to3p

Фильтр
  • Спецпредложения
  • Новинки
to3p (237)
FDA24N50 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 500В 24A
Производитель:
ON Semiconductor
Напряжение сток-исток макс.:
500В
Ток стока макс.:
24A
Сопротивление открытого канала:
190 мОм
Мощность макс.:
270Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
85нКл
Входная емкость:
4150пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
78 шт

Под заказ:
417 шт
Цена от:
от 333,84
FCA22N60N Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 22A
Производитель:
ON Semiconductor
Напряжение сток-исток макс.:
600В
Ток стока макс.:
22A
Сопротивление открытого канала:
165 мОм
Мощность макс.:
205Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
45нКл
Входная емкость:
1950пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
0 шт

Под заказ:
4 шт
Цена от:
от 1 398,78
TK31J60W,S1VE(S TO-3P(N) MOSFETs ROHS
Производитель:
Toshiba Semiconductor
Наличие:
0 шт

Под заказ:
550 шт
Цена от:
от 214,35
CRG40T60AN3H IGBT 600V 40A 280W Through Hole TO-3PN
Производитель:
Wuxi China Resources Huajing Microelectronics
Наличие:
0 шт

Под заказ:
2 325 шт
Цена от:
от 96,24
2SA1943-O(Q) TRANS PNP 230V 15A TO-3PL
Производитель:
Toshiba Semiconductor
Наличие:
0 шт

Под заказ:
200 шт
Цена от:
от 519,62
STFW4N150 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 1500В 4А 63Вт
Производитель:
ST Microelectronics
Напряжение сток-исток макс.:
1500В
Ток стока макс.:
4A
Сопротивление открытого канала:
7 Ом
Мощность макс.:
63Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
50нКл
Входная емкость:
1300пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
552 шт

Под заказ:
1 052 шт
Цена от:
от 134,40
FQAF13N80 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 800В 8А 120Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Напряжение сток-исток макс.:
800В
Ток стока макс.:
8A
Сопротивление открытого канала:
750 мОм
Мощность макс.:
120Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
88нКл
Входная емкость:
3500пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
0 шт

Под заказ:
300 шт
Цена от:
от 349,38
STFW69N65M5 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 650В 58A
Производитель:
ST Microelectronics
Напряжение сток-исток макс.:
650В
Ток стока макс.:
58A
Сопротивление открытого канала:
45 мОм
Мощность макс.:
79Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
143нКл
Входная емкость:
6420пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
0 шт

Под заказ:
90 шт
Цена от:
от 1 395,87
BTA41-800BQ Симистор 800В 40А 50мА 4Q
Производитель:
WeEn Semiconductors
Наличие:
1 151 шт

Под заказ:
510 шт
Цена от:
от 167,37
BTA41-600BQ Симистор 600В 41А 50мА 4Q
Производитель:
WeEn Semiconductors
Наличие:
882 шт

Под заказ:
540 шт
Цена от:
от 128,15
2SK1317-E Транзистор полевой MOSFET N-канальный 1.5KВ 2.5А
Производитель:
RENESAS Electronics Corp.
Напряжение сток-исток макс.:
1500В
Ток стока макс.:
2.5A
Сопротивление открытого канала:
12 Ом
Мощность макс.:
100Вт
Тип транзистора:
N-канал
Входная емкость:
990пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
4 891 шт

Под заказ:
977 шт
Цена от:
от 99,79
2SK3878 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 900В 9А 150Вт (рекомендуемая замена: TK9J90E)
Производитель:
Toshiba Semiconductor
Напряжение сток-исток макс.:
900В
Ток стока макс.:
9A
Мощность макс.:
150Вт
Тип транзистора:
N-канал
Наличие:
1 419 шт

Под заказ:
15 шт
Цена от:
от 120,14
KTD1047 Y-U/P Биполярный транзистор, NPN, 160 В, 12 А, 100 Вт, (Комплементарная пара KTB817)
Производитель:
Korea Electronics
Тип транзистора:
NPN
Напряжение КЭ Макс.:
160 В
Ток коллектора Макс.:
12 А
Мощность Макс.:
100 Вт
Наличие:
300 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 64,24
KTB817-Y-U/P Биполярный транзистор, PNP, 160 В, 12 А, 100 Вт, (Комплементарная пара KTD1047)
Производитель:
Korea Electronics
Тип транзистора:
PNP
Напряжение КЭ Макс.:
160 В
Ток коллектора Макс.:
12 А
Мощность Макс.:
100 Вт
Наличие:
297 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 56,47
2SA2151A+2SC6011A (пара) Биполярный транзистор, PNP, 200 В, 15 А, 160 Вт, (Комплементарная пара 2SC6011)
Производитель:
Sanken Semiconductors
Наличие:
126 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 353,74