Радиочастотные ВЧ и СВЧ транзисторы

120
Тип транзистора: NPN
Фильтр
Корпус
Тип транзистора
Напряжение КЭ Макс.
Ток коллектора Макс.
Мощность Макс.
Граничная частота
Радиочастотные ВЧ и СВЧ транзисторы (120)
BFU550XAR BFU550XAR Биполярный транзистор NPN 12В 50мА 450мВт Кус 60-200 11ГГц
Производитель:
NXP / Philips
Корпус:
SOT-143B
Тип транзистора:
NPN
Напряжение КЭ Макс.:
12V
Ток коллектора Макс.:
50mA
Мощность Макс.:
450mW
Граничная частота:
11GHz
BFU630F,115 BFU630F,115 Биполярный транзистор NPN 5,5В 30мА 200мВт Кус 90-180 21ГГц
Производитель:
NXP / Philips
Корпус:
DFP4
Тип транзистора:
NPN
Напряжение КЭ Макс.:
5.5 В
Ток коллектора Макс.:
30 мА
Мощность Макс.:
200 мВт
Граничная частота:
21 ГГц
BFU690F,115 BFU690F,115 Биполярный транзистор NPN 5,5В 100мА 490мВт Кус 90-180 18ГГц
Производитель:
NXP / Philips
Корпус:
DFP4
Тип транзистора:
NPN
Напряжение КЭ Макс.:
5.5 В
Ток коллектора Макс.:
100 мА
Мощность Макс.:
230 мВт
Граничная частота:
18 ГГц
BFU710F,115 BFU710F,115 Биполярный транзистор NPN 2,8В 10мА 136мВт Кус 200-550 43ГГц
Производитель:
NXP / Philips
Корпус:
DFP4
Тип транзистора:
NPN
Напряжение КЭ Макс.:
2.8 В
Ток коллектора Макс.:
10 мА
Мощность Макс.:
136 мВт
Граничная частота:
43 ГГц
BFU730LXZ BFU730LXZ Биполярный транзистор NPN 3В 30мА 160мВт Кус 205-555 53ГГц
Производитель:
NXP / Philips
Корпус:
SOT-883
Тип транзистора:
NPN
Напряжение КЭ Макс.:
3 В
Ток коллектора Макс.:
30 мА
Мощность Макс.:
160 мВт
Граничная частота:
53 ГГц
BFU760F,115 BFU760F,115 Биполярный транзистор NPN 2,8В 70мА 220мВт Кус 150-505 45ГГц
Производитель:
NXP / Philips
Корпус:
DFP4
Тип транзистора:
NPN
Напряжение КЭ Макс.:
2.8 В
Ток коллектора Макс.:
70 мА
Мощность Макс.:
220 мВт
Граничная частота:
45 ГГц
BFU768F,115 BFU768F,115 Биполярный транзистор NPN 2,8В 70мА 220мВт Кус 155-505 45ГГц
Производитель:
NXP / Philips
Корпус:
SOT-343R
Тип транзистора:
NPN
Напряжение КЭ Макс.:
2.8 В
Ток коллектора Макс.:
70 мА
Мощность Макс.:
220 мВт
BFU790F,115 BFU790F,115 Биполярный транзистор NPN 2,8В 100мА 234мВт Кус 235-585 25ГГц
Производитель:
NXP / Philips
Корпус:
DFP4
Тип транзистора:
NPN
Напряжение КЭ Макс.:
2.8 В
Ток коллектора Макс.:
100 мА
Мощность Макс.:
234 мВт
Граничная частота:
25 ГГц
Акция
BLT50,115 BLT50,115 Биполярный транзистор NPN 10В 500мА 2Вт Кус не менее 25 470МГц
Производитель:
NXP / Philips
Корпус:
SOT-223
Тип транзистора:
NPN
Напряжение КЭ Макс.:
10 В
Ток коллектора Макс.:
500 мА
Мощность Макс.:
2 Вт
Граничная частота:
470 МГц
BLT81,115 BLT81,115 Биполярный транзистор NPN 9,5В 500мА 2Вт Кус не менее 25 900МГц
Производитель:
NXP / Philips
Корпус:
SOT-223
Тип транзистора:
NPN
Напряжение КЭ Макс.:
9.5 В
Ток коллектора Макс.:
500 мА
Мощность Макс.:
2 Вт
Граничная частота:
900 МГц
KSP10BU KSP10BU Биполярный транзистор NPN 25В 50мА 1Вт Кус не менее 60 не менее 650МГц
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO92-3
Тип транзистора:
NPN
Напряжение КЭ Макс.:
25 В
Мощность Макс.:
350 мВт
Граничная частота:
650 МГц
KST10MTF KST10MTF Биполярный транзистор NPN 25В 50мА 350мВт Кус не менее 60 не менее 650МГц
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT-23-3 (TO-236)
Тип транзистора:
NPN
Напряжение КЭ Макс.:
25 В
Мощность Макс.:
350 мВт
Граничная частота:
650 МГц
MMBT5179 MMBT5179 Биполярный транзистор NPN 12В 50мА 225мВт Кус не менее 25 2ГГц
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT-23-3 (TO-236)
Тип транзистора:
NPN
Напряжение КЭ Макс.:
12 В
Ток коллектора Макс.:
50 мА
Мощность Макс.:
225 мВт
Граничная частота:
2 ГГц
MMBT918LT1G MMBT918LT1G Биполярный транзистор NPN 15В 50мА 225мВт Кус не менее 20 не менее 600МГц
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT-23-3 (TO-236)
Тип транзистора:
NPN
Напряжение КЭ Макс.:
15 В
Ток коллектора Макс.:
50 мА
Мощность Макс.:
225 мВт
Граничная частота:
600 МГц
MMBTH10-4LT1G MMBTH10-4LT1G Биполярный транзистор NPN 25В 50мА 225мВт Кус 120-240 не менее 800МГц
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT-23-3 (TO-236)
Тип транзистора:
NPN
Напряжение КЭ Макс.:
25 В
Мощность Макс.:
225 мВт
Граничная частота:
800 МГц
MMBTH10M3T5G MMBTH10M3T5G Биполярный транзистор NPN 25В 50мА 265мВт Кус не менее 60 не менее 650МГц
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT-723
Тип транзистора:
NPN
Напряжение КЭ Макс.:
25 В
Мощность Макс.:
265 мВт
Граничная частота:
650 МГц
PBR941,215 PBR941,215 Биполярный транзистор NPN 10В 50мА 360мВт Кус 50-200 8ГГц
Производитель:
NXP / Philips
Корпус:
SOT-23 (TO-236AB)
Тип транзистора:
NPN
Напряжение КЭ Макс.:
10 В
Ток коллектора Макс.:
50 мА
Мощность Макс.:
360 мВт
Граничная частота:
8 ГГц
КТ3102ЕМ КТ3102ЕМ Биполярный транзистор NPN 20В 100мА 250мВт Кус 400-1000 300МГц
Производитель:
Кремний, Брянск
Корпус:
TO92-3
Тип транзистора:
NPN
Напряжение КЭ Макс.:
20В
Ток коллектора Макс.:
0.2А
Мощность Макс.:
0.25Вт
Граничная частота:
f<200МГц
КТ3130А9 КТ3130А9 Биполярный транзистор NPN 50В 100мА 100мВт Кус 100-250 150МГц
Производитель:
Элекс, Александров
Корпус:
SOT-23
Тип транзистора:
NPN
Напряжение КЭ Макс.:
50В
Ток коллектора Макс.:
0,1А
Мощность Макс.:
0,1Вт
Граничная частота:
150МГц
КТ3130Б9 КТ3130Б9 Биполярный транзистор NPN 50В 100мА 100мВт Кус 200-500 150МГц
Производитель:
Элекс, Александров
Корпус:
SOT-23
Тип транзистора:
NPN
Напряжение КЭ Макс.:
50В
Ток коллектора Макс.:
0,1А
Мощность Макс.:
0,1Вт
Граничная частота:
150МГц
На странице:

Радиочастотные транзисторы – биполярные транзисторы, предназначенные для работы в диапазонах высоких и сверхвысоких частот (от единиц мегагерц до десятков гигагерц). В схемах, работающих на таких частотах, к комплектующим предъявляются особые требования по точности параметров и величине паразитной ёмкости.

В интернет-магазине «Промэлектроника» Вы можете заказать по низкой цене радиочастотные ВЧ и СВЧ транзисторы, идеально подходящие для радиоцепей. В нашем каталоге представлена продукция ведущих отечественных и мировых производителей:  Infineon, Интеграл, Кремний, Элекс и др. Доступны модели различных конфигураций: NPN, PNP, 2 NPN – в корпусах для монтажа в отверстия и на поверхность платы.

Купить ВЧ и СВЧ транзисторы легко прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Радиочастотные ВЧ и СВЧ транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Радиочастотные ВЧ и СВЧ транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Радиочастотные ВЧ и СВЧ транзисторы - от 1.17 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Радиочастотные ВЧ и СВЧ транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Радиочастотные ВЧ и СВЧ транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"