Радиочастотные ВЧ и СВЧ транзисторы NXP / Philips

Фильтр
Фильтр
Корпус
Тип транзистора
Напряжение КЭ Макс.
Ток коллектора Макс.
Мощность Макс.
Граничная частота
Радиочастотные ВЧ и СВЧ транзисторы (45)
BFG35,115 Биполярный транзистор NPN 18В 150мА 1Вт Кус 25-70 4ГГц Производитель: NXP / Philips Корпус: SOT-223 Тип транзистора: NPN Напряжение КЭ Макс.: 18 В Ток коллектора Макс.: 150 мА Мощность Макс.: 1 Вт Граничная частота: 4 ГГц
Акция BFG403W,115 Биполярный транзистор NPN 4,5В 3,6мА 16мВт Кус 50-120 17ГГц Производитель: NXP / Philips Корпус: SOT-343R Тип транзистора: NPN Напряжение КЭ Макс.: 4.5 В Ток коллектора Макс.: 3.6 мА Мощность Макс.: 16 мВт Граничная частота: 17 ГГц
BFG540,215 Биполярный транзистор NPN 15В 120мА 400мВт Кус 100-250 9ГГц Производитель: NXP / Philips Корпус: SOT143-4 Тип транзистора: NPN Напряжение КЭ Макс.: 15 В Ток коллектора Макс.: 120 мА Мощность Макс.: 400 мВт Граничная частота: 9 ГГц
Акция BFG540/X,215 Биполярный транзистор NPN 15В 120мА 400мВт Кус 100-250 9ГГц Производитель: NXP / Philips Корпус: SOT143-4
Акция BFG540/XR,215 Биполярный транзистор NPN 15В 120мА 400мВт Кус 100-250 9ГГц Производитель: NXP / Philips Корпус: SOT-143B
Акция BFG591,115 Биполярный транзистор NPN 15В 200мА 2Вт Кус 60-250 7ГГц Производитель: NXP / Philips Корпус: SOT-223 Тип транзистора: NPN Напряжение КЭ Макс.: 15 В Ток коллектора Макс.: 200 мА Мощность Макс.: 2 Вт Граничная частота: 7 ГГц
BFG67/X,215 Биполярный транзистор NPN 10В 50мА 300мВт Кус 60-100 8ГГц Производитель: NXP / Philips Корпус: SOT143-4 Тип транзистора: NPN Напряжение КЭ Макс.: 10 В Ток коллектора Макс.: 50 мА Мощность Макс.: 380 мВт Граничная частота: 8 ГГц
BFQ18A,115 Биполярный транзистор NPN 18В 150мА 1Вт Кус не менее 25 4ГГц Производитель: NXP / Philips Корпус: SOT-89-3 Тип транзистора: NPN Напряжение КЭ Макс.: 18 В Ток коллектора Макс.: 150 мА Мощность Макс.: 1 Вт Граничная частота: 4 ГГц
BFQ67W Биполярный транзистор NPN 10В 50мА 200мВт Кус 65-150 7,5ГГц Производитель: NXP / Philips Корпус: SOT-323 Тип транзистора: NPN Граничная частота: 8GHz
BFR520,215 Биполярный транзистор NPN 15В 70мА 300мВт Кус 60-250 9ГГц Производитель: NXP / Philips Корпус: SOT23-3 Тип транзистора: NPN Напряжение КЭ Макс.: 15 В Ток коллектора Макс.: 70 мА Мощность Макс.: 300 мВт Граничная частота: 9 ГГц
Акция BFR520T,115 Биполярный транзистор NPN 15В 70мА 150мВт Кус 60-250 9ГГц Производитель: NXP / Philips Корпус: SC-75
BFR540,215 Биполярный транзистор NPN 15В 120мА 500мВт Кус 100-250 9ГГц Производитель: NXP / Philips Корпус: SOT-23 Тип транзистора: NPN Напряжение КЭ Макс.: 15 В Ток коллектора Макс.: 120 мА Мощность Макс.: 500 мВт Граничная частота: 9 ГГц
BFR92A,215 Биполярный транзистор NPN 15В 25мА 300мВт Кус 65-135 5ГГц Производитель: NXP / Philips Корпус: SOT-23 Тип транзистора: NPN Напряжение КЭ Макс.: 15 В Ток коллектора Макс.: 25 мА Мощность Макс.: 300 мВт Граничная частота: 5 ГГц
Наличие:
0 шт

Под заказ:
0 шт
Аналоги:
9 652 шт
Цена от:
от 10,25
BFR93A,215 Биполярный транзистор NPN 12В 35мА 300мВт Кус не менее 40 6ГГц Производитель: NXP / Philips Корпус: SOT-23 Тип транзистора: NPN Напряжение КЭ Макс.: 12 В Ток коллектора Макс.: 35 мА Мощность Макс.: 300 мВт Граничная частота: 6 ГГц
Наличие:
0 шт

Под заказ:
0 шт
Аналоги:
10 194 шт
Цена от:
от 11,27
BFS17,215 Биполярный транзистор NPN 15В 25мА 300мВт Кус не менее 25 1ГГц Производитель: NXP / Philips Корпус: SOT23-3 Тип транзистора: NPN Напряжение КЭ Макс.: 15 В Ток коллектора Макс.: 25 мА Мощность Макс.: 300 мВт Граничная частота: 1 ГГц
BFS17A,215 Биполярный транзистор NPN 15В 25мА 300мВт Кус не менее 25 2,8ГГц Производитель: NXP / Philips Корпус: SOT-23 Тип транзистора: NPN Напряжение КЭ Макс.: 15 В Ток коллектора Макс.: 25 мА Мощность Макс.: 300 мВт Граничная частота: 2.8 ГГц
BFT25,215 Биполярный транзистор NPN 5В 6,5мА 30мВт Кус не менее 20 2,3ГГц Производитель: NXP / Philips Корпус: SOT23-3 Тип транзистора: NPN Напряжение КЭ Макс.: 5 В Ток коллектора Макс.: 6.5 мА Мощность Макс.: 30 мВт Граничная частота: 2.3 ГГц
BFT25A,215 Биполярный транзистор NPN 5В 6,5мА 32мВт Кус 50-200 5ГГц Производитель: NXP / Philips Корпус: SOT23-3 Тип транзистора: NPN Напряжение КЭ Макс.: 5 В Ток коллектора Макс.: 6.5 мА Мощность Макс.: 32 мВт Граничная частота: 5 ГГц
Акция BFT92,215 Биполярный транзистор PNP -15В -25мА 300мВт Кус не менее 20 5ГГц Производитель: NXP / Philips Корпус: SOT23-3 Тип транзистора: PNP Напряжение КЭ Макс.: 15 В Ток коллектора Макс.: 25 мА Мощность Макс.: 300 мВт Граничная частота: 5 ГГц
Акция BFT93,215 Биполярный транзистор PNP -12В -35мА 300мВт Кус не менее 20 5ГГц Производитель: NXP / Philips Корпус: SOT23-3 Тип транзистора: PNP Напряжение КЭ Макс.: 12 В Ток коллектора Макс.: 35 мА Мощность Макс.: 300 мВт Граничная частота: 5 ГГц
На странице: