A
Производитель:
Infineon Technologies
Напряжение сток-исток макс.:
560В
Ток стока макс.:
32A
Сопротивление открытого канала:
110 мОм
Мощность макс.:
284Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
3.9В
Заряд затвора:
170нКл
Входная емкость:
4200пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
24 шт

Под заказ:
70 шт
Цена от:
от 503,17
STW77N65M5 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 650В 69А 400Вт
Производитель:
ST Microelectronics
Напряжение сток-исток макс.:
650В
Ток стока макс.:
69A
Сопротивление открытого канала:
38 мОм
Мощность макс.:
400Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
200нКл
Входная емкость:
9800пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
7 шт

Под заказ:
126 шт
Цена от:
от 531,04
FCH041N60E Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 77A
Производитель:
ON Semiconductor
Напряжение сток-исток макс.:
600В
Ток стока макс.:
77A
Сопротивление открытого канала:
41 мОм
Мощность макс.:
592Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
3.5В
Заряд затвора:
380нКл
Входная емкость:
13700пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
0 шт

Под заказ:
2 шт
Цена от:
от 2 748,82
HUF75344G3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 55В 75A
Производитель:
ON Semiconductor
Напряжение сток-исток макс.:
55В
Ток стока макс.:
75A
Сопротивление открытого канала:
8 мОм
Мощность макс.:
285Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
210нКл
Входная емкость:
3200пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
0 шт

Под заказ:
106 шт
Цена от:
от 644,63
IRFPG30PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 1000В 3.1A
Производитель:
Vishay
Напряжение сток-исток макс.:
1000В
Ток стока макс.:
3.1A
Сопротивление открытого канала:
5 Ом
Мощность макс.:
125Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
80нКл
Входная емкость:
980пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
84 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 139,96
IRFP440PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 500В 8.8A
Производитель:
Vishay
Напряжение сток-исток макс.:
500В
Ток стока макс.:
8.8A
Сопротивление открытого канала:
850 мОм
Мощность макс.:
150Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
63нКл
Входная емкость:
1300пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
30 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 47,71
IRFP450LCPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 500В 14А 190Вт
Производитель:
Vishay
Напряжение сток-исток макс.:
500В
Ток стока макс.:
14A
Сопротивление открытого канала:
400 мОм
Мощность макс.:
190Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
74нКл
Входная емкость:
2200пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
3 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 206,11
IRFPE30PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 800В 4.1A
Производитель:
Vishay
Напряжение сток-исток макс.:
800В
Ток стока макс.:
4.1A
Сопротивление открытого канала:
3 Ом
Мощность макс.:
125Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
78нКл
Входная емкость:
1300пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
0 шт

Под заказ:
633 шт
Цена от:
от 132,93
IXXH50N60C3D1 Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 100 А, 600 Вт
Производитель:
Littelfuse
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
600V
Макс. ток коллектора:
100A
Макс. рассеиваемая мощность:
600W
Наличие:
10 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 1 167,66
IRLP3034PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 40В 195А 341Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Напряжение сток-исток макс.:
40В
Ток стока макс.:
195A
Сопротивление открытого канала:
1.7 мОм
Мощность макс.:
341Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
2.5В
Заряд затвора:
162нКл
Входная емкость:
10315пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
1 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 155,28
IRGP4640DPBF Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 65 А, 250 Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
600 В
Макс. ток коллектора:
65 А
Импульсный ток коллектора макс.:
72 А
Макс. рассеиваемая мощность:
250 Вт
Переключаемая энергия:
115 мкДж
Наличие:
263 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 436,13
IRGP20B60PDPBF Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 40 А, 220 Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
600 В
Макс. ток коллектора:
40 А
Импульсный ток коллектора макс.:
80 А
Макс. рассеиваемая мощность:
220 Вт
Переключаемая энергия:
95 мкДж
Наличие:
165 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 543,70
IRGP4650DPBF Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 76 А, 268 Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
600 В
Макс. ток коллектора:
76 А
Импульсный ток коллектора макс.:
105 А
Макс. рассеиваемая мощность:
268 Вт
Переключаемая энергия:
390 мкДж
Наличие:
51 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 478,49
IRGP4660DPBF Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 100 А, 330 Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
600 В
Макс. ток коллектора:
100 А
Импульсный ток коллектора макс.:
144 А
Макс. рассеиваемая мощность:
330 Вт
Переключаемая энергия:
625 мкДж
Наличие:
30 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 908,55
IRG4PC40SPBF Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 60 А, 160 Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
600 В
Макс. ток коллектора:
60 А
Импульсный ток коллектора макс.:
120 А
Макс. рассеиваемая мощность:
160 Вт
Переключаемая энергия:
450 мкДж
Наличие:
30 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 450,17