Одиночные MOSFET транзисторы

710
Корпус: D2PAK/TO263
Фильтр
Производители
Корпус
Тип транзистора
Особенности
Напряжение сток-исток макс.
Ток стока макс.
Сопротивление открытого канала
Мощность макс.
Пороговое напряжение включения макс.
Заряд затвора
Входная емкость
Тип монтажа
Одиночные MOSFET транзисторы (710)
NTB25P06T4G NTB25P06T4G Транзистор полевой MOSFET P-канальный 60В 27.5A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
D2Pak (TO-263)
Напряжение сток-исток макс.:
60В
Ток стока макс.:
27.5A
Сопротивление открытого канала:
82 мОм
Мощность макс.:
120Вт
Тип транзистора:
P-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
50нКл
Входная емкость:
1680пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
NTB35N15T4G NTB35N15T4G Полевой транзистор, N-канальный, 150 В, 37 А
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
D2PAK/TO263
NTB45N06LT4G NTB45N06LT4G Полевой транзистор, N-канальный, 60 В, 45 А
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
D2PAK/TO263
NTB45N06T4G NTB45N06T4G Полевой транзистор, N-канальный, 60 В, 45 А
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
D2PAK/TO263
NTB5605PT4G NTB5605PT4G Полевой транзистор, P-канальный, 60 В, 18.5 А
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
D2PAK/TO263
NTB60N06T4G NTB60N06T4G Полевой транзистор, N-канальный, 60 В, 60 А
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
D2PAK/TO263
NTB6410ANT4G NTB6410ANT4G Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 76A D2PAK
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
D2Pak (TO-263)
Напряжение сток-исток макс.:
100В
Ток стока макс.:
76А
Тип транзистора:
N-канальный
Тип монтажа:
Surface Mount
NVB072N65S3 NVB072N65S3 MOSFET Transistor Single N-Channel Power MOSFET Transistor SUPERFET III, Easy Drive, 650 V , 44 A, 72 mO, D2PAK
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
D2PAK-3
OSG80R380K OSG80R380K Транзистор полевой MOSFET N-канальный 800В 33A TO263
Производитель:
Oriental Semiconductor
Корпус:
TO-263
PHB27NQ10T,118 PHB27NQ10T,118 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 28A
Производитель:
NEXPERIA
Корпус:
D2Pak (TO-263)
PHB47NQ10T,118 PHB47NQ10T,118 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 47A
Производитель:
NEXPERIA
Корпус:
D2Pak (TO-263)
Напряжение сток-исток макс.:
100В
Ток стока макс.:
47A
Сопротивление открытого канала:
28 мОм
Мощность макс.:
166Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
66нКл
Входная емкость:
3100пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
PSMN004-60B,118 PSMN004-60B,118 Полевой транзистор, N-канальный, 60 В, 75 А
Производитель:
NEXPERIA
Корпус:
D2PAK/TO263
PSMN009-100B,118 PSMN009-100B,118 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 75A
Производитель:
NEXPERIA
Корпус:
D2Pak (TO-263)
Напряжение сток-исток макс.:
100В
Ток стока макс.:
75A
Сопротивление открытого канала:
8.8 мОм
Мощность макс.:
230Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
156нКл
Входная емкость:
8250пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
PSMN015-100B,118 PSMN015-100B,118 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 75A
Производитель:
NEXPERIA
Корпус:
D2Pak (TO-263)
Напряжение сток-исток макс.:
100В
Ток стока макс.:
75A
Сопротивление открытого канала:
15 мОм
Мощность макс.:
300Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
90нКл
Входная емкость:
4900пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
PSMN016-100BS,118 PSMN016-100BS,118 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 57A D2PAK
Производитель:
NEXPERIA
Корпус:
D2Pak (TO-263)
Напряжение сток-исток макс.:
100В
Ток стока макс.:
57A(Tj)
Сопротивление открытого канала:
16 мОм @ 15А, 10В
Мощность макс.:
148Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Standard
Пороговое напряжение включения макс.:
4В @ 1mA
Заряд затвора:
49нКл @ 10В
Входная емкость:
2404пФ @ 50В
Тип монтажа:
Surface Mount
PSMN030-150B,118 PSMN030-150B,118 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 150В 55.5A
Производитель:
NEXPERIA
Корпус:
D2Pak (TO-263)
Напряжение сток-исток макс.:
150В
Ток стока макс.:
55.5A
Сопротивление открытого канала:
30 мОм
Мощность макс.:
250Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
98нКл
Входная емкость:
3680пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
PSMN1R7-60BS,118 PSMN1R7-60BS,118 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK лента на катушке
Производитель:
NEXPERIA
Корпус:
D2Pak (TO-263)
Напряжение сток-исток макс.:
60В
Ток стока макс.:
120A
Сопротивление открытого канала:
2 мОм
Мощность макс.:
306Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
137нКл
Входная емкость:
9997пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
PSMN4R8-100BSEJ PSMN4R8-100BSEJ Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 120A 405Вт
Производитель:
NEXPERIA
Корпус:
D2Pak (TO-263)
PSMN5R6-100BS,118 PSMN5R6-100BS,118 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 100A 3-Pin(2+Tab) D2PAK лента на катушке
Производитель:
NEXPERIA
Корпус:
D2Pak (TO-263)
Напряжение сток-исток макс.:
100В
Ток стока макс.:
100A
Сопротивление открытого канала:
5.6 мОм
Мощность макс.:
306Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
141нКл
Входная емкость:
8061пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
PSMN7R6-60BS,118 PSMN7R6-60BS,118 Полевой транзистор, N-канальный, 60 В, 92 А
Производитель:
NEXPERIA
Корпус:
D2PAK/TO263
На странице:

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.69252 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"