STFW4N150, Транзистор полевой N-канальный 1500В 4А 63Вт
Изображения служат только для ознакомления. См. документацию товара
MOSFET N-CH 1500V 4A TO3PF
Транзистор полевой N-канальный 1500В 4А 63Вт
Транзистор полевой N-канальный 1500В 4А 63Вт
Производитель:
ST Microelectronics
Артикул:
STFW4N150
Документы:
Технические параметры
-
КорпусTO-3PF
-
Тип упаковкиTube (туба)
-
Нормоупаковка30 шт
-
Вес брутто7.34 г.
-
Напряжение исток-сток макс.
-
Ток стока макс.
-
Сопротивление открытого канала
-
Мощность макс.
-
Тип транзистора
-
Пороговое напряжение включения макс.
-
Заряд затвора
-
Входная емкость
-
Тип монтажа
Описание STFW4N150
The STFW4N150 is a 1500V N-channel Power MOSFET developed using the well consolidated high voltage MESH OVERLAY™ process. The strengthened layout coupled with the proprietary edge termination structure gives the lowest RDS (on) per area, unrivalled gate charge and switching characteristics. Improved gate charge and lower power dissipation to meet today's challenging efficiency requirements.
• 100% Avalanche tested
• Intrinsic capacitances and Qg minimized
• High speed switching
• High peak power
• High ruggedness capability
| Структура | n-канал |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 1500 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 4 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±30 |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 7 ом при 2a, 10в |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 63 |
| Крутизна характеристики, S | 3.5 |
| Корпус | to3pf |
| Пороговое напряжение на затворе | 3…5 |
| Вес, г | 7.5 |
Сообщите мне о поступлении товара