IGW40T120FKSA1, Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 75 А, 270 Вт

Изображения служат только для ознакомления. См. документацию товара

IGBT Chip N-CH 1200V 75A 270 W

Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 75 А, 270 Вт

IGW40T120FKSA1_ pdf, 301,4 кБ

Код товара: 202752

Дата обновления: 20.04.2024 08:10

Цена от: 733,40 руб.

Цена и наличие
Сроки доставки

Доставка IGW40T120FKSA1 , Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 75 А, 270 Вт в город Калининград

Boxberry

от 9 раб. дней

от 761 ₽

DPD РФ

от 7 раб. дней

от 670 ₽

Деловые линии

от 10 раб. дней

от 1586 ₽

Почта РФ

от 15 раб. дней

от 290 ₽

EMS

от 4 раб. дней

от 1363 ₽

СДЭК

от 4 раб. дней

от 724 ₽

* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.

Технические параметры

Корпус

TO-247
Тип упаковки

Tube (туба)
Нормоупаковка

30 шт
Вес брутто

8.5 г.
Макс. напр. коллектор-эмиттер

1200V
Макс. ток коллектора

75A
Макс. рассеиваемая мощность

270W

Описание IGW40T120FKSA1

Infineon TrenchStop IGBT Transistors, 1100 to 1600V
A range of IGBT Transistors from Infineon with collector-emitter voltage ratings of 1100 to 1600V featuring TrenchStop™ technology. The range includes devices with an integrated high speed, fast recovery anti-parallel diode.

Технология/семейство	trench and fieldstop
Наличие встроенного диода	нет
Максимальное напряжение КЭ ,В	1200
Максимальный ток КЭ при 25°C, A	75
Импульсный ток коллектора (Icm), А	105
Напряжение насыщения при номинальном токе, В	2.3
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт	270
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс	48
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс	480
Рабочая температура (Tj), °C	-40…+150
Корпус	pg-to-247-3
Структура	n-канал
Управляющее напряжение,В	5.8
Крутизна характеристики, S	21
Вес, г	7.5

Рекламодатель:
ООО ТД «Промэлектроника»
erid: Kra23ThKf

← HGTP12N60C3D IGW75N60TFKSA1 →