Одиночные MOSFET транзисторы

710
Корпус: D2PAK/TO263
Фильтр
Производители
Корпус
Тип транзистора
Особенности
Напряжение сток-исток макс.
Ток стока макс.
Сопротивление открытого канала
Мощность макс.
Пороговое напряжение включения макс.
Заряд затвора
Входная емкость
Тип монтажа
Одиночные MOSFET транзисторы (710)
FDB120N10 FDB120N10 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 74A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
DBІPAK
Напряжение сток-исток макс.:
100В
Ток стока макс.:
74A
Сопротивление открытого канала:
12 мОм
Мощность макс.:
170Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
4.5В
Заряд затвора:
86нКл
Входная емкость:
5605пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
FDB12N50TM FDB12N50TM Транзистор полевой MOSFET N-канальный 500В 11.5A D2PAK
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
DBІPAK
Напряжение сток-исток макс.:
500В
Ток стока макс.:
11.5А
Тип транзистора:
N-канальный
Тип монтажа:
Surface Mount
FDB13AN06A0 FDB13AN06A0 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 62A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-263AB
Напряжение сток-исток макс.:
60В
Ток стока макс.:
10.9A
Сопротивление открытого канала:
13.5 мОм
Мощность макс.:
115Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
29нКл
Входная емкость:
1350пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
FDB14N30TM FDB14N30TM Транзистор полевой MOSFET N-канальный 300В 14A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
DBІPAK
Напряжение сток-исток макс.:
300В
Ток стока макс.:
14A
Сопротивление открытого канала:
290 мОм
Мощность макс.:
140Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
25нКл
Входная емкость:
1060пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
FDB150N10 FDB150N10 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 57A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
DBІPAK
Напряжение сток-исток макс.:
100В
Ток стока макс.:
57A
Сопротивление открытого канала:
15 мОм
Мощность макс.:
110Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
4.5В
Заряд затвора:
69нКл
Входная емкость:
4760пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
FDB15N50 FDB15N50 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 500В 15A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-263AB
Напряжение сток-исток макс.:
500В
Ток стока макс.:
15A
Сопротивление открытого канала:
380 мОм
Мощность макс.:
300Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
41нКл
Входная емкость:
1850пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
FDB16AN08A0 FDB16AN08A0 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 75В 58A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-263AB
Напряжение сток-исток макс.:
75В
Ток стока макс.:
9A
Сопротивление открытого канала:
16 мОм
Мощность макс.:
135Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
42нКл
Входная емкость:
1857пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
FDB2532 FDB2532 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 150В 79A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
DBІPAK
Напряжение сток-исток макс.:
150В
Ток стока макс.:
8A
Сопротивление открытого канала:
16 мОм
Мощность макс.:
310Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
107нКл
Входная емкость:
5870пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
FDB2552 FDB2552 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 150В 37A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-263AB
Напряжение сток-исток макс.:
150В
Ток стока макс.:
5A
Сопротивление открытого канала:
36 мОм
Мощность макс.:
150Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
51нКл
Входная емкость:
2800пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
FDB2572 FDB2572 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 150В 29A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-263AB
Напряжение сток-исток макс.:
150В
Ток стока макс.:
4A
Сопротивление открытого канала:
54 мОм
Мощность макс.:
135Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
34нКл
Входная емкость:
1770пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
FDB2710 FDB2710 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 250В 50A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
DBІPAK
Напряжение сток-исток макс.:
250В
Ток стока макс.:
50A
Сопротивление открытого канала:
42.5 мОм
Мощность макс.:
260Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
101нКл
Входная емкость:
7280пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
FDB28N30TM FDB28N30TM Транзистор полевой MOSFET N-канальный 300В 28A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
DBІPAK
Напряжение сток-исток макс.:
300В
Ток стока макс.:
28A
Сопротивление открытого канала:
129 мОм
Мощность макс.:
250Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
50нКл
Входная емкость:
2250пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
FDB3502 FDB3502 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 75В 6A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-263AB
Напряжение сток-исток макс.:
75В
Ток стока макс.:
6A
Сопротивление открытого канала:
47 мОм
Мощность макс.:
3.1Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
4.5В
Заряд затвора:
15нКл
Входная емкость:
815пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
FDB3632 FDB3632 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 12A 3-Pin(2+Tab) D2PAK лента на катушке
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
DBІPAK
Напряжение сток-исток макс.:
100В
Ток стока макс.:
12A
Сопротивление открытого канала:
9 мОм
Мощность макс.:
310Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
110нКл
Входная емкость:
6000пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
FDB3652 FDB3652 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 61A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
D2Pak (TO-263)
Напряжение сток-исток макс.:
100В
Ток стока макс.:
9A
Сопротивление открытого канала:
16 мОм
Мощность макс.:
150Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
53нКл
Входная емкость:
2880пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
FDB3682 FDB3682 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 6A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-263AB
Напряжение сток-исток макс.:
100В
Ток стока макс.:
6A
Сопротивление открытого канала:
36 мОм
Мощность макс.:
95Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
28нКл
Входная емкость:
1250пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
FDB390N15A FDB390N15A Полевой транзистор, N-канальный, 150 В, 27 А
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
DBІPAK
FDB44N25TM FDB44N25TM Транзистор полевой MOSFET N-канальный 250В 44A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
DBІPAK
Напряжение сток-исток макс.:
250В
Ток стока макс.:
44A
Сопротивление открытого канала:
69 мОм
Мощность макс.:
307Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
61нКл
Входная емкость:
2870пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
FDB52N20TM FDB52N20TM Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 52A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
DBІPAK
Напряжение сток-исток макс.:
200В
Ток стока макс.:
52A
Сопротивление открытого канала:
49 мОм
Мощность макс.:
357Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
63нКл
Входная емкость:
2900пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
FDB5800 FDB5800 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 80A D2PAK
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
DBІPAK
Напряжение сток-исток макс.:
60В
Ток стока макс.:
80А
Тип транзистора:
N-канальный
Тип монтажа:
Surface Mount
На странице:

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.69252 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"