IGW40T120FKSA1, Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 75 А, 270 Вт
Изображения служат только для ознакомления
Наименование:
IGW40T120FKSA1
Производитель:
Описание Eng:
IGBT Chip N-CH 1200V 75A 270 W
Тип упаковки:
Tube (туба)
Нормоупаковка:
30 шт
Корпус:
TO-247
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
1200V
Макс. ток коллектора:
75A
Макс. рассеиваемая мощность:
270W
Цена от:
738,39 руб.
Оптовый склад «Промэлектроника»
-
1+ 3+ 6+ 11+ 21+892,89 ₽ 839,98 ₽ 797,99 ₽ 763,78 ₽ 738,39 ₽Срок:В наличииНаличие:8Минимум:1Количество в заказ
Количество:
Стоимость:
Технические параметры
Описание IGW40T120FKSA1
Infineon TrenchStop IGBT Transistors, 1100 to 1600V
A range of IGBT Transistors from Infineon with collector-emitter voltage ratings of 1100 to 1600V featuring TrenchStop™ technology. The range includes devices with an integrated high speed, fast recovery anti-parallel diode.
| Технология/семейство | trench and fieldstop |
| Наличие встроенного диода | нет |
| Максимальное напряжение КЭ ,В | 1200 |
| Максимальный ток КЭ при 25°C, A | 75 |
| Импульсный ток коллектора (Icm), А | 105 |
| Напряжение насыщения при номинальном токе, В | 2.3 |
| Максимальная рассеиваемая мощность, Вт | 270 |
| Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс | 48 |
| Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс | 480 |
| Рабочая температура (Tj), °C | -40…+150 |
| Корпус | pg-to-247-3 |
| Структура | n-канал |
| Управляющее напряжение,В | 5.8 |
| Крутизна характеристики, S | 21 |
| Вес, г | 7.5 |
Документы и сертификаты
Документация и Datasheet
Способы доставки в Екатеринбург
Доставка IGW40T120FKSA1 , Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 75 А, 270 Вт
в город Екатеринбург
Самовывоз из Екатеринбурга
от 1 раб. дня
Бесплатно
DPD РФ
от 1 раб. дня
от 264 ₽
Деловые линии
от 2 раб. дней
от 2145 ₽
EMS
от 1 раб. дня
от 620 ₽
Почта России
от 1 раб. дня
от 319 ₽
СДЭК
от 2 раб. дней
от 171 ₽
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.
Сообщите мне о поступлении товара