Одиночные MOSFET транзисторы

₇₁₀

Корпус: D2PAK/TO263

Фильтр

Сортировать по:

Рекомендуем

Наименование

В продаже

Цена

Фильтр

Все товары
В наличии
Спецпредложения
Новинки
Екатеринбург, Розничный магазин

Тип монтажа

Surface Mount (3357)
Chassis Mount (8)
Through Hole (1863)

Умный фильтр

Показать

Одиночные MOSFET транзисторы (710)

IRF2807ZSPBF Полевой транзистор, N-канальный, 75 В, 75 А

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

D2PAK/TO263

Сообщить о поступлении

IRF2807ZSTRLPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 75В 89A 3-Pin(2+Tab) D2PAK лента на катушке

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

D2Pak (TO-263)

Напряжение сток-исток макс.:

75В

Ток стока макс.:

75A

Сопротивление открытого канала:

9.4 мОм

Мощность макс.:

170Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

110нКл

Входная емкость:

3270пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

Акция

IRF2907ZSPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 75В 75А 300Вт

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

D2Pak (TO-263)

Напряжение сток-исток макс.:

75В

Ток стока макс.:

160A

Сопротивление открытого канала:

4.5 мОм

Мощность макс.:

300Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

270нКл

Входная емкость:

7500пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Наличие:

0 шт

Внешние склады:

0 шт

Аналоги:

143 шт

Цена от:

от 385,66₽

IRF3007STRLPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 75В 62A D2PAK

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

D2Pak (TO-263)

Напряжение сток-исток макс.:

75В

Ток стока макс.:

62A(Tc)

Сопротивление открытого канала:

12.6 мОм @ 48А, 10В

Мощность макс.:

120Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Standard

Пороговое напряжение включения макс.:

4В @ 250 µA

Заряд затвора:

130нКл @ 10В

Входная емкость:

3270пФ @ 25В

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

Акция

IRF3205SPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 55В 110А 200Вт, 0.008 Ом

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

D2Pak (TO-263)

Напряжение сток-исток макс.:

55В

Ток стока макс.:

110A

Сопротивление открытого канала:

8 мОм

Мощность макс.:

200Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

146нКл

Входная емкость:

3247пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

IRF3315STRLPBF MOSFET N-CH 150V 21A D2PAK

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

D2PAK/TO263

Сообщить о поступлении

Акция

IRF3415SPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 150В 43A

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

D2Pak (TO-263)

Напряжение сток-исток макс.:

150В

Ток стока макс.:

43A

Сопротивление открытого канала:

42 мОм

Мощность макс.:

3.8Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

200нКл

Входная емкость:

2400пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Наличие:

0 шт

Внешние склады:

0 шт

Аналоги:

1 692 шт

Цена от:

от 103,34₽

Акция

IRF3706SPBF Полевой транзистор, N-канальный, 20 В, 77 А, 88 Вт

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

D2PAK/TO263

Сообщить о поступлении

IRF3709STRLPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 90A

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

D2Pak (TO-263)

Напряжение сток-исток макс.:

30В

Ток стока макс.:

90A

Сопротивление открытого канала:

9 мОм

Мощность макс.:

3.1Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

3В

Заряд затвора:

41нКл

Входная емкость:

2672пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

IRF3709ZSPBF Полевой транзистор, N-канальный, 30 В, 87 А

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

D2PAK/TO263

Сообщить о поступлении

IRF3709ZSTRRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 87A D2PAK

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

D2Pak (TO-263)

Напряжение сток-исток макс.:

30В

Ток стока макс.:

87A(Tc)

Сопротивление открытого канала:

6.3 мОм @ 21А, 10В

Мощность макс.:

79Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

2.25В @ 250 µA

Заряд затвора:

26нКл @ 4.5В

Входная емкость:

2130пФ @ 15В

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

Акция

IRF3710SPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 57А 200Вт, 0.025 Ом

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

D2Pak (TO-263)

Напряжение сток-исток макс.:

100В

Ток стока макс.:

57A

Сопротивление открытого канала:

23 мОм

Мощность макс.:

200Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

130нКл

Входная емкость:

3130пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Наличие:

0 шт

Внешние склады:

0 шт

Аналоги:

1 453 шт

Цена от:

от 64,25₽

IRF3710STRRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 57A D2PAK

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

D2Pak (TO-263)

Напряжение сток-исток макс.:

100В

Ток стока макс.:

57A(Tc)

Сопротивление открытого канала:

23 мОм @ 28А, 10В

Мощность макс.:

200Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Standard

Пороговое напряжение включения макс.:

4В @ 250 µA

Заряд затвора:

130нКл @ 10В

Входная емкость:

3130пФ @ 25В

Тип монтажа:

Surface Mount

Наличие:

0 шт

Внешние склады:

0 шт

Аналоги:

1 453 шт

Цена от:

от 49,61₽

Акция

IRF3710ZSPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 59A

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

D2Pak (TO-263)

Напряжение сток-исток макс.:

100В

Ток стока макс.:

59A

Сопротивление открытого канала:

18 мОм

Мощность макс.:

160Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

120нКл

Входная емкость:

2900пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Наличие:

0 шт

Внешние склады:

0 шт

Аналоги:

732 шт

Цена от:

от 104,62₽

IRF3711SPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 20В 110A D2PAK

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

D2Pak (TO-263)

Напряжение сток-исток макс.:

20В

Ток стока макс.:

110A

Сопротивление открытого канала:

6 мОм

Мощность макс.:

3.1Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

3В

Заряд затвора:

44нКл

Входная емкость:

2980пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

Акция

IRF3808SPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 75В 106А 200Вт, 0.007 Ом

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

D2Pak (TO-263)

Напряжение сток-исток макс.:

75В

Ток стока макс.:

106A

Сопротивление открытого канала:

7 мОм

Мощность макс.:

200Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

220нКл

Входная емкость:

5310пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Наличие:

0 шт

Внешние склады:

0 шт

Аналоги:

1 384 шт

Цена от:

от 95,96₽

IRF3808STRRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 75В/106А/200Вт/0.007 Ом

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

D2Pak (TO-263)

Напряжение сток-исток макс.:

75В

Ток стока макс.:

106А

Сопротивление открытого канала:

0.007Ом

Мощность макс.:

200Вт

Тип транзистора:

N-канальный

Тип монтажа:

Surface Mount

Наличие:

0 шт

Внешние склады:

0 шт

Аналоги:

1 384 шт

Цена от:

от 110,60₽

Акция

IRF4905SPBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 55В 42А 170Вт, 0.02 Ом

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

D2Pak (TO-263)

Напряжение сток-исток макс.:

55В

Ток стока макс.:

42A

Сопротивление открытого канала:

20 мОм

Мощность макс.:

170Вт

Тип транзистора:

P-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

180нКл

Входная емкость:

3500пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Наличие:

0 шт

Внешние склады:

0 шт

Аналоги:

8 075 шт

Цена от:

от 62,74₽

Акция

IRF4905STRRPBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 55В 42A

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

D2Pak (TO-263)

Напряжение сток-исток макс.:

55В

Ток стока макс.:

42A

Тип транзистора:

P-канал

Тип монтажа:

Surface Mount

Наличие:

0 шт

Внешние склады:

0 шт

Аналоги:

8 075 шт

Цена от:

от 62,74₽

IRF510SPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 5.6A

Производитель:

Vishay

Корпус:

D2Pak (TO-263)

Напряжение сток-исток макс.:

100В

Ток стока макс.:

5.6A

Сопротивление открытого канала:

540 мОм

Мощность макс.:

3.7Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

8.3нКл

Входная емкость:

180пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.69252 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"