8 800 1000 321 - контакт центр

Одиночные MOSFET транзисторы

Вид: 
Таблицой
Витриной
Выводить по:
  
Показывать:

Производитель

Корпус

Тип транзистора

Особенности

Напряжение исток-сток макс.

Ток стока макс.

Сопротивление открытого канала

Мощность макс.

Пороговое напряжение включения макс.

Заряд затвора

Входная емкость

Тип монтажа


123456>>>

  - Новинка      - На позицию действует специальное предложение по цене      - Позиция попадает под 'Распродажу', оптовая цена ниже цены производителя
Фото Наименование
Произ-ль Корпус Со склада В пути Под заказ Норм. упаковка Краткое описание
Тип транзистораОсобенностиНапряжение исток-сток макс.Ток стока макс.Сопротивление открытого каналаМощность макс.Пороговое напряжение включения макс.Заряд затвораВходная емкостьТип монтажа
Цена Всего Розн. маг. Цена Всего Мин. кол.
2N7000 2N7000   UTC TO-92 - - -   от 4.43 руб. 46000 4000 2000 Полевой транзистор, N-канальный, 60 В, 350 мАMOSFET N-канальный металл-оксидС логическим управлением60 В350 мА5 Ом1 Вт3 В2 нКл43 пФСквозной
2N7000BU 2N7000BU   ONS TO-92 - - -   - - - 1000 Полевой транзистор, N-канальный, 60 В, 200 мАMOSFET N-канальный металл-оксидСтандартный60 В200 мА5 Ом400 мВт3 В50 пФСквозной
2N7000G 2N7000G   ONS TO-92 - - -   - - - 1000 Полевой транзистор, N-канальный, 60 В, 200 мАMOSFET N-канальный металл-оксидСтандартный60 В200 мА5 Ом350 мВт3 В60 пФСквозной
2N7000TA 2N7000TA  ONS TO-92 от 3.97 руб 494 61   от 2.85 руб. 47000 110 2000 Полевой транзистор, N-канальный, 60 В, 350 мАMOSFET N-канальный металл-оксидС логическим управлением60В350мА (Tc)5 Ом , 500мА, 10В1Вт3В , 250 мкА2нКл , 5В43пФ , 25ВСквозной
2N7000_D26Z 2N7000_D26Z  ONS TO-92 - - -   от 3.24 руб. 80000 2000 2000 Полевой транзистор, N-канальный, 60 В, 200 мАMOSFET N-канальный металл-оксидСтандартный60 В200 мА5 Ом400 мВт3 В50 пФСквозной
2N7002 2N7002  Galaxy SOT-23 от 1.27 руб 15202 771   - - - 3000 Полевой транзистор, N-канальный, 60 В, 0.115 А(постоянный), 0.8 А(импульсный)MOSFET N-канальный металл-оксидС логическим управлением60 В115 мА7.5 Ом200 мВт2.5 В50 пФПоверхностный
2N7002 2N7002  ONS SOT-23 от 2.10 руб 2128 -   от 1.94 руб. 804000 153 3000 Полевой транзистор, N-канальный, 60 В, 200 мА, 0.35WMOSFET N-канальный металл-оксидС логическим управлением60 В115 мА7.5 Ом200 мВт2.5 В50 пФПоверхностный
2N7002 2N7002  DC SOT-23 - - -   - - - 3000 Полевой транзистор, N-канальный, 60 В, 200 мА, 0.2 ВтMOSFET N-канальный металл-оксидС логическим управлением60 В115 мА7.5 Ом200 мВт2.5 В50 пФПоверхностный
2N7002,215 2N7002,215  NEX SOT-23 от 3.14 руб 13575 112   от 3.10 руб. 4085117 94 3000 Полевой транзистор, N-канальный, 60 В, 300 мА, 0.83WMOSFET N-канальный металл-оксидС логическим управлением60 В300 мА5 Ом830 мВт2.5 В50 пФПоверхностный
2N7002-7-F 2N7002-7-F  DIODES SOT-23 от 3.17 руб 9889 20   от 34.01 руб. 3681000 3000 3000 Полевой транзистор, N-канальный, 60 В, 115 мА, 0.54WMOSFET N-канальный металл-оксидСтандартный60 В115 мА7.5 Ом300 мВт2.5 В50 пФПоверхностный
2N7002-T1-E3 2N7002-T1-E3   VISHAY SOT-23 - - -   от 1.70 руб. 141000 3000 3000 Полевой транзистор, N-канальный, 60 В, 115 мАMOSFET N-канальный, металл-оксидС логическим управлением60 В115 мА7.5 Ом200 мВт2.5 В50 пФПоверхностный
2N7002-TP 2N7002-TP   MCC SOT-23 - - -   от 1.13 руб. 10833000 6000 3000 MOSFET N-CH 60V 0.115A SOT-23MOSFET N-Channel, Metal OxideLogic Level Gate60V115mA (Ta)7.5 Ohm @ 500mA, 10V200mW2.5V @ 250 µA50pF @ 25VSurface Mount
2N7002AQ-7 2N7002AQ-7    DIODES   - - -   от 2.14 руб. 9000 6000 3000  
2N7002BK,215 2N7002BK,215  NEX SOT-23 от 2.18 руб 6728 56   от 0.00 руб. 24000 0 3000 Полевой транзистор, N-канальный, 60 В, 350 мА, 0.83 ВтMOSFET N-канальный металл-оксидС логическим управлением60 В350 мА1.6 Ом370 мВт2.1 В0.6 нКл50 пФПоверхностный
2N7002BKM,315 2N7002BKM,315   NEX SOT-883 - - -   от 4.52 руб. 20000 10000 10000 MOSFET N-CH 60V 450MA SOT883MOSFET N-Channel, Metal OxideLogic Level Gate60V450mA (Ta)1.6 Ohm @ 500mA, 10V360mW2.1V @ 250 µA0.6nC @ 4.5V50pF @ 10VSurface Mount
2N7002BKW,115 2N7002BKW,115  NEX SOT-323 от 2.85 руб 1760 10   от 2.51 руб. 168000 3000 3000 Полевой транзистор, N-канальный, 60 В, 310 мА, 0.88 ВтMOSFET N-канальный, металл-оксидС логическим управлением60 В310 мА1.6 Ом275 мВт2.1 В0.6 нКл50 пФПоверхностный
2N7002CK,215 2N7002CK,215  NEX SOT-23 от 3.04 руб 5477 45   от 1.45 руб. 1176000 3000 3000 Полевой транзистор, N-канальный, 60 ВMOSFET N-канальный металл-оксидС логическим управлением60 В300 мА1.6 Ом350 мВт2.5 В1.3 нКл55 пФПоверхностный
2N7002E-7-F 2N7002E-7-F   DIODES SOT-23 - - -   от 1.82 руб. 9000 9000 3000 Полевой транзистор, N-канальный, 60 В, 250 мАMOSFET N-канальный металл-оксидС логическим управлением60 В250 мА3 Ом370 мВт2.5 В0.22 нКл50 пФПоверхностный
2N7002E-T1-E3 2N7002E-T1-E3   VISHAY SOT-23 - - -   от 13.70 руб. 51000 3000 3000 Полевой транзистор, N-канальный, 60 В, 240 мАMOSFET N-канальный, металл-оксидС логическим управлением60 В240 мА3 Ом350 мВт2.5 В0.6 нКл21 пФПоверхностный
2N7002ET1G 2N7002ET1G  ONS SOT-23 от 1.37 руб 4503 56   от 25.51 руб. 2952000 3000 3000 Полевой транзистор, N-канальный, 60 В, 260 мАMOSFET N-канальный металл-оксидС логическим управлением60 В260 мА2.5 Ом300 мВт2.5 В0.81 нКл26.7 пФПоверхностный
2N7002H6327 2N7002H6327  INF   - - -   от 1.78 руб. 14000 1055 3000 Полевой транзистор
2N7002K 2N7002K  ONS SOT-23 - - -   - - - 3000 Полевой транзистор, N-канальный, 60 В, 300 мАMOSFET N-канальный металл-оксидС логическим управлением60 В300 мА2 Ом350 мВт2.5 В50 пФПоверхностный
2N7002K _R1 _00001 2N7002K _R1 _00001   PANJIT   - - -   от 1.07 руб. 108000 12000 3000 Полевой транзистор
2N7002K-13 2N7002K-13    DIODES   - - -   от 0.00 руб. 220000 0 10000  

123456>>>

сообщение об ошибке