Одиночные биполярные транзисторы ON Semiconductor

1228
Производитель: ON Semiconductor
Фильтр
Производители
Корпус
Тип транзистора
Напряжение КЭ Макс.
Ток коллектора Макс.
Мощность Макс.
Коэффициент усиления hFE
Граничная частота
Тип монтажа
Одиночные биполярные транзисторы (1228)
MMBT3904LT1G MMBT3904LT1G Биполярный транзистор, NPN, 40 В, 0.2 А, 0.35 Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT-23
Тип транзистора:
NPN
Напряжение КЭ Макс.:
40 В
Ток коллектора Макс.:
200 мА
Мощность Макс.:
300 мВт
Коэффициент усиления hFE:
100
Тип монтажа:
Поверхностный
Граничная частота:
300 МГц
Наличие:
80 270 шт

Внешние склады:
10 000 шт
Аналоги:
363 858 шт
Цена от:
от 0,98
Акция
BC856BWT1G BC856BWT1G Биполярный транзистор, PNP, 65 В, 0.1 А, 0.15Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT-323
Тип транзистора:
PNP
Напряжение КЭ Макс.:
65 В
Ток коллектора Макс.:
100 мА
Мощность Макс.:
150 мВт
Коэффициент усиления hFE:
220
Тип монтажа:
Поверхностный
Граничная частота:
100 МГц
Наличие:
72 063 шт

Внешние склады:
44 564 шт
Аналоги:
425 794 шт
Цена от:
от 1,57
BC847BLT1G BC847BLT1G Биполярный транзистор, NPN, 45 В, 0.1 А, 0.225 Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT-23
Тип транзистора:
NPN
Напряжение КЭ Макс.:
45 В
Ток коллектора Макс.:
100 мА
Мощность Макс.:
300 мВт
Коэффициент усиления hFE:
200
Тип монтажа:
Поверхностный
Граничная частота:
100 МГц
Наличие:
69 765 шт

Внешние склады:
6 000 шт
Аналоги:
767 715 шт
Цена от:
от 1,64
MMBT3906LT1G MMBT3906LT1G Биполярный транзистор, PNP, 40 В, 0.1 А, 0.35 Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT-23
Тип транзистора:
PNP
Напряжение КЭ Макс.:
40 В
Ток коллектора Макс.:
200 мА
Мощность Макс.:
300 мВт
Коэффициент усиления hFE:
100
Тип монтажа:
Поверхностный
Граничная частота:
250 МГц
Наличие:
55 377 шт

Внешние склады:
6 000 шт
Аналоги:
739 638 шт
Цена от:
от 1,02
BC857CLT1G BC857CLT1G Биполярный транзистор, PNP, 45 В, 0.1 А, 0.225 Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT-23
Тип транзистора:
PNP
Напряжение КЭ Макс.:
45 В
Ток коллектора Макс.:
100 мА
Мощность Макс.:
300 мВт
Коэффициент усиления hFE:
420
Тип монтажа:
Поверхностный
Граничная частота:
100 МГц
Наличие:
48 314 шт

Внешние склады:
0 шт
Аналоги:
392 037 шт
Цена от:
от 1,75
BC856BLT1G BC856BLT1G Биполярный транзистор, PNP, 65 В, 0.1 А, 0.225 Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT-23
Тип транзистора:
PNP
Напряжение КЭ Макс.:
65 В
Ток коллектора Макс.:
100 мА
Мощность Макс.:
300 мВт
Коэффициент усиления hFE:
220
Тип монтажа:
Поверхностный
Граничная частота:
100 МГц
Наличие:
45 045 шт

Внешние склады:
10 600 шт
Аналоги:
55 081 шт
Цена от:
от 1,03
MMBT2222ALT1G MMBT2222ALT1G Биполярный транзистор, NPN, 40 В, 0.6 А, 0.225 Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT-23
Тип транзистора:
NPN
Напряжение КЭ Макс.:
40 В
Ток коллектора Макс.:
600 мА
Мощность Макс.:
300 мВт
Коэффициент усиления hFE:
100
Тип монтажа:
Поверхностный
Граничная частота:
300 МГц
Наличие:
42 229 шт

Внешние склады:
1 000 шт
Аналоги:
66 195 шт
Цена от:
от 1,23
BC847CLT1G BC847CLT1G Биполярный транзистор, NPN, 45 В, 0.1 А, 0.225 Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT-23
Тип транзистора:
NPN
Напряжение КЭ Макс.:
45 В
Ток коллектора Макс.:
100 мА
Мощность Макс.:
300 мВт
Коэффициент усиления hFE:
420
Тип монтажа:
Поверхностный
Граничная частота:
100 МГц
Наличие:
37 503 шт

Внешние склады:
236 608 шт
Аналоги:
1 222 577 шт
Цена от:
от 1,12
MMBTA92LT1G MMBTA92LT1G Биполярный транзистор, PNP, 300 В, 0.5 А, 0.25 Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT-23
Тип транзистора:
PNP
Напряжение КЭ Макс.:
300 В
Ток коллектора Макс.:
500 мА
Мощность Макс.:
300 мВт
Коэффициент усиления hFE:
25
Тип монтажа:
Поверхностный
Граничная частота:
50 МГц
Наличие:
36 047 шт

Внешние склады:
4 100 шт
Аналоги:
257 756 шт
Цена от:
от 2,03
Акция
BC846BWT1G BC846BWT1G Биполярный транзистор, NPN, 65 В, 0.1 А, 0.15W
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT-323
Тип транзистора:
NPN
Напряжение КЭ Макс.:
65 В
Ток коллектора Макс.:
100 мА
Мощность Макс.:
150 мВт
Коэффициент усиления hFE:
200
Тип монтажа:
Поверхностный
Граничная частота:
100 МГц
Наличие:
35 634 шт

Внешние склады:
0 шт
Аналоги:
702 906 шт
Цена от:
от 1,42
Акция
MMBT2907ALT1G MMBT2907ALT1G Биполярный транзистор, PNP, 60 В, 0.6 А, 0.225Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT-23
Тип транзистора:
PNP
Напряжение КЭ Макс.:
60 В
Ток коллектора Макс.:
600 мА
Мощность Макс.:
300 мВт
Коэффициент усиления hFE:
100
Тип монтажа:
Поверхностный
Граничная частота:
200 МГц
Наличие:
34 440 шт

Внешние склады:
88 085 шт
Аналоги:
654 507 шт
Цена от:
от 1,46
BC846BLT1G BC846BLT1G Биполярный транзистор, NPN, 65 В, 0.1 А, 0.225 Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT-23
Тип транзистора:
NPN
Напряжение КЭ Макс.:
65 В
Ток коллектора Макс.:
100 мА
Мощность Макс.:
300 мВт
Коэффициент усиления hFE:
200
Тип монтажа:
Поверхностный
Граничная частота:
100 МГц
Наличие:
31 439 шт

Внешние склады:
87 500 шт
Аналоги:
314 062 шт
Цена от:
от 1,82
Акция
BC847CWT1G BC847CWT1G Биполярный транзистор, NPN, 45 В, 0.1 А, 0.15Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT-323
Тип транзистора:
NPN
Напряжение КЭ Макс.:
45 В
Ток коллектора Макс.:
100 мА
Мощность Макс.:
150 мВт
Коэффициент усиления hFE:
420
Тип монтажа:
Поверхностный
Граничная частота:
100 МГц
Наличие:
30 958 шт

Внешние склады:
0 шт
Аналоги:
449 749 шт
Цена от:
от 1,06
MMBTA42LT1G MMBTA42LT1G Биполярный транзистор, NPN, 300 В, 0.5 А, 0.35 Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT23-3
Тип транзистора:
NPN
Напряжение КЭ Макс.:
300 В
Ток коллектора Макс.:
500 мА
Мощность Макс.:
225 мВт
Коэффициент усиления hFE:
40
Тип монтажа:
Поверхностный
Граничная частота:
50 МГц
Наличие:
23 462 шт

Внешние склады:
30 500 шт
Аналоги:
147 907 шт
Цена от:
от 2,37
BC856ALT1G BC856ALT1G Биполярный транзистор, PNP, 65 В, 0.1 А, 0.225Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT-23
Тип транзистора:
PNP
Напряжение КЭ Макс.:
65 В
Ток коллектора Макс.:
100 мА
Мощность Макс.:
300 мВт
Коэффициент усиления hFE:
125
Тип монтажа:
Поверхностный
Граничная частота:
100 МГц
Наличие:
22 660 шт

Внешние склады:
0 шт
Аналоги:
9 223 шт
Цена от:
от 2,06
BCP56-16T1G BCP56-16T1G Биполярный транзистор, NPN, 80 В, 1 А, 1.3 Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT-223
Тип транзистора:
NPN
Напряжение КЭ Макс.:
80 В
Ток коллектора Макс.:
1 А
Мощность Макс.:
1.5 Вт
Коэффициент усиления hFE:
100
Тип монтажа:
Поверхностный
Граничная частота:
130 МГц
Наличие:
21 134 шт

Внешние склады:
1 100 шт
Аналоги:
287 375 шт
Цена от:
от 12,94
BC817-16LT1G BC817-16LT1G Биполярный транзистор, NPN, 45 В, 0.5 А, 0.3 Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT-23
Тип транзистора:
NPN
Напряжение КЭ Макс.:
45 В
Ток коллектора Макс.:
500 мА
Мощность Макс.:
300 мВт
Коэффициент усиления hFE:
100
Тип монтажа:
Поверхностный
Граничная частота:
100 МГц
Наличие:
19 195 шт

Внешние склады:
2 000 шт
Аналоги:
1 106 815 шт
Цена от:
от 1,94
MMBT5551LT1G MMBT5551LT1G Биполярный транзистор, NPN, 180 В, 0.6 А, 0.225 Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT-23
Тип транзистора:
NPN
Напряжение КЭ Макс.:
160 В
Ток коллектора Макс.:
600 мА
Мощность Макс.:
225 мВт
Коэффициент усиления hFE:
80
Тип монтажа:
Поверхностный
Наличие:
17 688 шт

Внешние склады:
4 000 шт
Аналоги:
101 254 шт
Цена от:
от 2,12
BC817-40LT1G BC817-40LT1G Биполярный транзистор, NPN, 45 В, 0.5 А, 0.225W
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT-23
Тип транзистора:
NPN
Напряжение КЭ Макс.:
45 В
Ток коллектора Макс.:
500 мА
Мощность Макс.:
300 мВт
Коэффициент усиления hFE:
250
Тип монтажа:
Поверхностный
Граничная частота:
100 МГц
Наличие:
17 561 шт

Внешние склады:
11 000 шт
Аналоги:
1 264 802 шт
Цена от:
от 3,27
BSP52T1G BSP52T1G Биполярный транзистор, NPN, составной (Darlington), 80 В, 1 А, 1.25 Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT-223
Тип транзистора:
NPN, составной
Напряжение КЭ Макс.:
80 В
Ток коллектора Макс.:
1 А
Мощность Макс.:
800 мВт
Коэффициент усиления hFE:
2000
Тип монтажа:
Поверхностный
Наличие:
15 799 шт

Внешние склады:
36 825 шт
Аналоги:
3 049 шт
Цена от:
от 16,66
На странице: