Радиочастотные ВЧ и СВЧ транзисторы NXP / Philips

Фильтр
Фильтр
Корпус
Тип транзистора
Напряжение КЭ Макс.
Ток коллектора Макс.
Мощность Макс.
Граничная частота
Радиочастотные ВЧ и СВЧ транзисторы (45)
BFU768F,115 Биполярный транзистор NPN 2,8В 70мА 220мВт Кус 155-505 45ГГц Производитель: NXP / Philips Корпус: SOT-343R Тип транзистора: NPN Напряжение КЭ Макс.: 2.8 В Ток коллектора Макс.: 70 мА Мощность Макс.: 220 мВт
BFU790F,115 Биполярный транзистор NPN 2,8В 100мА 234мВт Кус 235-585 25ГГц Производитель: NXP / Philips Корпус: DFP4 Тип транзистора: NPN Напряжение КЭ Макс.: 2.8 В Ток коллектора Макс.: 100 мА Мощность Макс.: 234 мВт Граничная частота: 25 ГГц
Акция BLT50,115 Биполярный транзистор NPN 10В 500мА 2Вт Кус не менее 25 470МГц Производитель: NXP / Philips Корпус: SOT-223 Тип транзистора: NPN Напряжение КЭ Макс.: 10 В Ток коллектора Макс.: 500 мА Мощность Макс.: 2 Вт Граничная частота: 470 МГц
BLT81,115 Биполярный транзистор NPN 9б5В 500мА 2Вт Кус не менее 25 900МГц Производитель: NXP / Philips Корпус: SOT-223 Тип транзистора: NPN Напряжение КЭ Макс.: 9.5 В Ток коллектора Макс.: 500 мА Мощность Макс.: 2 Вт Граничная частота: 900 МГц
PBR941,215 Биполярный транзистор NPN 10В 50мА 360мВт Кус 50-200 8ГГц Производитель: NXP / Philips Корпус: SOT23-3 Тип транзистора: NPN Напряжение КЭ Макс.: 10 В Ток коллектора Макс.: 50 мА Мощность Макс.: 360 мВт Граничная частота: 8 ГГц
  • 1
  • 2
  • 3
  • Далее
На странице: