Радиочастотные ВЧ и СВЧ транзисторы ON Semiconductor

13
Производитель: ON Semiconductor
Фильтр
Корпус
Тип транзистора
Напряжение КЭ Макс.
Ток коллектора Макс.
Мощность Макс.
Граничная частота
Радиочастотные ВЧ и СВЧ транзисторы (13)
BD682STU BD682STU Транзистор биполярный PNP Дарлингтона 100В 4A TO-126
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-126
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
0 шт
Аналоги:
1 358 шт
Цена от:
от 19,27
BF494 BF494 TRANSISTOR RF NPN 20V TO-92
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO92-3
Тип транзистора:
NPN
Напряжение КЭ Макс.:
20V
Ток коллектора Макс.:
30mA
Мощность Макс.:
350mW
KSP10BU KSP10BU Биполярный транзистор NPN 25В 50мА 1Вт Кус не менее 60 не менее 650МГц
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO92-3
Тип транзистора:
NPN
Напряжение КЭ Макс.:
25 В
Мощность Макс.:
350 мВт
Граничная частота:
650 МГц
KST10MTF KST10MTF Биполярный транзистор NPN 25В 50мА 350мВт Кус не менее 60 не менее 650МГц
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT-23-3 (TO-236)
Тип транзистора:
NPN
Напряжение КЭ Макс.:
25 В
Мощность Макс.:
350 мВт
Граничная частота:
650 МГц
MMBT5179 MMBT5179 Биполярный транзистор NPN 12В 50мА 225мВт Кус не менее 25 2ГГц
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT-23-3 (TO-236)
Тип транзистора:
NPN
Напряжение КЭ Макс.:
12 В
Ток коллектора Макс.:
50 мА
Мощность Макс.:
225 мВт
Граничная частота:
2 ГГц
MMBT918 MMBT918 Биполярный транзистор NPN 15В 50мА 225мВт Кус не менее 20 не менее 600МГц
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT23-3
MMBT918LT1G MMBT918LT1G Биполярный транзистор NPN 15В 50мА 225мВт Кус не менее 20 не менее 600МГц
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT-23-3 (TO-236)
Тип транзистора:
NPN
Напряжение КЭ Макс.:
15 В
Ток коллектора Макс.:
50 мА
Мощность Макс.:
225 мВт
Граничная частота:
600 МГц
MMBTH10 MMBTH10 Биполярный транзистор NPN 25В 50мА 225мВт Кус не менее 60 не менее 650МГц
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT23-3
MMBTH10-4LT1G MMBTH10-4LT1G Биполярный транзистор NPN 25В 50мА 225мВт Кус 120-240 не менее 800МГц
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT-23-3 (TO-236)
Тип транзистора:
NPN
Напряжение КЭ Макс.:
25 В
Мощность Макс.:
225 мВт
Граничная частота:
800 МГц
MMBTH10LT1G MMBTH10LT1G Биполярный транзистор NPN 25В 50мА 225мВт Кус не менее 60 не менее 650МГц
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT-23-3 (TO-236)
Тип транзистора:
NPN
Напряжение КЭ Макс.:
25 В
Мощность Макс.:
225 мВт
Граничная частота:
650 МГц
MMBTH10M3T5G MMBTH10M3T5G Биполярный транзистор NPN 25В 50мА 265мВт Кус не менее 60 не менее 650МГц
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT-723
Тип транзистора:
NPN
Напряжение КЭ Макс.:
25 В
Мощность Макс.:
265 мВт
Граничная частота:
650 МГц
MMBTH24 MMBTH24 Биполярный транзистор NPN 30В 50мА 225мВт Кус не менее 30 не менее 400МГц
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT-23-3 (TO-236)
MMBTH81 MMBTH81 Биполярный транзистор PNP -20 -50мА 225мВт Кус не менее 60 не менее 600МГц
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT-23
Тип транзистора:
PNP
Напряжение КЭ Макс.:
20 В
Ток коллектора Макс.:
50 мА
Мощность Макс.:
225 мВт
Граничная частота:
600 МГц
На странице: