Одиночные MOSFET транзисторы ON Semiconductor

1640
Производитель: ON Semiconductor
Фильтр
Производители
Корпус
Тип транзистора
Особенности
Напряжение сток-исток макс.
Ток стока макс.
Сопротивление открытого канала
Мощность макс.
Пороговое напряжение включения макс.
Заряд затвора
Входная емкость
Тип монтажа
Одиночные MOSFET транзисторы (1640)
-8% Акция
2N7000TA 2N7000TA Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 350мА, 0.4Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO92/formed lead
Напряжение сток-исток макс.:
60В
Ток стока макс.:
200мА
Сопротивление открытого канала:
5 Ом
Мощность макс.:
400мВт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Входная емкость:
50пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
2 996 шт

Внешние склады:
3 000 шт
Аналоги:
17 701 шт
Цена от:
от 4,80
2N7002ET1G 2N7002ET1G Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 260мА, 0.3Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT-23
Наличие:
8 802 шт

Внешние склады:
52 584 шт
Аналоги:
74 195 шт
Цена от:
от 1,86
Акция
2N7002K 2N7002K Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 300мА
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT-23
Напряжение сток-исток макс.:
60В
Ток стока макс.:
300мА
Сопротивление открытого канала:
2 Ом
Мощность макс.:
350мВт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
2.5В
Входная емкость:
50пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
234 шт

Внешние склады:
3 000 шт
Аналоги:
893 579 шт
Цена от:
от 4,32
2N7002KT1G 2N7002KT1G Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 320мА, 0.3Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT-23
Напряжение сток-исток макс.:
60В
Ток стока макс.:
320мА
Сопротивление открытого канала:
1.6 Ом
Мощность макс.:
300мВт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
2.5В
Заряд затвора:
0.7нКл
Входная емкость:
24.5пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
3 180 шт

Внешние склады:
26 752 шт
Аналоги:
866 881 шт
Цена от:
от 2,10
2N7002LT1G 2N7002LT1G Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 115мА, 0.3Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT23-3
Напряжение сток-исток макс.:
60В
Ток стока макс.:
115мА
Сопротивление открытого канала:
7.5 Ом
Мощность макс.:
225мВт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
2.5В
Входная емкость:
50пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
79 500 шт

Внешние склады:
95 072 шт
Аналоги:
39 160 шт
Цена от:
от 1,86
2N7002WT1G 2N7002WT1G Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 115мА, 0.2Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT-323
Напряжение сток-исток макс.:
60В
Ток стока макс.:
310мА
Сопротивление открытого канала:
1.6 Ом
Мощность макс.:
280мВт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
2.5В
Заряд затвора:
0.7нКл
Входная емкость:
24.5пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
27 799 шт

Внешние склады:
35 370 шт
Аналоги:
52 201 шт
Цена от:
от 1,62
-8% Акция
2V7002KT1G 2V7002KT1G Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 320мА
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT-23
Напряжение сток-исток макс.:
60В
Ток стока макс.:
320мА
Сопротивление открытого канала:
1.6 Ом
Мощность макс.:
300мВт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Automotive, Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
2.3В
Заряд затвора:
0.7нКл
Входная емкость:
24.5пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
2 019 шт

Внешние склады:
3 000 шт
Цена от:
от 1,68
2V7002LT1G 2V7002LT1G Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 115мА, 0.225Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT-23
Напряжение сток-исток макс.:
60В
Ток стока макс.:
115мА
Сопротивление открытого канала:
7.5 Ом
Мощность макс.:
300мВт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Automotive, Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
2.5В
Входная емкость:
50пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
6 866 шт

Внешние склады:
3 644 шт
Цена от:
от 3,78
-8% Акция
2V7002WT1G 2V7002WT1G Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 310мА
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SC-70-3 (SOT323)
Напряжение сток-исток макс.:
60В
Ток стока макс.:
310мА
Сопротивление открытого канала:
1.6 Ом
Мощность макс.:
280мВт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Automotive, Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
2.5В
Заряд затвора:
0.7нКл
Входная емкость:
24.5пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
5 566 шт

Внешние склады:
3 000 шт
Цена от:
от 3,30
BS170 BS170 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 0.5А 0.83Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO92-3
Напряжение сток-исток макс.:
60В
Ток стока макс.:
500мА
Сопротивление открытого канала:
5 Ом
Мощность макс.:
830мВт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Входная емкость:
40пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
4 685 шт

Внешние склады:
5 812 шт
Аналоги:
3 000 шт
Цена от:
от 8,64
BSS123LT1G BSS123LT1G Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 0.17А 0.225Вт, 6.0 Ом
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT-23
Напряжение сток-исток макс.:
100В
Ток стока макс.:
170мА
Сопротивление открытого канала:
6 Ом
Мощность макс.:
225мВт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
2.8В
Входная емкость:
20пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
20 200 шт

Внешние склады:
22 704 шт
Аналоги:
455 229 шт
Цена от:
от 1,92
BSS138LT1G BSS138LT1G Транзистор полевой MOSFET N-канальный 50В 0.2А 0.36Вт, 3.5 Ом
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT-23
Напряжение сток-исток макс.:
50В
Ток стока макс.:
200мА
Сопротивление открытого канала:
3.5 Ом
Мощность макс.:
225мВт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
1.5В
Входная емкость:
50пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
14 437 шт

Внешние склады:
189 429 шт
Аналоги:
1 131 019 шт
Цена от:
от 2,46
BSS138W BSS138W Транзистор полевой MOSFET N-канальный 50В 0,21A SOT323
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT-323
Напряжение сток-исток макс.:
50В
Ток стока макс.:
210мА(Ta)
Сопротивление открытого канала:
3.5 Ом @ 220mА, 10В
Мощность макс.:
340мВт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Standard
Пороговое напряжение включения макс.:
1.5В @ 1mA
Заряд затвора:
1.1нКл @ 10В
Входная емкость:
38пФ @ 25В
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
20 672 шт

Внешние склады:
5 004 шт
Аналоги:
467 807 шт
Цена от:
от 5,10
BSS84LT1G BSS84LT1G Транзистор полевой MOSFET P-канальный 50В 130мА, 0.225Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT-23
Напряжение сток-исток макс.:
50В
Ток стока макс.:
130мА
Сопротивление открытого канала:
10 Ом
Мощность макс.:
225мВт
Тип транзистора:
P-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Входная емкость:
30пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
27 414 шт

Внешние склады:
154 435 шт
Аналоги:
677 304 шт
Цена от:
от 1,98
-8% Акция
BUZ11_NR4941 BUZ11_NR4941 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 50В 30А 75Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-220AB
Напряжение сток-исток макс.:
50В
Ток стока макс.:
30A
Сопротивление открытого канала:
40 мОм
Мощность макс.:
75Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Входная емкость:
2000пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
4 598 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 60,96
-8% Акция
BVSS123LT1G BVSS123LT1G Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 170мА, 0.225Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT23-3
Напряжение сток-исток макс.:
100В
Ток стока макс.:
170мА
Сопротивление открытого канала:
6 Ом
Мощность макс.:
225мВт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
2.8В
Входная емкость:
20пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
3 271 шт

Внешние склады:
3 000 шт
Цена от:
от 1,56
-8% Акция
BVSS138LT1G BVSS138LT1G Транзистор полевой MOSFET N-канальный 50В 200мА, 0.225Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT23-3
Напряжение сток-исток макс.:
50В
Ток стока макс.:
200мА
Сопротивление открытого канала:
3.5 Ом
Мощность макс.:
225мВт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
1.5В
Входная емкость:
50пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
4 380 шт

Внешние склады:
3 000 шт
Цена от:
от 5,64
-8% Акция
BVSS84LT1G BVSS84LT1G Транзистор полевой MOSFET P-канальный 50В 130мА, 0.225Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT23-3
Напряжение сток-исток макс.:
50В
Ток стока макс.:
130мА
Сопротивление открытого канала:
10 Ом
Мощность макс.:
225мВт
Тип транзистора:
P-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
2.2нКл
Входная емкость:
36пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
808 шт

Внешние склады:
3 000 шт
Цена от:
от 1,92
FCH35N60 FCH35N60 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 35A TO-247
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-247-3
Напряжение сток-исток макс.:
600В
Ток стока макс.:
35A(Tc)
Сопротивление открытого канала:
98 мОм @ 17.5А, 10В
Мощность макс.:
312.5Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Standard
Пороговое напряжение включения макс.:
5В @ 250 µA
Заряд затвора:
181нКл @ 10В
Входная емкость:
6640пФ @ 25В
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
96 шт

Внешние склады:
300 шт
Цена от:
от 396,48
-8% Акция
FCI25N60N_F102 FCI25N60N_F102 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 25A, 216Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-262
Напряжение сток-исток макс.:
600В
Ток стока макс.:
25А
Мощность макс.:
216Вт
Тип транзистора:
N-канальный
Наличие:
97 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 221,58
На странице: