Одиночные биполярные транзисторы

₆₃₃

Тип монтажа: Сквозной

Фильтр

Сортировать по:

Рекомендуем

Наименование

В продаже

Цена

Одиночные биполярные транзисторы (633)

MJ15022G Биполярный транзистор, NPN, 200 В, 16 А

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

TO-3

Тип транзистора:

NPN

Напряжение КЭ Макс.:

200 В

Ток коллектора Макс.:

16 А

Мощность Макс.:

250 Вт

Коэффициент усиления hFE:

Тип монтажа:

Сквозной

Граничная частота:

4 МГц

Связаться с инженером по применению

MJ15023G Биполярный транзистор, PNP, 200 В, 16 А, 250Вт

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

TO-3

Тип транзистора:

PNP

Напряжение КЭ Макс.:

200 В

Ток коллектора Макс.:

16 А

Мощность Макс.:

250 Вт

Коэффициент усиления hFE:

Тип монтажа:

Сквозной

Граничная частота:

4 МГц

Связаться с инженером по применению

MJ21194G Биполярный транзистор, NPN, 250 В, 16 А, 250 Вт

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

TO-3

Тип транзистора:

NPN

Напряжение КЭ Макс.:

250 В

Ток коллектора Макс.:

16 А

Мощность Макс.:

250 Вт

Коэффициент усиления hFE:

Тип монтажа:

Сквозной

Граничная частота:

4 МГц

Связаться с инженером по применению

MJ21196G Биполярный транзистор, NPN, 250 В, 16 А, 250 Вт

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

TO-3

Тип транзистора:

NPN

Напряжение КЭ Макс.:

250 В

Ток коллектора Макс.:

16 А

Мощность Макс.:

250 Вт

Коэффициент усиления hFE:

Тип монтажа:

Сквозной

Граничная частота:

4 МГц

Связаться с инженером по применению

MJ2955G Биполярный транзистор, PNP, 60 В, 15 А

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

TO-3

Тип транзистора:

PNP

Напряжение КЭ Макс.:

60 В

Ток коллектора Макс.:

15 А

Мощность Макс.:

115 Вт

Коэффициент усиления hFE:

Тип монтажа:

Сквозной

Граничная частота:

2.5 МГц

Связаться с инженером по применению

MJ4502G Биполярный транзистор, PNP, 100 В, 30 А

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

TO-3

Тип транзистора:

PNP

Напряжение КЭ Макс.:

100 В

Ток коллектора Макс.:

30 А

Мощность Макс.:

200 Вт

Коэффициент усиления hFE:

Тип монтажа:

Сквозной

Граничная частота:

2 МГц

Связаться с инженером по применению

MJ802G Биполярный транзистор, NPN, 90 В, 30 А, 200W

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

TO-3

Тип транзистора:

NPN

Напряжение КЭ Макс.:

90 В

Ток коллектора Макс.:

30 А

Мощность Макс.:

200 Вт

Коэффициент усиления hFE:

Тип монтажа:

Сквозной

Граничная частота:

2 МГц

Связаться с инженером по применению

MJD253-1G Биполярный транзистор, PNP, 100 В, 4 А

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

TO-251

Тип транзистора:

PNP

Напряжение КЭ Макс.:

100 В

Ток коллектора Макс.:

4 А

Мощность Макс.:

1.4 Вт

Коэффициент усиления hFE:

Тип монтажа:

Сквозной

Граничная частота:

40 МГц

Связаться с инженером по применению

MJD45H11-1G Биполярный транзистор, PNP, 80 В, 8 А

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

TO-251

Тип транзистора:

PNP

Напряжение КЭ Макс.:

80 В

Ток коллектора Макс.:

8 А

Мощность Макс.:

1.75 Вт

Коэффициент усиления hFE:

Тип монтажа:

Сквозной

Граничная частота:

90 МГц

Связаться с инженером по применению

MJE13007 Биполярный транзистор, NPN, 400 В, 8 А

Производитель:

Hottech Co. Ltd

Корпус:

TO-220AB

Тип транзистора:

NPN

Напряжение КЭ Макс.:

400 В

Ток коллектора Макс.:

8 А

Мощность Макс.:

80 Вт

Коэффициент усиления hFE:

5 @ 5A, 5V

Тип монтажа:

Сквозной

Граничная частота:

14 МГц

Связаться с инженером по применению

MJE13007G Биполярный транзистор, NPN, 400 В, 8 А, 80 Вт

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

TO-220AB

Тип транзистора:

NPN

Напряжение КЭ Макс.:

400 В

Ток коллектора Макс.:

8 А

Мощность Макс.:

80 Вт

Коэффициент усиления hFE:

Тип монтажа:

Сквозной

Граничная частота:

14 МГц

Связаться с инженером по применению

Акция

MJE15028G Биполярный транзистор, NPN, 120 В, 8 А, 50W

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

TO-220AB

Тип транзистора:

NPN

Напряжение КЭ Макс.:

120 В

Ток коллектора Макс.:

8 А

Мощность Макс.:

50 Вт

Коэффициент усиления hFE:

Тип монтажа:

Сквозной

Граничная частота:

30 МГц

Связаться с инженером по применению

MJE15029G Биполярный транзистор, PNP, 120 В, 8 А, 50W

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

TO-220AB

Тип транзистора:

PNP

Напряжение КЭ Макс.:

120 В

Ток коллектора Макс.:

8 А

Мощность Макс.:

50 Вт

Коэффициент усиления hFE:

Тип монтажа:

Сквозной

Граничная частота:

30 МГц

Связаться с инженером по применению

MJE15031G Биполярный транзистор, PNP, 150 В, 8 А, 50Вт

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

TO-220AB

Тип транзистора:

PNP

Напряжение КЭ Макс.:

150 В

Ток коллектора Макс.:

8 А

Мощность Макс.:

50 Вт

Коэффициент усиления hFE:

Тип монтажа:

Сквозной

Граничная частота:

30 МГц

Связаться с инженером по применению

MJE15032G Биполярный транзистор, NPN, 250 В, 8 А, 50 Вт

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

TO-220AB

Тип транзистора:

NPN

Напряжение КЭ Макс.:

250 В

Ток коллектора Макс.:

8 А

Мощность Макс.:

2 Вт

Коэффициент усиления hFE:

Тип монтажа:

Сквозной

Граничная частота:

30 МГц

Связаться с инженером по применению

MJE172G Биполярный транзистор, PNP, 80 В, 3 А

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

TO-225AA

Тип транзистора:

PNP

Напряжение КЭ Макс.:

80 В

Ток коллектора Макс.:

3 А

Мощность Макс.:

1.5 Вт

Коэффициент усиления hFE:

Тип монтажа:

Сквозной

Граничная частота:

50 МГц

Связаться с инженером по применению

MJE18004G Биполярный транзистор, NPN, 450 В, 5 А

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

TO-220AB

Тип транзистора:

NPN

Напряжение КЭ Макс.:

450 В

Ток коллектора Макс.:

5 А

Мощность Макс.:

75 Вт

Коэффициент усиления hFE:

Тип монтажа:

Сквозной

Граничная частота:

13 МГц

Связаться с инженером по применению

MJE18008G Биполярный транзистор, NPN, 450 В, 8 А

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

TO-220AB

Тип транзистора:

NPN

Напряжение КЭ Макс.:

450 В

Ток коллектора Макс.:

8 А

Мощность Макс.:

125 Вт

Коэффициент усиления hFE:

Тип монтажа:

Сквозной

Граничная частота:

13 МГц

Связаться с инженером по применению

MJE182G Биполярный транзистор, NPN, 80 В, 3 А

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

TO-225AA

Тип транзистора:

NPN

Напряжение КЭ Макс.:

80 В

Ток коллектора Макс.:

3 А

Мощность Макс.:

1.5 Вт

Коэффициент усиления hFE:

Тип монтажа:

Сквозной

Граничная частота:

50 МГц

Связаться с инженером по применению

MJE200G Биполярный транзистор, NPN, 40 В, 5 А

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

TO-225AA

Тип транзистора:

NPN

Напряжение КЭ Макс.:

40 В

Ток коллектора Макс.:

5 А

Мощность Макс.:

15 Вт

Коэффициент усиления hFE:

Тип монтажа:

Сквозной

Граничная частота:

65 МГц

Связаться с инженером по применению

Биполярный транзистор – электронный триодный (т.е. имеющий три вывода) полупроводниковый прибор, состоящий из двух p-n переходов между областями эмиттера, базы и коллектора. Биполярный транзистор управляется током, подаваемым на базу. Применяется для усиления электрического сигнала, а также в ряде схем: электронные ключи, ДТЛ-логика, ТТЛ-логика, операционные усилители и т.д.

В интернет-магазине «Промэлектроника» Вы можете купить по низкой цене биполярные транзисторы от отечественных и мировых производителей: Fujitsu, NXP / Philips, Panasonic, RENESAS, Samsung, WeEn, Интеграл, Кремний, ФЗМТ и др. Для заказа доступны биполярные транзисторы различных конфигураций: NPN, PNP, однопереходные с N-базой, транзисторы Дарлингтона и др. В нашем каталоге есть биполярные транзисторы под любую задачу.

Заказать биполярные транзисторы оптом или в розницу легко прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные биполярные транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные биполярные транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные биполярные транзисторы - от 0.35672 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные биполярные транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные биполярные транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"

Дополнительная информация

Биполярные транзисторы. Принцип работы и применение