8 800 1000 321 - контакт центр

Одиночные MOSFET транзисторы

Вид: 
Таблицой
Витриной
Показывать: 
по:

Производитель

Корпус

Тип транзистора

Особенности

Напряжение исток-сток макс.

Ток стока макс.

Сопротивление открытого канала

Мощность макс.

Пороговое напряжение включения макс.

Заряд затвора

Входная емкость

Тип монтажа


123456>>>

  - Новинка      - На позицию действует специальное предложение по цене      - Позиция попадает под 'Распродажу', оптовая цена ниже цены производителя
Фото Наименование
Произ-ль Корпус Со склада В пути Под заказ Норм. упаковка Краткое описание
КупитьТип транзистораОсобенностиНапряжение исток-сток макс.Ток стока макс.Сопротивление открытого каналаМощность макс.Пороговое напряжение включения макс.Заряд затвораВходная емкостьТип монтажа
Цены, руб. Всего Розн. маг. Всего Мин. цена Мин. кол.
для заказа
2N7000RLRAG 2N7000RLRAG  ONS TO-92 - - -   4000 3.68 руб. 4000 2000 Полевой транзистор, N-канальный, 60 В, 200 мА
MOSFET N-канальный металл-оксидСтандартный60 В200 мА5 Ом350 мВт3 В60 пФСквозной
2N7000TA 2N7000TA  FSC TO-92
1:
3.21

400:
2.98

2000:
2.76
1325 75   172000 2.50 руб. 3000 2000 Полевой транзистор, N-канальный, 60 В, 350 мА
MOSFET N-канальный металл-оксидС логическим управлением60В350мА (Tc)5 Ом , 500мА, 10В1Вт3В , 250 мкА2нКл , 5В43пФ , 25ВСквозной
2N7000TA 2N7000TA  FSC TO-92 - - -   59000 2.15 руб. 70 2000 Полевой транзистор, N-канальный, 60 В, 200 мА
MOSFET N-канальный металл-оксидС логическим управлением60 В350 мА5 Ом1 Вт3 В2 нКл43 пФСквозной
2N7002 2N7002  FSC SOT-23
1:
2.75

500:
1.79

3000:
1.48
8500 -   26316 1.45 руб. 153 3000 Полевой транзистор, N-канальный, 60 В, 200 мА
MOSFET N-канальный металл-оксидС логическим управлением60 В115 мА7.5 Ом200 мВт2.5 В50 пФПоверхностный
2N7002 2N7002  Galaxy SOT-23
1:
2.46

500:
1.38

3000:
1.08
28535 1923   - - - 3000 Полевой транзистор, N-канальный, 60 В, 0.115 А(постоянный), 0.8 А(импульсный)
MOSFET N-канальный металл-оксидС логическим управлением60 В115 мА7.5 Ом200 мВт2.5 В50 пФПоверхностный
2N7002 2N7002  DC SOT-23 - - -   9174 1.32 руб. 1237 3000 Полевой транзистор, N-канальный, 60 В, 200 мА, 0.2 Вт
MOSFET N-канальный металл-оксидС логическим управлением60 В115 мА7.5 Ом200 мВт2.5 В50 пФПоверхностный
2N7002,215 2N7002,215  NEX SOT-23
1:
2.27

500:
1.48

3000:
1.22
29167 59   5511147 1.11 руб. 153 3000 Полевой транзистор, N-канальный, 60 В, 300 мА
MOSFET N-канальный металл-оксидС логическим управлением60 В300 мА5 Ом830 мВт2.5 В50 пФПоверхностный
2N7002-7-F 2N7002-7-F  DIODES SOT-23
1:
2.45

500:
1.13

3000:
0.85
350 30 В пути 1050000 0.73 руб. 6000 3000 Полевой транзистор, N-канальный, 60 В, 115 мА
MOSFET N-канальный металл-оксидСтандартный60 В115 мА7.5 Ом300 мВт2.5 В50 пФПоверхностный
2N7002-T1-E3 2N7002-T1-E3   VISHAY SOT-23 - - -   27000 2.36 руб. 6000 3000 Полевой транзистор, N-канальный, 60 В, 115 мА
MOSFET N-канальный, металл-оксидС логическим управлением60 В115 мА7.5 Ом200 мВт2.5 В50 пФПоверхностный
2N7002BK,215 2N7002BK,215  NEX SOT-23
1:
3.20

500:
1.79

3000:
1.41
- -   4749000 1.22 руб. 9000 3000 Полевой транзистор, N-канальный, 60 В, 350 мА, 0.83 Вт
MOSFET N-канальный металл-оксидС логическим управлением60 В350 мА1.6 Ом370 мВт2.1 В0.6 нКл50 пФПоверхностный
2N7002BKW,115 2N7002BKW,115  NEX SOT-323
1:
2.82

500:
2.62

3000:
2.42
2810 50   33000 2.10 руб. 9000 3000 Полевой транзистор, N-канальный, 60 В, 310 мА, 0.88 Вт
MOSFET N-канальный, металл-оксидС логическим управлением60 В310 мА1.6 Ом275 мВт2.1 В0.6 нКл50 пФПоверхностный
2N7002CK,215 2N7002CK,215  NEX SOT-23
1:
1.73

500:
1.61

3000:
1.49
6000 30   594000 1.27 руб. 9000 3000 Полевой транзистор, N-канальный, 60 В
MOSFET N-канальный металл-оксидС логическим управлением60 В300 мА1.6 Ом350 мВт2.5 В1.3 нКл55 пФПоверхностный
2N7002ET1G 2N7002ET1G  ONS SOT-23
1:
1.87

500:
1.01

3000:
0.82
4937 37   45609 0.94 руб. 3396 3000 Полевой транзистор, N-канальный, 60 В, 260 мА
MOSFET N-канальный металл-оксидС логическим управлением60 В260 мА2.5 Ом300 мВт2.5 В0.81 нКл26.7 пФПоверхностный
2N7002H6327XTSA2 2N7002H6327XTSA2  INF   - - -   20920 1.29 руб. 2479 3000 Полевой транзистор
2N7002K 2N7002K  FSC SOT-23 - - -   15000 1.54 руб. 9000 3000 Полевой транзистор, N-канальный, 60 В, 300 мА
MOSFET N-канальный металл-оксидС логическим управлением60 В300 мА2 Ом350 мВт2.5 В50 пФПоверхностный
2N7002K _R1 _00001 2N7002K _R1 _00001   PANJIT   - - -   378000 0.98 руб. 12000 3000 Полевой транзистор
2N7002K-T1-GE3 2N7002K-T1-GE3  VISHAY SOT-23
1:
4.21

500:
2.36

3000:
1.85
4003 24   21211 1.86 руб. 163 3000 Полевой транзистор, N-канальный, 60 В, 300 мА, 0.35 Вт
MOSFET N-канальный, металл-оксидС логическим управлением60 В300 мА2 Ом350 мВт2.5 В0.6 нКл30 пФПоверхностный
2N7002LT1G 2N7002LT1G  ONS SOT-23
1:
1.97

500:
1.06

3000:
0.87
23539 23   23000 1.41 руб. 223 3000 Полевой транзистор, N-канальный, 60 В, 115 мА, 0.3 Вт
MOSFET N-канальный металл-оксидС логическим управлением60 В115 мА7.5 Ом225 мВт2.5 В50 пФПоверхностный
2N7002P,215 2N7002P,215  NEX SOT-23
1:
2.01

500:
1.31

3000:
1.08
1979 95   240000 1.05 руб. 9000 3000 Полевой транзистор, N-канальный, 60 В, 0.36 А
MOSFET N-канальный металл-оксидС логическим управлением60 В360 мА1.6 Ом350 мВт2.4 В0.8 нКл50 пФПоверхностный
2N7002P,235 2N7002P,235  NEX SOT-23 - - -   20000 1.05 руб. 20000 10000 Полевой транзистор, N-канальный, 60 В, 0.36 А
MOSFET N-канальный металл-оксидС логическим управлением60 В360 мА1.6 Ом350 мВт2.4 В0.8 нКл50 пФПоверхностный
2N7002PW,115 2N7002PW,115  NEX SOT-323 - - -   87000 1.25 руб. 9000 3000 Полевой транзистор, N-канальный, 60 В, 0.31 А
MOSFET N-канальный, металл-оксидС логическим управлением60 В310 мА1.6 Ом260 мВт2.4 В0.8 нКл50 пФПоверхностный
2N7002T 2N7002T  FSC SOT-523F - - -   27000 2.21 руб. 3000 3000 Полевой транзистор, N-канальный, 60 В, 115 мА
MOSFET N-канальный металл-оксидС логическим управлением60 В115 мА7.5 Ом200 мВт2 В50 пФПоверхностный
2N7002T-7-F 2N7002T-7-F   DIODES SOT-523 - - -   69000 3.11 руб. 3000 3000 Полевой транзистор, N-канальный, 60 В, 115 мА
MOSFET N-канальный металл-оксидСтандартный60 В115 мА7.5 Ом150 мВт2 В50 пФПоверхностный
2N7002W 2N7002W  FSC SC-70 - - -   9000 2.45 руб. 3000 3000 Полевой транзистор, N-канальный, 60 В, 115 мА
MOSFET N-канальный, металл-оксидС логическим управлением60 В115 мА7.5 Ом200 мВт2 В50 пФПоверхностный

123456>>>

сообщение об ошибке