Одиночные MOSFET транзисторы GENESIC SEMICONDUCTOR

Фильтр
Фильтр
Производители
Корпус
Тип транзистора
Особенности
Напряжение исток-сток макс.
Ток стока макс.
Сопротивление открытого канала
Мощность макс.
Пороговое напряжение включения макс.
Заряд затвора
Входная емкость
Тип монтажа
Одиночные MOSFET транзисторы (5)
G2R120MT33J Транзистор полевой MOSFET N-канальный 3300В 34А
Производитель:
GENESIC SEMICONDUCTOR
Корпус:
TO263-7
Напряжение исток-сток макс.:
3300В
Ток стока макс.:
34А
Тип транзистора:
N-канальный
G2R50MT33K Транзистор полевой MOSFET N-канальный 3300В 63А
Производитель:
GENESIC SEMICONDUCTOR
Корпус:
TO-247-4L
Напряжение исток-сток макс.:
3300В
Ток стока макс.:
63А
Тип транзистора:
N-канальный
G3R160MT12D Транзистор полевой MOSFET N-канальный 1200В 19А 106Вт
Производитель:
GENESIC SEMICONDUCTOR
Корпус:
TO-247-3
Напряжение исток-сток макс.:
1200В
Ток стока макс.:
19А
Мощность макс.:
106Вт
Тип транзистора:
N-канальный
Тип монтажа:
Through Hole
G3R20MT12K Транзистор полевой MOSFET N-канальный 1200В 100А
Производитель:
GENESIC SEMICONDUCTOR
Корпус:
TO-247-4L
Напряжение исток-сток макс.:
1200В
Ток стока макс.:
100А
Тип транзистора:
N-канальный
G3R30MT12K Транзистор полевой MOSFET N-канальный 1200В 70А
Производитель:
GENESIC SEMICONDUCTOR
Корпус:
TO-247-4L
Напряжение исток-сток макс.:
1200В
Ток стока макс.:
70А
Тип транзистора:
N-канальный
На странице: