8 800 1000 321 - контакт центр

Одиночные MOSFET транзисторы

Вид: 
Таблицой
Витриной
Показывать: 
по:

Производитель

Корпус

Тип транзистора

Особенности

Напряжение исток-сток макс.

Ток стока макс.

Сопротивление открытого канала

Мощность макс.

Пороговое напряжение включения макс.

Заряд затвора

Входная емкость

Тип монтажа


123456>>>

  - Новинка      - На позицию действует специальное предложение по цене      - Позиция попадает под 'Распродажу', оптовая цена ниже цены производителя
Фото Наименование
Произ-ль Корпус Со склада В пути Под заказ Норм. упаковка Краткое описание
КупитьТип транзистораОсобенностиНапряжение исток-сток макс.Ток стока макс.Сопротивление открытого каналаМощность макс.Пороговое напряжение включения макс.Заряд затвораВходная емкостьТип монтажа
Цены, руб. Всего Розн. маг. Всего Мин. цена Мин. кол.
для заказа
2N7000 2N7000   UTC TO-92 - - -   10000 3.77 руб. 10000 2000 Полевой транзистор, N-канальный, 60 В, 350 мА
MOSFET N-канальный металл-оксидС логическим управлением60 В350 мА5 Ом1 Вт3 В2 нКл43 пФСквозной
2N7000BU 2N7000BU   ONS TO-92 - - -   298 5.29 руб. 106 1000 Полевой транзистор, N-канальный, 60 В, 200 мА
MOSFET N-канальный металл-оксидСтандартный60 В200 мА5 Ом400 мВт3 В50 пФСквозной
2N7000G 2N7000G   ONS TO-92 - - -   378 4.48 руб. 126 1000 Полевой транзистор, N-канальный, 60 В, 200 мА
MOSFET N-канальный металл-оксидСтандартный60 В200 мА5 Ом350 мВт3 В60 пФСквозной
2N7000RLRAG 2N7000RLRAG  ONS TO-92 - - -   4000 3.50 руб. 4000 2000 Полевой транзистор, N-канальный, 60 В, 200 мА
MOSFET N-канальный металл-оксидСтандартный60 В200 мА5 Ом350 мВт3 В60 пФСквозной
2N7000TA 2N7000TA  ONS TO-92
1:
3.26

400:
3.02

2000:
2.80
1067 107   106000 2.57 руб. 3000 2000 Полевой транзистор, N-канальный, 60 В, 350 мА
MOSFET N-канальный металл-оксидС логическим управлением60В350мА (Tc)5 Ом , 500мА, 10В1Вт3В , 250 мкА2нКл , 5В43пФ , 25ВСквозной
2N7000TA 2N7000TA  ONS TO-92 - - -   29000 2.18 руб. 71 2000 Полевой транзистор, N-канальный, 60 В, 200 мА
MOSFET N-канальный металл-оксидС логическим управлением60 В350 мА5 Ом1 Вт3 В2 нКл43 пФСквозной
2N7002 2N7002  ONS SOT-23
1:
2.79

500:
1.81

3000:
1.50
8427 -   21392 1.54 руб. 146 3000 Полевой транзистор, N-канальный, 60 В, 200 мА
MOSFET N-канальный металл-оксидС логическим управлением60 В115 мА7.5 Ом200 мВт2.5 В50 пФПоверхностный
2N7002 2N7002  DC SOT-23 - - -   15165 1.31 руб. 2417 3000 Полевой транзистор, N-канальный, 60 В, 200 мА, 0.2 Вт
MOSFET N-канальный металл-оксидС логическим управлением60 В115 мА7.5 Ом200 мВт2.5 В50 пФПоверхностный
2N7002 2N7002  Galaxy SOT-23
1:
2.42

500:
1.36

3000:
1.06
15890 1806   - - - 3000 Полевой транзистор, N-канальный, 60 В, 0.115 А(постоянный), 0.8 А(импульсный)
MOSFET N-канальный металл-оксидС логическим управлением60 В115 мА7.5 Ом200 мВт2.5 В50 пФПоверхностный
2N7002,215 2N7002,215  NEX SOT-23
1:
2.64

500:
1.72

3000:
1.42
21999 41   2138014 1.21 руб. 156 3000 Полевой транзистор, N-канальный, 60 В, 300 мА
MOSFET N-канальный металл-оксидС логическим управлением60 В300 мА5 Ом830 мВт2.5 В50 пФПоверхностный
2N7002-7-F 2N7002-7-F  DIODES SOT-23
1:
2.49

500:
1.15

3000:
0.86
3350 30   - - - 3000 Полевой транзистор, N-канальный, 60 В, 115 мА
MOSFET N-канальный металл-оксидСтандартный60 В115 мА7.5 Ом300 мВт2.5 В50 пФПоверхностный
2N7002-T1-E3 2N7002-T1-E3   VISHAY SOT-23 - - -   6000 2.41 руб. 3846 3000 Полевой транзистор, N-канальный, 60 В, 115 мА
MOSFET N-канальный, металл-оксидС логическим управлением60 В115 мА7.5 Ом200 мВт2.5 В50 пФПоверхностный
2N7002BK,215 2N7002BK,215  NEX SOT-23
1:
3.18

500:
1.78

3000:
1.40
8352 80   4143000 1.26 руб. 6000 3000 Полевой транзистор, N-канальный, 60 В, 350 мА, 0.83 Вт
MOSFET N-канальный металл-оксидС логическим управлением60 В350 мА1.6 Ом370 мВт2.1 В0.6 нКл50 пФПоверхностный
2N7002BKM,315 2N7002BKM,315   NEX SOT-883 - - -   10000 3.21 руб. 10000 10000 MOSFET N-CH 60V 450MA SOT883
MOSFET N-Channel, Metal OxideLogic Level Gate60V450mA (Ta)1.6 Ohm @ 500mA, 10V360mW2.1V @ 250 µA0.6nC @ 4.5V50pF @ 10VSurface Mount
2N7002BKW,115 2N7002BKW,115  NEX SOT-323
1:
2.86

500:
2.65

3000:
2.45
2320 50   12000 2.11 руб. 6000 3000 Полевой транзистор, N-канальный, 60 В, 310 мА, 0.88 Вт
MOSFET N-канальный, металл-оксидС логическим управлением60 В310 мА1.6 Ом275 мВт2.1 В0.6 нКл50 пФПоверхностный
2N7002CK,215 2N7002CK,215  NEX SOT-23
1:
1.76

500:
1.63

3000:
1.51
5758 20   1035000 1.29 руб. 6000 3000 Полевой транзистор, N-канальный, 60 В
MOSFET N-канальный металл-оксидС логическим управлением60 В300 мА1.6 Ом350 мВт2.5 В1.3 нКл55 пФПоверхностный
2N7002ET1G 2N7002ET1G  ONS SOT-23
1:
1.90

500:
1.02

3000:
0.83
3582 37   18123 0.90 руб. 452 3000 Полевой транзистор, N-канальный, 60 В, 260 мА
MOSFET N-канальный металл-оксидС логическим управлением60 В260 мА2.5 Ом300 мВт2.5 В0.81 нКл26.7 пФПоверхностный
2N7002H6327XTSA2 2N7002H6327XTSA2  INF   - - -   17719 1.25 руб. 2529 3000 Полевой транзистор
2N7002K 2N7002K  ONS SOT-23 - - -   11207 2.26 руб. 178 3000 Полевой транзистор, N-канальный, 60 В, 300 мА
MOSFET N-канальный металл-оксидС логическим управлением60 В300 мА2 Ом350 мВт2.5 В50 пФПоверхностный
2N7002K _R1 _00001 2N7002K _R1 _00001   PANJIT   - - -   294000 1.00 руб. 12000 3000 Полевой транзистор
2N7002K-T1-GE3 2N7002K-T1-GE3  VISHAY SOT-23
1:
4.28

500:
2.39

3000:
1.88
4091 12   62877 2.02 руб. 166 3000 Полевой транзистор, N-канальный, 60 В, 300 мА, 0.35 Вт
MOSFET N-канальный, металл-оксидС логическим управлением60 В300 мА2 Ом350 мВт2.5 В0.6 нКл30 пФПоверхностный
2N7002KT1G 2N7002KT1G   ONS SOT-23 - - -   200 4.21 руб. 135 3000 Полевой транзистор, N-канальный, 60 В, 320 мА
MOSFET N-канальный металл-оксидС логическим управлением60 В320 мА1.6 Ом300 мВт2.5 В0.7 нКл24.5 пФПоверхностный
2N7002LT1G 2N7002LT1G  ONS SOT-23
1:
2.12

1000:
1.38

3000:
1.14
35739 223   61513 0.96 руб. 226 3000 Полевой транзистор, N-канальный, 60 В, 115 мА, 0.3 Вт
MOSFET N-канальный металл-оксидС логическим управлением60 В115 мА7.5 Ом225 мВт2.5 В50 пФПоверхностный
2N7002P,215 2N7002P,215  NEX SOT-23
1:
2.22

1500:
1.44

9000:
1.19
3899 55   1398383 1.12 руб. 2817 3000 Полевой транзистор, N-канальный, 60 В, 0.36 А
MOSFET N-канальный металл-оксидС логическим управлением60 В360 мА1.6 Ом350 мВт2.4 В0.8 нКл50 пФПоверхностный

123456>>>

сообщение об ошибке