8 800 1000 321 - контакт центр
  • STGW80H65DFB

* Изображения служат только для ознакомления См. DataSheet продукта

Производитель
ST Microelectronics

Описание

IGBT Chip N-CH 650V 120A

Биполярный транзистор IGBT, 650 В, 120 А

Документация

DataSheet
Код товара: 158989
Дата обновления: 19.06.2018 17:00
СкладЦенаНаличиеСрокКратностьМинимумКоличество
Промэлектроника
от 30 шт: 289.250 руб.
от 18 шт: 300.070 руб.
от 9 шт: 315.360 руб.
от 5 шт: 341.440 руб.
от 1 шт: 367.530 руб.
30 шт 1 день1 шт.1 шт.
Количество:
Стоимость:

Технические параметры

Корпус
TO-247-3
Нормоупаковка
30 шт.
Тип упаковки
Tube (туба)
Вес нетто
8.5 г
Макс. напр. коллектор-эмиттер
650 В
Макс. ток коллектора
120 А
Импульсный ток коллектора макс.
240 А
Напр. насыщения К-Э макс.
2 В
Макс. рассеиваемая мощность
469 Вт
Переключаемая энергия
2.1 мДж
Заряд затвора
414 нКл
Время задержки вкл./выкл.
84 нс/280 нс
Время обратного восстановления
85 нс

Наличие в магазинах

Колмогорова, 70
0 шт.
Интернет-магазин
30 шт.

Поделиться:
сообщение об ошибке