IGW40T120FKSA1, Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 75 А, 270 Вт

*Изображения служат только для ознакомления. См. DataSheet продукта

Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 75 А, 270 Вт
Код товара: 202752
Дата обновления: 18.09.2021 08:10
Цена от: 255,36 руб.
Адрес доставки
Для расчета срока и стоимости доставки, пожалуйста, выберите страну/регион/населенный пункт.
Доставка IGW40T120FKSA1, Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 75 А, 270 Вт в Екатеринбург

Технические параметры

  • Корпус
    TO-247
  • Тип упаковки
    Tube (туба)
  • Нормоупаковка
    30 шт.
  • Вес брутто
    8.5 г.
  • Макс. напр. коллектор-эмиттер
  • Макс. ток коллектора
    75A
  • Макс. рассеиваемая мощность

Описание IGW40T120FKSA1

Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 75 А, 270 Вт

Infineon TrenchStop IGBT Transistors, 1100 to 1600V
A range of IGBT Transistors from Infineon with collector-emitter voltage ratings of 1100 to 1600V featuring TrenchStop™ technology. The range includes devices with an integrated high speed, fast recovery anti-parallel diode.

Технология/семействоtrench and fieldstop
Наличие встроенного диоданет
Максимальное напряжение КЭ ,В1200
Максимальный ток КЭ при 25°C, A75
Импульсный ток коллектора (Icm), А105
Напряжение насыщения при номинальном токе, В2.3
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт270
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс48
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс480
Рабочая температура (Tj), °C-40…+150
Корпусpg-to-247-3
Структураn-канал
Управляющее напряжение,В5.8
Крутизна характеристики, S21
Вес, г7.5