8 800 1000 321 - контакт центр

Одиночные MOSFET транзисторы

Вид: 
Таблицой
Витриной
Выводить по:
  
Показывать:

Производитель

Корпус

Тип транзистора

Особенности

Напряжение исток-сток макс.

Ток стока макс.

Сопротивление открытого канала

Мощность макс.

Пороговое напряжение включения макс.

Заряд затвора

Входная емкость

Тип монтажа


123456>>>

  - Новинка      - На позицию действует специальное предложение по цене      - Позиция попадает под 'Распродажу', оптовая цена ниже цены производителя
Фото Наименование
Произ-ль Корпус Со склада В пути Под заказ Норм. упаковка Краткое описание
Тип транзистораОсобенностиНапряжение исток-сток макс.Ток стока макс.Сопротивление открытого каналаМощность макс.Пороговое напряжение включения макс.Заряд затвораВходная емкостьТип монтажа
Цена Всего Розн. маг. Цена Всего Мин. кол.
2N7000 2N7000   UTC TO-92 - - -   от 4.23 руб. 20040 9 2000 Полевой транзистор, N-канальный, 60 В, 350 мАMOSFET N-канальный металл-оксидС логическим управлением60 В350 мА5 Ом1 Вт3 В2 нКл43 пФСквозной
2N7000BU 2N7000BU   ONS TO-92 - - -   от 8.38 руб. 298 53 1000 Полевой транзистор, N-канальный, 60 В, 200 мАMOSFET N-канальный металл-оксидСтандартный60 В200 мА5 Ом400 мВт3 В50 пФСквозной
2N7000G 2N7000G   ONS TO-92 - - -   от 6.99 руб. 378 64 1000 Полевой транзистор, N-канальный, 60 В, 200 мАMOSFET N-канальный металл-оксидСтандартный60 В200 мА5 Ом350 мВт3 В60 пФСквозной
2N7000TA 2N7000TA  ONS TO-92 от 4.46 руб 521 115   - - - 2000 Полевой транзистор, N-канальный, 60 В, 350 мАMOSFET N-канальный металл-оксидС логическим управлением60В350мА (Tc)5 Ом , 500мА, 10В1Вт3В , 250 мкА2нКл , 5В43пФ , 25ВСквозной
2N7000_D26Z 2N7000_D26Z  ONS TO-92 - - -   от 3.53 руб. 16000 4000 2000 Полевой транзистор, N-канальный, 60 В, 200 мАMOSFET N-канальный металл-оксидСтандартный60 В200 мА5 Ом400 мВт3 В50 пФСквозной
2N7002 2N7002  Galaxy SOT-23 от 1.25 руб 1827 1421   - - - 3000 Полевой транзистор, N-канальный, 60 В, 0.115 А(постоянный), 0.8 А(импульсный)MOSFET N-канальный металл-оксидС логическим управлением60 В115 мА7.5 Ом200 мВт2.5 В50 пФПоверхностный
2N7002 2N7002  ONS SOT-23 от 2.69 руб 2208 -   от 2.32 руб. 6000 185 3000 Полевой транзистор, N-канальный, 60 В, 200 мАMOSFET N-канальный металл-оксидС логическим управлением60 В115 мА7.5 Ом200 мВт2.5 В50 пФПоверхностный
2N7002 2N7002  DC SOT-23 - - -   от 3.86 руб. 537 115 3000 Полевой транзистор, N-канальный, 60 В, 200 мА, 0.2 ВтMOSFET N-канальный металл-оксидС логическим управлением60 В115 мА7.5 Ом200 мВт2.5 В50 пФПоверхностный
2N7002,215 2N7002,215  NEX SOT-23 от 8.20 руб 11086 -   от 3.98 руб. 12500 112 3000 Полевой транзистор, N-канальный, 60 В, 300 мА, 0.83WMOSFET N-канальный металл-оксидС логическим управлением60 В300 мА5 Ом830 мВт2.5 В50 пФПоверхностный
2N7002-7-F 2N7002-7-F  DIODES SOT-23 от 1.57 руб 3578 20   от 0.00 руб. 813000 0 3000 Полевой транзистор, N-канальный, 60 В, 115 мАMOSFET N-канальный металл-оксидСтандартный60 В115 мА7.5 Ом300 мВт2.5 В50 пФПоверхностный
2N7002BK,215 2N7002BK,215  NEX SOT-23 от 1.50 руб 2228 56 В пути - - - 3000 Полевой транзистор, N-канальный, 60 В, 350 мА, 0.83 ВтMOSFET N-канальный металл-оксидС логическим управлением60 В350 мА1.6 Ом370 мВт2.1 В0.6 нКл50 пФПоверхностный
2N7002BKW,115 2N7002BKW,115  NEX SOT-323 от 2.74 руб 1760 10   от 5.34 руб. 66000 3000 3000 Полевой транзистор, N-канальный, 60 В, 310 мА, 0.88 ВтMOSFET N-канальный, металл-оксидС логическим управлением60 В310 мА1.6 Ом275 мВт2.1 В0.6 нКл50 пФПоверхностный
2N7002CK,215 2N7002CK,215  NEX SOT-23 от 2.92 руб 5482 50   от 2.52 руб. 102000 6000 3000 Полевой транзистор, N-канальный, 60 ВMOSFET N-канальный металл-оксидС логическим управлением60 В300 мА1.6 Ом350 мВт2.5 В1.3 нКл55 пФПоверхностный
2N7002E-7-F 2N7002E-7-F   DIODES SOT-23 - - -   от 1.67 руб. 54000 9000 3000 Полевой транзистор, N-канальный, 60 В, 250 мАMOSFET N-канальный металл-оксидС логическим управлением60 В250 мА3 Ом370 мВт2.5 В0.22 нКл50 пФПоверхностный
2N7002ET1G 2N7002ET1G  ONS SOT-23 от 2.58 руб 1097 101   от 2.36 руб. 5406 1408 3000 Полевой транзистор, N-канальный, 60 В, 260 мАMOSFET N-канальный металл-оксидС логическим управлением60 В260 мА2.5 Ом300 мВт2.5 В0.81 нКл26.7 пФПоверхностный
2N7002H6327 2N7002H6327  INF   - - -   от 2.85 руб. 6249 1137 3000 Полевой транзистор
2N7002K 2N7002K  ONS SOT-23 - - -   от 3.91 руб. 2837 69 3000 Полевой транзистор, N-канальный, 60 В, 300 мАMOSFET N-канальный металл-оксидС логическим управлением60 В300 мА2 Ом350 мВт2.5 В50 пФПоверхностный
2N7002K _R1 _00001 2N7002K _R1 _00001   PANJIT   - - -   от 1.08 руб. 63000 12000 3000 Полевой транзистор
2N7002K-13 2N7002K-13    DIODES   - - -   от 1.64 руб. 20000 10000 10000  
2N7002K-7 2N7002K-7   DIODES SOT-23 - - -   от 1.01 руб. 291000 3000 3000 MOSFET N-CH 60V 300MA SOT23-3MOSFET N-Channel, Metal OxideLogic Level Gate60V380mA (Ta)2 Ohm @ 500mA, 10V370mW2.5V @ 1mA0.3nC @ 4.5V50pF @ 25VSurface Mount
2N7002K-T1-GE3 2N7002K-T1-GE3  VISHAY SOT-23 от 2.61 руб 4031 75   от 2.32 руб. 19225 185 3000 Полевой транзистор, N-канальный, 60 В, 300 мА, 0.35 ВтMOSFET N-канальный, металл-оксидС логическим управлением60 В300 мА2 Ом350 мВт2.5 В0.6 нКл30 пФПоверхностный
2N7002KQ-7 2N7002KQ-7    DIODES   - - -   от 1.89 руб. 9000 9000 3000  
2N7002KT1G 2N7002KT1G   ONS SOT-23 - - -   от 1.50 руб. 132186 119 3000 Полевой транзистор, N-канальный, 60 В, 320 мАMOSFET N-канальный металл-оксидС логическим управлением60 В320 мА1.6 Ом300 мВт2.5 В0.7 нКл24.5 пФПоверхностный
2N7002LT1G 2N7002LT1G  ONS SOT-23 от 1.85 руб 7728 148   от 1.64 руб. 10052 37 3000 Полевой транзистор, N-канальный, 60 В, 115 мА, 0.3 ВтMOSFET N-канальный металл-оксидС логическим управлением60 В115 мА7.5 Ом225 мВт2.5 В50 пФПоверхностный

123456>>>

сообщение об ошибке