Одиночные MOSFET транзисторы Vishay

Фильтр
Фильтр
Производители
Корпус
Тип транзистора
Особенности
Напряжение исток-сток макс.
Ток стока макс.
Сопротивление открытого канала
Мощность макс.
Пороговое напряжение включения макс.
Заряд затвора
Входная емкость
Тип монтажа
Одиночные MOSFET транзисторы (880)
2N7002-T1-E3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 115мА
Производитель:
Vishay
Корпус:
TO-236
Напряжение исток-сток макс.:
60В
Ток стока макс.:
115мА
Сопротивление открытого канала:
7.5 Ом
Мощность макс.:
200мВт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
2.5В
Входная емкость:
50пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
0 шт
Аналоги:
786 719 шт
Цена от:
от 0,68
2N7002-T1-GE3 Транзистор полевой N-канальный 60В 0.115A 3-Pin(2+Tab) D2PAK лента на катушке
Производитель:
Vishay
Корпус:
SOT23-3
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
0 шт
Аналоги:
786 719 шт
Цена от:
от 0,68
2N7002E-T1-E3 Транзистор полевой N-канальный 60В 240мА
Производитель:
Vishay
Корпус:
SOT-23-3 (TO-236)
Напряжение исток-сток макс.:
60В
Ток стока макс.:
240мА
Сопротивление открытого канала:
3 Ом
Мощность макс.:
350мВт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
2.5В
Заряд затвора:
0.6нКл
Входная емкость:
21пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Акция
2N7002E-T1-GE3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 0.24A 3-Pin SOT-23 лента на катушке
Производитель:
Vishay
Корпус:
SOT-23
Напряжение исток-сток макс.:
60В
Ток стока макс.:
240мА(Ta)
Сопротивление открытого канала:
3 Ом @ 250mА, 10В
Мощность макс.:
350мВт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
2.5В @ 250 µA
Заряд затвора:
0.6нКл @ 4.5В
Входная емкость:
21пФ @ 5В
Тип монтажа:
Surface Mount
2N7002K-T1-E3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 300мА
Производитель:
Vishay
Корпус:
SOT-23-3 (TO-236)
Напряжение исток-сток макс.:
60В
Ток стока макс.:
300мА
Сопротивление открытого канала:
2 Ом
Мощность макс.:
350мВт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
2.5В
Заряд затвора:
0.6нКл
Входная емкость:
30пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
2N7002K-T1-GE3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 300мА, 0.35Вт
Производитель:
Vishay
Корпус:
SOT-23
Напряжение исток-сток макс.:
60В
Ток стока макс.:
300мА
Сопротивление открытого канала:
2 Ом
Мощность макс.:
350мВт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
2.5В
Заряд затвора:
0.6нКл
Входная емкость:
30пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
3N163 Полевой транзистор, P-канальный, 40 В, 50 мА
Производитель:
Vishay
Корпус:
TO-72
Напряжение исток-сток макс.:
40В
Ток стока макс.:
50мА
Сопротивление открытого канала:
250 Ом
Мощность макс.:
375мВт
Тип транзистора:
P-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Входная емкость:
3.5пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Акция
IRF510PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 5.6А 43Вт, 0.54 Ом
Производитель:
Vishay
Корпус:
TO-220AB
Напряжение исток-сток макс.:
100В
Ток стока макс.:
5.6A
Сопротивление открытого канала:
540 мОм
Мощность макс.:
43Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
8.3нКл
Входная емкость:
180пФ
Тип монтажа:
Through Hole
IRF510SPBF Транзистор полевой N-канальный 100В 5.6A
Производитель:
Vishay
Корпус:
D2PAK/TO263
Напряжение исток-сток макс.:
100В
Ток стока макс.:
5.6A
Сопротивление открытого канала:
540 мОм
Мощность макс.:
3.7Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
8.3нКл
Входная емкость:
180пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
IRF510STRLPBF Транзистор полевой N-канальный 100В 5.6A
Производитель:
Vishay
Корпус:
D2PAK/TO263
Напряжение исток-сток макс.:
100В
Ток стока макс.:
5.6A
Сопротивление открытого канала:
540 мОм
Мощность макс.:
3.7Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
8.3нКл
Входная емкость:
180пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
IRF510STRRPBF Полевой транзистор, N-канальный, 100 В, 5.6 А
Производитель:
Vishay
Корпус:
D2PAK/TO263
IRF520PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 9.2А 60Вт
Производитель:
Vishay
Корпус:
TO-220AB
Напряжение исток-сток макс.:
100В
Ток стока макс.:
9.2A
Сопротивление открытого канала:
270 мОм
Мощность макс.:
60Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
16нКл
Входная емкость:
360пФ
Тип монтажа:
Through Hole
IRF530PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 14А 88Вт, 0.16 Ом
Производитель:
Vishay
Корпус:
TO-220
Напряжение исток-сток макс.:
100В
Ток стока макс.:
14A
Сопротивление открытого канала:
160 мОм
Мощность макс.:
88Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
26нКл
Входная емкость:
670пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Акция
IRF530SPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 14A
Производитель:
Vishay
Корпус:
D2Pak (TO-263)
Напряжение исток-сток макс.:
100В
Ток стока макс.:
14A
Сопротивление открытого канала:
160 мОм
Мощность макс.:
3.7Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
26нКл
Входная емкость:
670пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
IRF530STRLPBF Полевой транзистор, N-канальный, 100 В, 14 А
Производитель:
Vishay
Корпус:
D2PAK/TO263
IRF530STRRPBF Полевой транзистор, N-канальный, 100 В, 14 А
Производитель:
Vishay
Корпус:
D2PAK/TO263
Акция
IRF540PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 28А 150Вт, 0.077 Ом
Производитель:
Vishay
Корпус:
TO-220AB
Напряжение исток-сток макс.:
100В
Ток стока макс.:
28A
Сопротивление открытого канала:
77 мОм
Мощность макс.:
150Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
72нКл
Входная емкость:
1700пФ
Тип монтажа:
Through Hole
IRF540SPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 28A
Производитель:
Vishay
Корпус:
D2Pak (TO-263)
Напряжение исток-сток макс.:
100В
Ток стока макс.:
28A
Сопротивление открытого канала:
77 мОм
Мощность макс.:
3.7Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
72нКл
Входная емкость:
1700пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
IRF540STRLPBF Транзистор полевой N-канальный 100В 28A
Производитель:
Vishay
Корпус:
D2Pak (TO-263)
Напряжение исток-сток макс.:
100В
Ток стока макс.:
28A
Сопротивление открытого канала:
77 мОм
Мощность макс.:
3.7Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
72нКл
Входная емкость:
1700пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
IRF610PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 36Вт 200В 3.3А 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
Производитель:
Vishay
Корпус:
TO-220AB
Напряжение исток-сток макс.:
200В
Ток стока макс.:
3.3A
Мощность макс.:
36Вт
Тип транзистора:
N-канал
Тип монтажа:
Through Hole
На странице: