Одиночные биполярные транзисторы ON Semiconductor

1228
Производитель: ON Semiconductor
Фильтр
Производители
Корпус
Тип транзистора
Напряжение КЭ Макс.
Ток коллектора Макс.
Мощность Макс.
Коэффициент усиления hFE
Граничная частота
Тип монтажа
Одиночные биполярные транзисторы (1228)
KSD1691YS KSD1691YS Биполярный транзистор, NPN, 60 В, 5 А, 20 Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-126
Тип транзистора:
NPN
Напряжение КЭ Макс.:
60 В
Ток коллектора Макс.:
5 А
Мощность Макс.:
1.3 Вт
Коэффициент усиления hFE:
160
Тип монтажа:
Сквозной
Наличие:
262 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 39,83
KSE340STU KSE340STU Биполярный транзистор, NPN, 300 В, 0.5 А, 20 Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-126F
Тип транзистора:
NPN
Напряжение КЭ Макс.:
300 В
Ток коллектора Макс.:
500 мА
Мощность Макс.:
20 Вт
Коэффициент усиления hFE:
30
Тип монтажа:
Сквозной
Наличие:
215 шт

Внешние склады:
280 шт
Цена от:
от 155,82
KSE350STU KSE350STU Биполярный транзистор, PNP, 300 В, 0.5 А
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-126
Тип транзистора:
PNP
Напряжение КЭ Макс.:
300 В
Ток коллектора Макс.:
500 мА
Мощность Макс.:
20 Вт
Коэффициент усиления hFE:
30
Тип монтажа:
Сквозной
Наличие:
583 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 52,19
Акция
KSP2222ABU KSP2222ABU Биполярный транзистор, NPN, 75 В, 0.8 А, 0.5 Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO92-3
Тип транзистора:
NPN
Напряжение КЭ Макс.:
40 В
Ток коллектора Макс.:
600 мА
Мощность Макс.:
625 мВт
Коэффициент усиления hFE:
100
Тип монтажа:
Сквозной
Граничная частота:
300 МГц
Наличие:
230 шт

Внешние склады:
21 000 шт
Цена от:
от 5,08
KSP2907ATA KSP2907ATA Биполярный транзистор, PNP, 60 В, 0.6 А, 0.625Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO92/formed lead
Тип транзистора:
PNP
Напряжение КЭ Макс.:
60 В
Ток коллектора Макс.:
600 мА
Мощность Макс.:
625 мВт
Коэффициент усиления hFE:
100
Тип монтажа:
Сквозной
Граничная частота:
200 МГц
Наличие:
4 497 шт

Внешние склады:
24 000 шт
Аналоги:
44 000 шт
Цена от:
от 4,42
KSP42TA KSP42TA Биполярный транзистор, NPN, 300 В, 0.5 А, 0.625 Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO92/formed lead
Тип транзистора:
NPN
Напряжение КЭ Макс.:
300 В
Ток коллектора Макс.:
0.5 А
Мощность Макс.:
0.625 Вт
Наличие:
3 760 шт

Внешние склады:
18 000 шт
Аналоги:
20 000 шт
Цена от:
от 5,83
KSP44BU KSP44BU Биполярный транзистор, NPN, 400 В, 0.3 А
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO92-3
Тип транзистора:
NPN
Напряжение КЭ Макс.:
400 В
Ток коллектора Макс.:
300 мА
Мощность Макс.:
625 мВт
Коэффициент усиления hFE:
50
Тип монтажа:
Сквозной
Наличие:
1 740 шт

Внешние склады:
10 000 шт
Аналоги:
24 000 шт
Цена от:
от 10,68
-6% Акция
KSP92 KSP92 Биполярный транзистор, PNP, 300 В, 0.5 А, 0.625 Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO92-3
Тип транзистора:
PNP
Напряжение КЭ Макс.:
300 В
Ток коллектора Макс.:
0.5 А
Мощность Макс.:
625 мВт
Наличие:
343 шт

Внешние склады:
0 шт
Аналоги:
46 060 шт
Цена от:
от 1,67
KSP92TA KSP92TA Биполярный транзистор, PNP, 300 В, 0.5 А, 0.625 Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO92-3
Тип транзистора:
PNP
Напряжение КЭ Макс.:
300 В
Ток коллектора Макс.:
0.5 А
Мощность Макс.:
0.625 Вт
Наличие:
4 060 шт

Внешние склады:
22 000 шт
Аналоги:
20 343 шт
Цена от:
от 4,68
KSP94TA KSP94TA Биполярный транзистор, PNP, 400 В, 0.3 А, 0.625 Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO92/formed lead
Тип транзистора:
PNP
Напряжение КЭ Макс.:
400 В
Ток коллектора Макс.:
300 мА
Мощность Макс.:
625 мВт
Коэффициент усиления hFE:
50
Тип монтажа:
Сквозной
Наличие:
898 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 13,85
MJ15004G MJ15004G Биполярный транзистор, PNP, 140 В, 20 А, 250 Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Тип транзистора:
PNP
Напряжение КЭ Макс.:
140 В
Ток коллектора Макс.:
20 А
Мощность Макс.:
250 Вт
Коэффициент усиления hFE:
25
Тип монтажа:
Сквозной
Граничная частота:
2 МГц
Наличие:
58 шт

Внешние склады:
310 шт
Цена от:
от 520,68
MJ15024G MJ15024G Биполярный транзистор, NPN, 250 В, 16 А, 250 Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-3
Тип транзистора:
NPN
Напряжение КЭ Макс.:
250 В
Ток коллектора Макс.:
16 А
Мощность Макс.:
250 Вт
Коэффициент усиления hFE:
15
Тип монтажа:
Сквозной
Граничная частота:
4 МГц
Наличие:
52 шт

Внешние склады:
493 шт
Цена от:
от 430,92
MJ15025G MJ15025G Биполярный транзистор, PNP, 250 В, 16 А, 250 Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-3
Тип транзистора:
PNP
Напряжение КЭ Макс.:
250 В
Ток коллектора Макс.:
16 А
Мощность Макс.:
250 Вт
Коэффициент усиления hFE:
15
Тип монтажа:
Сквозной
Граничная частота:
4 МГц
Наличие:
48 шт

Внешние склады:
300 шт
Цена от:
от 355,29
-6% Акция
MJ21193G MJ21193G Биполярный транзистор, PNP, 250 В, 16 А, 250 Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-3
Тип транзистора:
PNP
Напряжение КЭ Макс.:
250 В
Ток коллектора Макс.:
16 А
Мощность Макс.:
250 Вт
Коэффициент усиления hFE:
25
Тип монтажа:
Сквозной
Граничная частота:
4 МГц
Наличие:
53 шт

Внешние склады:
210 шт
Цена от:
от 408,96
MJ21195G MJ21195G Биполярный транзистор, PNP, 250 В, 16 А, 250 Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-3
Тип транзистора:
PNP
Напряжение КЭ Макс.:
250 В
Ток коллектора Макс.:
16 А
Мощность Макс.:
250 Вт
Коэффициент усиления hFE:
25
Тип монтажа:
Сквозной
Граничная частота:
4 МГц
Наличие:
57 шт

Внешние склады:
200 шт
Цена от:
от 523,55
Акция
MJB41CT4G MJB41CT4G Биполярный транзистор, NPN, 100 В, 6 А, 65Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
D2Pak (TO-263)
Тип транзистора:
NPN
Напряжение КЭ Макс.:
100 В
Ток коллектора Макс.:
6 А
Мощность Макс.:
2 Вт
Коэффициент усиления hFE:
15
Тип монтажа:
Поверхностный
Граничная частота:
3 МГц
Наличие:
689 шт

Внешние склады:
1 600 шт
Аналоги:
1 500 шт
Цена от:
от 79,62
Акция
MJB44H11G MJB44H11G Биполярный транзистор, NPN, 80 В, 10 А, 50 Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
D2Pak (TO-263)
Тип транзистора:
NPN
Напряжение КЭ Макс.:
80 В
Ток коллектора Макс.:
10 А
Мощность Макс.:
2 Вт
Коэффициент усиления hFE:
40
Тип монтажа:
Поверхностный
Граничная частота:
50 МГц
Наличие:
64 шт

Внешние склады:
1 000 шт
Цена от:
от 89,68
-6% Акция
MJB45H11T4G MJB45H11T4G Биполярный транзистор, PNP, 80 В, 10 А
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
D2Pak (TO-263)
Тип транзистора:
PNP
Напряжение КЭ Макс.:
80 В
Ток коллектора Макс.:
10 А
Мощность Макс.:
2 Вт
Коэффициент усиления hFE:
40
Тип монтажа:
Поверхностный
Граничная частота:
40 МГц
Наличие:
106 шт

Внешние склады:
2 400 шт
Цена от:
от 45,18
MJD112G MJD112G Биполярный транзистор, NPN, составной (Darlington), 100 В, 2 А, 20Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Тип транзистора:
NPN, составной
Напряжение КЭ Макс.:
100 В
Ток коллектора Макс.:
2 А
Мощность Макс.:
1.75 Вт
Коэффициент усиления hFE:
1000
Тип монтажа:
Поверхностный
Граничная частота:
25 МГц
Наличие:
80 шт

Внешние склады:
0 шт
Аналоги:
11 463 шт
Цена от:
от 46,49
MJD112T4G MJD112T4G Биполярный транзистор, NPN, составной (Darlington), 100 В, 2 А
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Тип транзистора:
NPN, составной
Напряжение КЭ Макс.:
100 В
Ток коллектора Макс.:
2 А
Мощность Макс.:
1.75 Вт
Коэффициент усиления hFE:
1000
Тип монтажа:
Поверхностный
Граничная частота:
25 МГц
Наличие:
2 484 шт

Внешние склады:
5 000 шт
Аналоги:
4 059 шт
Цена от:
от 24,23
На странице: