Радиочастотные ВЧ и СВЧ транзисторы NXP / Philips

56
Производитель: NXP / Philips
Фильтр
Корпус
Тип транзистора
Напряжение КЭ Макс.
Ток коллектора Макс.
Мощность Макс.
Граничная частота
Радиочастотные ВЧ и СВЧ транзисторы (56)
BFG67/X,215 BFG67/X,215 Биполярный транзистор NPN 10В 50мА 300мВт Кус 60-100 8ГГц
Производитель:
NXP / Philips
Корпус:
SOT143
Тип транзистора:
NPN
Напряжение КЭ Макс.:
10 В
Ток коллектора Макс.:
50 мА
Мощность Макс.:
380 мВт
Граничная частота:
8 ГГц
BFG97,115 BFG97,115 Биполярный транзистор NPN 15В 100мА 1Вт Кус 25-80 5,5ГГц
Производитель:
NXP / Philips
Корпус:
SOT-223
Тип транзистора:
NPN
Напряжение КЭ Макс.:
15 В
Ток коллектора Макс.:
100 мА
Мощность Макс.:
1 Вт
Граничная частота:
5.5 ГГц
BFQ18A,115 BFQ18A,115 Биполярный транзистор NPN 18В 150мА 1Вт Кус не менее 25 4ГГц
Производитель:
NXP / Philips
Корпус:
SOT-89-3
Тип транзистора:
NPN
Напряжение КЭ Макс.:
18 В
Ток коллектора Макс.:
150 мА
Мощность Макс.:
1 Вт
Граничная частота:
4 ГГц
BFQ67W BFQ67W Биполярный транзистор NPN 10В 50мА 200мВт Кус 65-150 7,5ГГц
Производитель:
NXP / Philips
Корпус:
SOT-323
Тип транзистора:
NPN
Граничная частота:
8GHz
BFR520,215 BFR520,215 Биполярный транзистор NPN 15В 70мА 300мВт Кус 60-250 9ГГц
Производитель:
NXP / Philips
Корпус:
SOT-23
Тип транзистора:
NPN
Напряжение КЭ Макс.:
15 В
Ток коллектора Макс.:
70 мА
Мощность Макс.:
300 мВт
Граничная частота:
9 ГГц
Акция
BFR520T,115 BFR520T,115 Биполярный транзистор NPN 15В 70мА 150мВт Кус 60-250 9ГГц
Производитель:
NXP / Philips
Корпус:
SC-75
BFR92A,215 BFR92A,215 Биполярный транзистор NPN 15В 25мА 300мВт Кус 65-135 5ГГц
Производитель:
NXP / Philips
Корпус:
SOT-23
Тип транзистора:
NPN
Напряжение КЭ Макс.:
15 В
Ток коллектора Макс.:
25 мА
Мощность Макс.:
300 мВт
Граничная частота:
5 ГГц
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
0 шт
Аналоги:
8 937 шт
Цена от:
от 8,98
BFS17,215 BFS17,215 Биполярный транзистор NPN 15В 25мА 300мВт Кус не менее 25 1ГГц
Производитель:
NXP / Philips
Корпус:
SOT-23
Тип транзистора:
NPN
Напряжение КЭ Макс.:
15 В
Ток коллектора Макс.:
25 мА
Мощность Макс.:
300 мВт
Граничная частота:
1 ГГц
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
0 шт
Аналоги:
1 465 шт
Цена от:
от 4,45
BFT25,215 BFT25,215 Биполярный транзистор NPN 5В 6,5мА 30мВт Кус не менее 20 2,3ГГц
Производитель:
NXP / Philips
Корпус:
SOT-23 (TO-236AB)
Тип транзистора:
NPN
Напряжение КЭ Макс.:
5 В
Ток коллектора Макс.:
6.5 мА
Мощность Макс.:
30 мВт
Граничная частота:
2.3 ГГц
BFT25A,215 BFT25A,215 Биполярный транзистор NPN 5В 6,5мА 32мВт Кус 50-200 5ГГц
Производитель:
NXP / Philips
Корпус:
SOT-23 (TO-236AB)
Тип транзистора:
NPN
Напряжение КЭ Макс.:
5 В
Ток коллектора Макс.:
6.5 мА
Мощность Макс.:
32 мВт
Граничная частота:
5 ГГц
Акция
BFT92,215 BFT92,215 Биполярный транзистор PNP -15В -25мА 300мВт Кус не менее 20 5ГГц
Производитель:
NXP / Philips
Корпус:
SOT-23
Тип транзистора:
PNP
Напряжение КЭ Макс.:
15 В
Ток коллектора Макс.:
25 мА
Мощность Макс.:
300 мВт
Граничная частота:
5 ГГц
Акция
BFT93,215 BFT93,215 Биполярный транзистор PNP -12В -35мА 300мВт Кус не менее 20 5ГГц
Производитель:
NXP / Philips
Корпус:
SOT-23
Тип транзистора:
PNP
Напряжение КЭ Макс.:
12 В
Ток коллектора Макс.:
35 мА
Мощность Макс.:
300 мВт
Граничная частота:
5 ГГц
BFU520R BFU520R Биполярный транзистор NPN 12В 30мА 450мВт Кус 60-200 10,5ГГц
Производитель:
NXP / Philips
Корпус:
SOT-143B
Тип транзистора:
NPN
Напряжение КЭ Макс.:
12V
Ток коллектора Макс.:
30mA
Мощность Макс.:
450mW
Граничная частота:
10.5GHz
BFU520WF BFU520WF Биполярный транзистор NPN 12В 30мА 450мВт Кус 60-200 10ГГц
Производитель:
NXP / Philips
Корпус:
SC-70-3 (SOT323)
Тип транзистора:
NPN
Напряжение КЭ Макс.:
12V
Ток коллектора Макс.:
30mA
BFU520WX BFU520WX Биполярный транзистор NPN 12В 30мА 450мВт Кус 60-200 10ГГц
Производитель:
NXP / Philips
Корпус:
SC-70-3
Тип транзистора:
NPN
Напряжение КЭ Макс.:
12V
Ток коллектора Макс.:
30mA
Мощность Макс.:
450mW
Граничная частота:
10GHz
BFU520YX BFU520YX Биполярный транзистор NPN 12В 30мА 450мВт Кус 60-200 10ГГц
Производитель:
NXP / Philips
Корпус:
SOT-363
Тип транзистора:
2 NPN
Напряжение КЭ Макс.:
12 В
Ток коллектора Макс.:
30 мА
Мощность Макс.:
450 мВт
Граничная частота:
10 ГГц
BFU530A NPN-HF 12V 40mA 450mW 11GHz SOT23
Производитель:
NXP / Philips
BFU530WX BFU530WX Биполярный транзистор NPN 12В 40мА 450мВт Кус 60-200 11ГГц
Производитель:
NXP / Philips
Корпус:
SC-70-3 (SOT323)
Тип транзистора:
NPN
Напряжение КЭ Макс.:
12V
Ток коллектора Макс.:
40mA
Мощность Макс.:
450mW
Граничная частота:
11GHz
BFU550R BFU550R РЧ Транзистор биполярный NPN wideband silicon RF transistor
Производитель:
NXP / Philips
BFU550XAR BFU550XAR Биполярный транзистор NPN 12В 50мА 450мВт Кус 60-200 11ГГц
Производитель:
NXP / Philips
Корпус:
SOT-143B
Тип транзистора:
NPN
Напряжение КЭ Макс.:
12V
Ток коллектора Макс.:
50mA
Мощность Макс.:
450mW
Граничная частота:
11GHz
На странице: