Радиочастотные ВЧ и СВЧ транзисторы NXP / Philips

48
Производитель: NXP / Philips
Фильтр
Корпус
Тип транзистора
Напряжение КЭ Макс.
Ток коллектора Макс.
Мощность Макс.
Граничная частота
Радиочастотные ВЧ и СВЧ транзисторы (48)
BFG35,115 BFG35,115 Биполярный транзистор NPN 18В 150мА 1Вт Кус 25-70 4ГГц
Производитель:
NXP / Philips
Корпус:
SOT-223
Тип транзистора:
NPN
Напряжение КЭ Макс.:
18 В
Ток коллектора Макс.:
150 мА
Мощность Макс.:
1 Вт
Граничная частота:
4 ГГц
Акция
BFG403W,115 BFG403W,115 Биполярный транзистор NPN 4,5В 3,6мА 16мВт Кус 50-120 17ГГц
Производитель:
NXP / Philips
Корпус:
SOT-343R
Тип транзистора:
NPN
Напряжение КЭ Макс.:
4.5 В
Ток коллектора Макс.:
3.6 мА
Мощность Макс.:
16 мВт
Граничная частота:
17 ГГц
BFG540,215 BFG540,215 Биполярный транзистор NPN 15В 120мА 400мВт Кус 100-250 9ГГц
Производитель:
NXP / Philips
Корпус:
SOT-143B
Тип транзистора:
NPN
Напряжение КЭ Макс.:
15 В
Ток коллектора Макс.:
120 мА
Мощность Макс.:
400 мВт
Граничная частота:
9 ГГц
Акция
BFG540/X,215 BFG540/X,215 Биполярный транзистор NPN 15В 120мА 400мВт Кус 100-250 9ГГц
Производитель:
NXP / Philips
Корпус:
SOT143-4
Акция
BFG540/XR,215 BFG540/XR,215 Биполярный транзистор NPN 15В 120мА 400мВт Кус 100-250 9ГГц
Производитель:
NXP / Philips
Корпус:
SOT-143B
BFG540W/X,115 Биполярный транзистор NPN 15В 120мА 500мВт Кус 100-250 9ГГц
Производитель:
NXP / Philips
Корпус:
SOT-343R
Тип транзистора:
NPN
Напряжение КЭ Макс.:
15 В
Ток коллектора Макс.:
120 мА
Мощность Макс.:
500 мВт
Граничная частота:
9 ГГц
Акция
BFG591,115 BFG591,115 Биполярный транзистор NPN 15В 200мА 2Вт Кус 60-250 7ГГц
Производитель:
NXP / Philips
Корпус:
SOT-223
Тип транзистора:
NPN
Напряжение КЭ Макс.:
15 В
Ток коллектора Макс.:
200 мА
Мощность Макс.:
2 Вт
Граничная частота:
7 ГГц
BFG67/X,215 BFG67/X,215 Биполярный транзистор NPN 10В 50мА 300мВт Кус 60-100 8ГГц
Производитель:
NXP / Philips
Корпус:
SOT143
Тип транзистора:
NPN
Напряжение КЭ Макс.:
10 В
Ток коллектора Макс.:
50 мА
Мощность Макс.:
380 мВт
Граничная частота:
8 ГГц
BFG97,115 BFG97,115 Биполярный транзистор NPN 15В 100мА 1Вт Кус 25-80 5,5ГГц
Производитель:
NXP / Philips
Корпус:
SOT-223
Тип транзистора:
NPN
Напряжение КЭ Макс.:
15 В
Ток коллектора Макс.:
100 мА
Мощность Макс.:
1 Вт
Граничная частота:
5.5 ГГц
BFQ18A,115 BFQ18A,115 Биполярный транзистор NPN 18В 150мА 1Вт Кус не менее 25 4ГГц
Производитель:
NXP / Philips
Корпус:
SOT-89-3
Тип транзистора:
NPN
Напряжение КЭ Макс.:
18 В
Ток коллектора Макс.:
150 мА
Мощность Макс.:
1 Вт
Граничная частота:
4 ГГц
BFQ67W BFQ67W Биполярный транзистор NPN 10В 50мА 200мВт Кус 65-150 7,5ГГц
Производитель:
NXP / Philips
Корпус:
SOT-323
Тип транзистора:
NPN
Граничная частота:
8GHz
BFR520,215 BFR520,215 Биполярный транзистор NPN 15В 70мА 300мВт Кус 60-250 9ГГц
Производитель:
NXP / Philips
Корпус:
SOT-23
Тип транзистора:
NPN
Напряжение КЭ Макс.:
15 В
Ток коллектора Макс.:
70 мА
Мощность Макс.:
300 мВт
Граничная частота:
9 ГГц
Акция
BFR520T,115 BFR520T,115 Биполярный транзистор NPN 15В 70мА 150мВт Кус 60-250 9ГГц
Производитель:
NXP / Philips
Корпус:
SC-75
BFR540,215 BFR540,215 Биполярный транзистор NPN 15В 120мА 500мВт Кус 100-250 9ГГц
Производитель:
NXP / Philips
Корпус:
SOT-23
Тип транзистора:
NPN
Напряжение КЭ Макс.:
15 В
Ток коллектора Макс.:
120 мА
Мощность Макс.:
500 мВт
Граничная частота:
9 ГГц
BFR92A,215 BFR92A,215 Биполярный транзистор NPN 15В 25мА 300мВт Кус 65-135 5ГГц
Производитель:
NXP / Philips
Корпус:
SOT-23
Тип транзистора:
NPN
Напряжение КЭ Макс.:
15 В
Ток коллектора Макс.:
25 мА
Мощность Макс.:
300 мВт
Граничная частота:
5 ГГц
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
0 шт
Аналоги:
19 370 шт
Цена от:
от 7,98
BFR93A,215 BFR93A,215 Биполярный транзистор NPN 12В 35мА 300мВт Кус не менее 40 6ГГц
Производитель:
NXP / Philips
Корпус:
SOT-23
Тип транзистора:
NPN
Напряжение КЭ Макс.:
12 В
Ток коллектора Макс.:
35 мА
Мощность Макс.:
300 мВт
Граничная частота:
6 ГГц
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
0 шт
Аналоги:
29 275 шт
Цена от:
от 8,70
BFS17,215 BFS17,215 Биполярный транзистор NPN 15В 25мА 300мВт Кус не менее 25 1ГГц
Производитель:
NXP / Philips
Корпус:
SOT-23
Тип транзистора:
NPN
Напряжение КЭ Макс.:
15 В
Ток коллектора Макс.:
25 мА
Мощность Макс.:
300 мВт
Граничная частота:
1 ГГц
BFS17A,215 BFS17A,215 Биполярный транзистор NPN 15В 25мА 300мВт Кус не менее 25 2,8ГГц
Производитель:
NXP / Philips
Корпус:
SOT-23
Тип транзистора:
NPN
Напряжение КЭ Макс.:
15 В
Ток коллектора Макс.:
25 мА
Мощность Макс.:
300 мВт
Граничная частота:
2.8 ГГц
BFT25,215 BFT25,215 Биполярный транзистор NPN 5В 6,5мА 30мВт Кус не менее 20 2,3ГГц
Производитель:
NXP / Philips
Корпус:
SOT-23 (TO-236AB)
Тип транзистора:
NPN
Напряжение КЭ Макс.:
5 В
Ток коллектора Макс.:
6.5 мА
Мощность Макс.:
30 мВт
Граничная частота:
2.3 ГГц
BFT25A,215 BFT25A,215 Биполярный транзистор NPN 5В 6,5мА 32мВт Кус 50-200 5ГГц
Производитель:
NXP / Philips
Корпус:
SOT-23 (TO-236AB)
Тип транзистора:
NPN
Напряжение КЭ Макс.:
5 В
Ток коллектора Макс.:
6.5 мА
Мощность Макс.:
32 мВт
Граничная частота:
5 ГГц
На странице: