STGW80H65DFB, Биполярный транзистор IGBT, 650 В, 120 А, 469Вт
Изображения служат только для ознакомления
Наименование:
STGW80H65DFB
Описание Eng:
IGBT Chip N-CH 650V 120A
Тип упаковки:
Tube (туба)
В упаковке:
30 шт
Корпус:
TO-247
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
650 В
Макс. ток коллектора:
120 А
Импульсный ток коллектора макс.:
240 А
Макс. рассеиваемая мощность:
469 Вт
Переключаемая энергия:
2.1 мДж
Есть технические вопросы по товару или производителю? Задайте их нашему инженеру.
Телеграм MAX Заказать бесплатный образецЦена от:
374,56 руб.
Оптовый склад «Промэлектроника»
-
1+ 6+ 11+ 21+ 60+462,44 ₽ 432,35 ₽ 408,47 ₽ 389,01 ₽ 374,56 ₽Срок:В наличииНаличие:68Минимум:1Количество в заказ
Количество:
Стоимость:
Технические параметры
Описание STGW80H65DFB
Биполярный транзистор IGBT, 650 В, 120 А, 469Вт
Документы и сертификаты
Документация и Datasheet
Разрешительная документация
Товар не подлежит обязательной сертификации и декларированию.
Способы доставки в Екатеринбург
Доставка STGW80H65DFB , Биполярный транзистор IGBT, 650 В, 120 А, 469Вт
в город Екатеринбург
Самовывоз из Екатеринбурга
от 1 раб. дня
Бесплатно
DPD РФ
от 1 раб. дня
от 233 ₽
Деловые линии
от 2 раб. дней
от 2392 ₽
EMS
от 1 раб. дня
от 620 ₽
Почта России
от 1 раб. дня
от 319 ₽
СДЭК
от 2 раб. дней
от 171 ₽
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.
Сообщите мне о поступлении товара