8 800 1000 321 - контакт центр

Одиночные MOSFET транзисторы

Вид: 
Таблицой
Витриной
Показывать: 
по:

Производитель

Корпус

Тип транзистора

Особенности

Напряжение исток-сток макс.

Ток стока макс.

Сопротивление открытого канала

Мощность макс.

Пороговое напряжение включения макс.

Заряд затвора

Входная емкость

Тип монтажа


123456>>>

  - Новинка      - На позицию действует специальное предложение по цене      - Позиция попадает под 'Распродажу', оптовая цена ниже цены производителя
Фото Наименование
Произ-ль Корпус Со склада В пути Под заказ Норм. упаковка Краткое описание
Тип транзистораОсобенностиНапряжение исток-сток макс.Ток стока макс.Сопротивление открытого каналаМощность макс.Пороговое напряжение включения макс.Заряд затвораВходная емкостьТип монтажа
Цена Всего Розн. маг. Цена Всего Мин. кол.
2N7000BU 2N7000BU   ONS TO-92 - - -   от 5.80 руб. 298 78 1000 Полевой транзистор, N-канальный, 60 В, 200 мАMOSFET N-канальный металл-оксидСтандартный60 В200 мА5 Ом400 мВт3 В50 пФСквозной
2N7000G 2N7000G   ONS TO-92 - - -   от 4.65 руб. 378 98 1000 Полевой транзистор, N-канальный, 60 В, 200 мАMOSFET N-канальный металл-оксидСтандартный60 В200 мА5 Ом350 мВт3 В60 пФСквозной
2N7000TA 2N7000TA  ONS TO-92 от 3.19 руб 671 165   от 3.60 руб. 38000 3000 2000 Полевой транзистор, N-канальный, 60 В, 350 мАMOSFET N-канальный металл-оксидС логическим управлением60В350мА (Tc)5 Ом , 500мА, 10В1Вт3В , 250 мкА2нКл , 5В43пФ , 25ВСквозной
2N7000_D26Z 2N7000_D26Z  ONS TO-92 - - -   от 3.69 руб. 6000 4000 2000 Полевой транзистор, N-канальный, 60 В, 200 мАMOSFET N-канальный металл-оксидСтандартный60 В200 мА5 Ом400 мВт3 В50 пФСквозной
2N7002 2N7002  Galaxy SOT-23 от 1.20 руб 7092 1570   - - - 3000 Полевой транзистор, N-канальный, 60 В, 0.115 А(постоянный), 0.8 А(импульсный)MOSFET N-канальный металл-оксидС логическим управлением60 В115 мА7.5 Ом200 мВт2.5 В50 пФПоверхностный
2N7002 2N7002  ONS SOT-23 от 2.83 руб 8427 -   от 1.68 руб. 21241 185 3000 Полевой транзистор, N-канальный, 60 В, 200 мАMOSFET N-канальный металл-оксидС логическим управлением60 В115 мА7.5 Ом200 мВт2.5 В50 пФПоверхностный
2N7002,215 2N7002,215  NEX SOT-23 от 2.00 руб 1664 -   от 1.85 руб. 6500 247 3000 Полевой транзистор, N-канальный, 60 В, 300 мАMOSFET N-канальный металл-оксидС логическим управлением60 В300 мА5 Ом830 мВт2.5 В50 пФПоверхностный
2N7002-7-F 2N7002-7-F  DIODES SOT-23 от 1.06 руб 5350 30   - - - 3000 Полевой транзистор, N-канальный, 60 В, 115 мАMOSFET N-канальный металл-оксидСтандартный60 В115 мА7.5 Ом300 мВт2.5 В50 пФПоверхностный
2N7002BK,215 2N7002BK,215  NEX SOT-23 от 1.61 руб 13328 56   от 1.36 руб. 1689000 6000 3000 Полевой транзистор, N-канальный, 60 В, 350 мА, 0.83 ВтMOSFET N-канальный металл-оксидС логическим управлением60 В350 мА1.6 Ом370 мВт2.1 В0.6 нКл50 пФПоверхностный
2N7002BKW,115 2N7002BKW,115  NEX SOT-323 от 2.80 руб 2280 10   - - - 3000 Полевой транзистор, N-канальный, 60 В, 310 мА, 0.88 ВтMOSFET N-канальный, металл-оксидС логическим управлением60 В310 мА1.6 Ом275 мВт2.1 В0.6 нКл50 пФПоверхностный
2N7002CK,215 2N7002CK,215  NEX SOT-23 от 2.98 руб 5698 10   от 2.52 руб. 378000 6000 3000 Полевой транзистор, N-канальный, 60 ВMOSFET N-канальный металл-оксидС логическим управлением60 В300 мА1.6 Ом350 мВт2.5 В1.3 нКл55 пФПоверхностный
2N7002ET1G 2N7002ET1G  ONS SOT-23 от 2.38 руб 3168 101   от 2.66 руб. 312426 1169 3000 Полевой транзистор, N-канальный, 60 В, 260 мАMOSFET N-канальный металл-оксидС логическим управлением60 В260 мА2.5 Ом300 мВт2.5 В0.81 нКл26.7 пФПоверхностный
2N7002H6327 2N7002H6327  INF   - - -   от 1.66 руб. 10848 1883 3000 Полевой транзистор
2N7002K 2N7002K  ONS SOT-23 - - -   от 4.03 руб. 217 113 3000 Полевой транзистор, N-канальный, 60 В, 300 мАMOSFET N-канальный металл-оксидС логическим управлением60 В300 мА2 Ом350 мВт2.5 В50 пФПоверхностный
2N7002K-13 2N7002K-13    DIODES   - - -   от 1.63 руб. 50000 10000 10000  
2N7002K-T1-GE3 2N7002K-T1-GE3  VISHAY SOT-23 от 2.12 руб 4057 78   от 2.06 руб. 76768 185 3000 Полевой транзистор, N-канальный, 60 В, 300 мА, 0.35 ВтMOSFET N-канальный, металл-оксидС логическим управлением60 В300 мА2 Ом350 мВт2.5 В0.6 нКл30 пФПоверхностный
2N7002KT1G 2N7002KT1G   ONS SOT-23 - - -   от 3.03 руб. 180 150 3000 Полевой транзистор, N-канальный, 60 В, 320 мАMOSFET N-канальный металл-оксидС логическим управлением60 В320 мА1.6 Ом300 мВт2.5 В0.7 нКл24.5 пФПоверхностный
2N7002LT1G 2N7002LT1G  ONS SOT-23 от 2.13 руб 6297 191   от 1.98 руб. 1000 232 3000 Полевой транзистор, N-канальный, 60 В, 115 мА, 0.3 ВтMOSFET N-канальный металл-оксидС логическим управлением60 В115 мА7.5 Ом225 мВт2.5 В50 пФПоверхностный
2N7002P,215 2N7002P,215  NEX SOT-23 от 13.18 руб 3674 55   от 1.51 руб. 304278 2083 3000 Полевой транзистор, N-канальный, 60 В, 0.36 АMOSFET N-канальный металл-оксидС логическим управлением60 В360 мА1.6 Ом350 мВт2.4 В0.8 нКл50 пФПоверхностный
2N7002PW,115 2N7002PW,115  NEX SOT-323 - - -   от 2.98 руб. 228000 6000 3000 Полевой транзистор, N-канальный, 60 В, 0.31 АMOSFET N-канальный, металл-оксидС логическим управлением60 В310 мА1.6 Ом260 мВт2.4 В0.8 нКл50 пФПоверхностный
2N7002T 2N7002T  ONS SOT-523F - - -   от 4.99 руб. 66000 3000 3000 Полевой транзистор, N-канальный, 60 В, 115 мАMOSFET N-канальный металл-оксидС логическим управлением60 В115 мА7.5 Ом200 мВт2 В50 пФПоверхностный
2N7002W 2N7002W  ONS SC-70 - - -   от 3.70 руб. 57000 3000 3000 Полевой транзистор, N-канальный, 60 В, 115 мАMOSFET N-канальный, металл-оксидС логическим управлением60 В115 мА7.5 Ом200 мВт2 В50 пФПоверхностный
2N7002W-7-F 2N7002W-7-F  DIODES SOT-323 от 2.17 руб 2584 30   от 3.35 руб. 195000 3000 3000 Полевой транзистор, N-канальный, 60 В, 115 мА, 0.2 ВтMOSFET N-канальный, металл-оксидСтандартный60 В115 мА7.5 Ом200 мВт2 В50 пФПоверхностный
2N7002WT1G 2N7002WT1G  ONS SOT-323 от 2.05 руб 2414 91   от 1.92 руб. 157359 134 3000 Полевой транзистор, N-канальный, 60 В, 310 мАMOSFET N-канальный, металл-оксидС логическим управлением60 В310 мА1.6 Ом280 мВт2.5 В0.7 нКл24.5 пФПоверхностный

123456>>>

сообщение об ошибке