Радиочастотные ВЧ и СВЧ транзисторы NXP / Philips

₅₆

Производитель: NXP / Philips

Фильтр

Сортировать по:

Рекомендуем

Наименование

В продаже

Цена

Радиочастотные ВЧ и СВЧ транзисторы (56)

BFU580GX РЧ Транзистор биполярный NPN wideband silicon RF transistor

Производитель:

NXP / Philips

Сообщить о поступлении

BFU580QX Trans RF BJT NPN 16V 0.1A 1000mW Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R

Производитель:

NXP / Philips

Сообщить о поступлении

BFU630F,115 Биполярный транзистор NPN 5,5В 30мА 200мВт Кус 90-180 21ГГц

Производитель:

NXP / Philips

Корпус:

DFP4

Тип транзистора:

NPN

Напряжение КЭ Макс.:

5.5 В

Ток коллектора Макс.:

30 мА

Мощность Макс.:

200 мВт

Граничная частота:

21 ГГц

Сообщить о поступлении

BFU660F,115 Биполярный транзистор NPN 5,5В 60мА 225мВт Кус 90-180 21ГГц

Производитель:

NXP / Philips

Корпус:

DFP4

Тип транзистора:

NPN

Напряжение КЭ Макс.:

5.5 В

Ток коллектора Макс.:

60 мА

Мощность Макс.:

225 мВт

Граничная частота:

21 ГГц

Сообщить о поступлении

BFU690F,115 Биполярный транзистор NPN 5,5В 100мА 490мВт Кус 90-180 18ГГц

Производитель:

NXP / Philips

Корпус:

DFP4

Тип транзистора:

NPN

Напряжение КЭ Макс.:

5.5 В

Ток коллектора Макс.:

100 мА

Мощность Макс.:

230 мВт

Граничная частота:

18 ГГц

Сообщить о поступлении

BFU710F,115 Биполярный транзистор NPN 2,8В 10мА 136мВт Кус 200-550 43ГГц

Производитель:

NXP / Philips

Корпус:

DFP4

Тип транзистора:

NPN

Напряжение КЭ Макс.:

2.8 В

Ток коллектора Макс.:

10 мА

Мощность Макс.:

136 мВт

Граничная частота:

43 ГГц

Сообщить о поступлении

BFU725F/N1 TRANSISTOR, NXP, BFU725F/N1

Производитель:

NXP / Philips

Сообщить о поступлении

BFU725F/N1,115 Биполярный транзистор NPN 2,8В 40мА 136мВт Кус 160-400 55ГГц

Производитель:

NXP / Philips

Корпус:

SOT-343

Тип транзистора:

NPN

Напряжение КЭ Макс.:

2.8 В

Ток коллектора Макс.:

40 мА

Мощность Макс.:

136 мВт

Граничная частота:

55 ГГц

Сообщить о поступлении

BFU730F,115 Биполярный транзистор NPN 2,8В 30мА 197мВт Кус 205-555 55ГГц

Производитель:

NXP / Philips

Корпус:

DFP4

Тип транзистора:

NPN

Напряжение КЭ Макс.:

2.8 В

Ток коллектора Макс.:

30 мА

Мощность Макс.:

197 мВт

Граничная частота:

55 ГГц

Сообщить о поступлении

BFU730LXZ Биполярный транзистор NPN 3В 30мА 160мВт Кус 205-555 53ГГц

Производитель:

NXP / Philips

Корпус:

SOT-883

Тип транзистора:

NPN

Напряжение КЭ Макс.:

3 В

Ток коллектора Макс.:

30 мА

Мощность Макс.:

160 мВт

Граничная частота:

53 ГГц

Сообщить о поступлении

BFU760F,115 Биполярный транзистор NPN 2,8В 70мА 220мВт Кус 150-505 45ГГц

Производитель:

NXP / Philips

Корпус:

DFP4

Тип транзистора:

NPN

Напряжение КЭ Макс.:

2.8 В

Ток коллектора Макс.:

70 мА

Мощность Макс.:

220 мВт

Граничная частота:

45 ГГц

Сообщить о поступлении

BFU768F,115 Биполярный транзистор NPN 2,8В 70мА 220мВт Кус 155-505 45ГГц

Производитель:

NXP / Philips

Корпус:

SOT-343R

Тип транзистора:

NPN

Напряжение КЭ Макс.:

2.8 В

Ток коллектора Макс.:

70 мА

Мощность Макс.:

220 мВт

Сообщить о поступлении

BFU790F,115 Биполярный транзистор NPN 2,8В 100мА 234мВт Кус 235-585 25ГГц

Производитель:

NXP / Philips

Корпус:

DFP4

Тип транзистора:

NPN

Напряжение КЭ Макс.:

2.8 В

Ток коллектора Макс.:

100 мА

Мощность Макс.:

234 мВт

Граничная частота:

25 ГГц

Сообщить о поступлении

Акция

BLT50,115 Биполярный транзистор NPN 10В 500мА 2Вт Кус не менее 25 470МГц

Производитель:

NXP / Philips

Корпус:

SOT-223

Тип транзистора:

NPN

Напряжение КЭ Макс.:

10 В

Ток коллектора Макс.:

500 мА

Мощность Макс.:

2 Вт

Граничная частота:

470 МГц

Сообщить о поступлении

BLT81,115 Биполярный транзистор NPN 9,5В 500мА 2Вт Кус не менее 25 900МГц

Производитель:

NXP / Philips

Корпус:

SOT-223

Тип транзистора:

NPN

Напряжение КЭ Макс.:

9.5 В

Ток коллектора Макс.:

500 мА

Мощность Макс.:

2 Вт

Граничная частота:

900 МГц

Сообщить о поступлении

PBR941,215 Биполярный транзистор NPN 10В 50мА 360мВт Кус 50-200 8ГГц

Производитель:

NXP / Philips

Корпус:

SOT-23 (TO-236AB)

Тип транзистора:

NPN

Напряжение КЭ Макс.:

10 В

Ток коллектора Макс.:

50 мА

Мощность Макс.:

360 мВт

Граничная частота:

8 ГГц

Сообщить о поступлении