Транзисторы управляемые p-n переходом NXP / Philips

₁₉

Производитель: NXP / Philips

Фильтр

Сортировать по:

Рекомендуем

Наименование

В продаже

Цена

Транзисторы управляемые p-n переходом (19)

BF862,215 Полевой транзистор, радиочастотный, N-канальный, 20 В

Производитель:

NXP / Philips

Корпус:

SOT-23

Наличие:

193 шт

Внешние склады:

800 шт

Цена от:

от 71,35₽

BF861B,215 Полевой транзистор, радиочастотный, N-канальный, 25 В

Производитель:

NXP / Philips

Корпус:

SOT-23 (TO-236AB)

Сообщить о поступлении

BF861B,235 JFET N-CH 25V 15MA SOT23

Производитель:

NXP / Philips

Корпус:

SOT-23 (TO-236AB)

Сообщить о поступлении

BF861C,215 Полевой транзистор, радиочастотный, N-канальный, 25V, 10MA

Производитель:

NXP / Philips

Корпус:

SOT-23 (TO-236AB)

Сообщить о поступлении

BF862,235 JFET N-CH 20V 25MA SOT23

Производитель:

NXP / Philips

Корпус:

SOT23-3

Сообщить о поступлении

Акция

BFR30,215 Полевой транзистор с управляемым P-N переходом, N-канальный, 10 мА, 250 мВт

Производитель:

NXP / Philips

Корпус:

SOT-23

Ток стока макс.:

10 мА

Проводимость (N/P):

N-канальный

Напряжение отсечки (при токе):

5 В

Мощность Макс.:

250 мВт

Сообщить о поступлении

Акция

BFR31,215 Полевой транзистор с управляемым P-N переходом, N-канальный, 10 мА, 250 мВт

Производитель:

NXP / Philips

Корпус:

SOT-23

Ток стока макс.:

10 мА

Проводимость (N/P):

N-канальный

Напряжение отсечки (при токе):

2.5 В

Мощность Макс.:

250 мВт

Сообщить о поступлении

BFT46,215 Полевой транзистор с управляемым P-N переходом, N-канальный, 10 мА, 250 мВт

Производитель:

NXP / Philips

Корпус:

SOT-23

Сообщить о поступлении

BSR57,215 Полевой транзистор с PN-переходом, N-канальный, 40 В, 250 мВт

Производитель:

NXP / Philips

Корпус:

SOT23-3

Сообщить о поступлении

BSR58,215 Полевой транзистор с PN-переходом, N-канальный, 40 В, 250 мВт

Производитель:

NXP / Philips

Корпус:

SOT-23 (TO-236AB)

Напряжение сток-исток макс.:

40 В

Проводимость (N/P):

N-канальный

Напряжение отсечки (при токе):

800 мВ

Мощность Макс.:

250 мВт

Наличие:

0 шт

Внешние склады:

0 шт

Аналоги:

12 495 шт

Цена от:

от 10,15₽

PMBF4391,215 Полевой транзистор с PN-переходом, N-канальный, 40 В, 250 мВт

Производитель:

NXP / Philips

Корпус:

SOT23-3

Сообщить о поступлении

PMBF4393,215 Полевой транзистор с PN-переходом, N-канальный, 40 В, 250 мВт

Производитель:

NXP / Philips

Корпус:

SOT23-3

Сообщить о поступлении

PMBFJ109,215 Полевой транзистор с PN-переходом, N-канальный, 25 В, 250 мВт

Производитель:

NXP / Philips

Корпус:

SOT-23 (TO-236AB)

Сообщить о поступлении

PMBFJ110,215 Полевой транзистор с PN-переходом, N-канальный, 25 В, 250 мВт

Производитель:

NXP / Philips

Корпус:

SOT-23 (TO-236AB)

Сообщить о поступлении

PMBFJ176,215 Полевой транзистор с PN-переходом, P-канальный, 30 В, 300 мВт

Производитель:

NXP / Philips

Корпус:

SOT-23 (TO-236AB)

Сообщить о поступлении

PMBFJ177,215 Полевой транзистор с PN-переходом, P-канальный, 30 В, 300 мВт

Производитель:

NXP / Philips

Корпус:

SOT-23

Напряжение сток-исток макс.:

30 В

Проводимость (N/P):

P-канальный

Напряжение отсечки (при токе):

800 мВ

Мощность Макс.:

300 мВт

Сообщить о поступлении

PMBFJ308,215 Полевой транзистор с PN-переходом, N-канальный, 25 В, 250 мВт

Производитель:

NXP / Philips

Корпус:

SOT-23 (TO-236AB)

Напряжение сток-исток макс.:

25 В

Проводимость (N/P):

N-канальный

Напряжение отсечки (при токе):

1 В

Мощность Макс.:

250 мВт

Сообщить о поступлении

PMBFJ309,215 Полевой транзистор с управляемым P-N переходом, N-канальный, 25 В, 250 мВт

Производитель:

NXP / Philips

Корпус:

SOT-23

Напряжение сток-исток макс.:

25 В

Проводимость (N/P):

N-канальный

Напряжение отсечки (при токе):

1 В

Мощность Макс.:

250 мВт

Сообщить о поступлении

Акция

PMBFJ310,215 Полевой транзистор с управляемым P-N переходом, N-канальный, 25 В, 250 мВт

Производитель:

NXP / Philips

Корпус:

SOT-23

Напряжение сток-исток макс.:

25 В

Проводимость (N/P):

N-канальный

Напряжение отсечки (при токе):

2 В

Мощность Макс.:

250 мВт

Сообщить о поступлении