to247 купить оптом и в розницу

STW9N150 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 1500В 8А 320Вт

Производитель:

ST Microelectronics

Напряжение сток-исток макс.:

1500В

Ток стока макс.:

8A

Сопротивление открытого канала:

2.5 Ом

Мощность макс.:

320Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

5В

Заряд затвора:

89.3нКл

Входная емкость:

3255пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Наличие:

0 шт

Под заказ:

367 шт

Цена от:

от 282,24₽

WMJ53N65C4 Транзистор полевой MOSFET N-канальный напряжение сток-исток 650В, ток стока 50А

Производитель:

Wayon

Напряжение сток-исток макс.:

650В

Ток стока макс.:

50А

Тип транзистора:

N-канальный

Наличие:

82 шт

Под заказ:

910 шт

Цена от:

от 179,70₽

WMJ36N60C4 Транзистор полевой MOSFET N-канальный напряжение сток-исток 600В, ток стока 36А

Производитель:

Wayon

Напряжение сток-исток макс.:

600В

Ток стока макс.:

36А

Тип транзистора:

N-канальный

Наличие:

75 шт

Под заказ:

2 048 шт

Цена от:

от 81,92₽

WMJ90R500S Транзистор полевой MOSFET N-канальный 900В 10А 133Вт

Производитель:

Wayon

Напряжение сток-исток макс.:

900В

Ток стока макс.:

10А

Тип транзистора:

N-канальный

Наличие:

74 шт

Под заказ:

4 210 шт

Цена от:

от 118,66₽

SPW20N60CFDFKSA1 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 20А 208Вт

Производитель:

Infineon Technologies

Напряжение сток-исток макс.:

650В

Ток стока макс.:

20.7A

Сопротивление открытого канала:

220 мОм

Мощность макс.:

208Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

5В

Заряд затвора:

124нКл

Входная емкость:

2400пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Наличие:

74 шт

Под заказ:

0 шт

Аналоги:

843 шт

Цена от:

от 485,58₽

RJH60F7DPQ-A0-T0 Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 90 А, 320 Вт

Производитель:

RENESAS Electronics Corp.

Макс. напр. коллектор-эмиттер:

600V

Макс. ток коллектора:

90A

Макс. рассеиваемая мощность:

320W

Наличие:

74 шт

Под заказ:

0 шт

Цена от:

от 352,09₽

TIP3055 Биполярный транзистор, NPN, 70 В, 15 А, 90 Вт

Производитель:

ST Microelectronics

Тип транзистора:

NPN

Напряжение КЭ Макс.:

60 В

Ток коллектора Макс.:

15 А

Мощность Макс.:

90 Вт

Коэффициент усиления hFE:

20

Тип монтажа:

Сквозной

Граничная частота:

2.5 МГц

Наличие:

72 шт

Под заказ:

1 780 шт

Цена от:

от 58,36₽

WMJ3N150D1 Транзистор полевой MOSFET N-канальный напряжение сток-исток 1500В, ток стока 3А

Производитель:

Wayon

Напряжение сток-исток макс.:

1500В

Ток стока макс.:

3А

Тип транзистора:

N-канальный

Наличие:

69 шт

Под заказ:

513 шт

Цена от:

от 127,91₽

IKQ50N120CH3XKSA1 Транзистор IGBT 1200В 100A 652Вт

Производитель:

Infineon Technologies

Наличие:

63 шт

Под заказ:

0 шт

Цена от:

от 454,64₽

DG75Q12T2 Биполярный транзистор IGBT 1200В 150A 937Вт

Производитель:

STARPOWER Semiconductor Ltd.

Наличие:

63 шт

Под заказ:

3 025 шт

Цена от:

от 365,48₽

STGW80H65DFB Биполярный транзистор IGBT, 650 В, 120 А, 469Вт

Производитель:

ST Microelectronics

Макс. напр. коллектор-эмиттер:

650 В

Макс. ток коллектора:

120 А

Импульсный ток коллектора макс.:

240 А

Макс. рассеиваемая мощность:

469 Вт

Переключаемая энергия:

2.1 мДж

Наличие:

59 шт

Под заказ:

150 шт

Цена от:

от 402,41₽

IGW40T120FKSA1 Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 75 А, 270 Вт

Производитель:

Infineon Technologies

Макс. напр. коллектор-эмиттер:

1200V

Макс. ток коллектора:

75A

Макс. рассеиваемая мощность:

270W

Наличие:

48 шт

Под заказ:

180 шт

Цена от:

от 513,04₽

WMJ90N65SR Транзистор полевой MOSFET N-канальный напряжение сток-исток 650В, ток стока 99А

Производитель:

Wayon

Напряжение сток-исток макс.:

650В

Ток стока макс.:

99А

Тип транзистора:

N-канальный

Наличие:

46 шт

Под заказ:

487 шт

Цена от:

от 414,19₽

MJW21193G Биполярный транзистор, PNP, 16A, 250V, 200 Вт

Производитель:

ON Semiconductor

Тип транзистора:

PNP

Напряжение КЭ Макс.:

250 В

Ток коллектора Макс.:

16 А

Мощность Макс.:

200 Вт

Коэффициент усиления hFE:

20

Тип монтажа:

Сквозной

Граничная частота:

4 МГц

Наличие:

43 шт

Под заказ:

100 шт

Цена от:

от 476,38₽

IHW30N160R2FKSA1 Биполярный транзистор IGBT, 1600 В, 30 А, 310 Вт

Производитель:

Infineon Technologies

Макс. напр. коллектор-эмиттер:

1600V

Макс. ток коллектора:

30A

Макс. рассеиваемая мощность:

310W

Наличие:

33 шт

Под заказ:

0 шт

Цена от:

от 1 288,47₽