IRGP20B60PDPBF, Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 40 А, 220 Вт
Изображения служат только для ознакомления. См. документацию товара
Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 40 А, 220 Вт
Описание IRGP20B60PDPBF
IGBT транзисторы были изначально предназначены для недорогой и эффективной замены силовых полевых транзисторов в среднем диапазоне напряжений (400-600 В). Однако для достижения поставленных целей разработчики IGBT должны были решить две главные проблемы: малая скорость переключений транзисторов и высокая себестоимость приборов. Решением этих проблем стала WARP серия IGBT транзисторов International Rectifier. Примерами WARP серии являются транзисторы IRGP20B60PDPBF и IRGB20B60PD1PBF Их время переключений максимально близко к аналогичному параметру силовых полевых транзисторов без ущерба отличным характеристикам проводимости IGBT. Благодаря малому размеру кристалла (при сохранении уровня мощности) WARP Speed IGBT имеют более низкий заряд затвора и сниженную стоимость в системах преобразования энергии 400-600 В, работающих на частотах до 150 кГц. Благодаря более высокой плотности тока IGBT, эти транзисторы даже при вдвое меньшем размере кристалла могут пропускать через себя в 2-3 раза выше ток, чем обычный MOSFET. Размер кристалла IGBT обычно составляет 40% от кристалла MOSFET транзистора той же выходной мощности.
Характеристики
| Структура | n-канал+диод |
|---|---|
| Максимальное напряжение кэ ,В | 600 |
| Максимальный ток кэ при 25 гр. С,A | 40 |
| Напряжение насыщения при номинальном токе, В | 3.7 |
| Управляющее напряжение,В | 5 |
| Мощность макс.,Вт | 220 |
| Крутизна характеристики, S | 19 |
| Температурный диапазон,С | -55…150 |
| Дополнительные опции | - |
| Корпус | to247ac |
