Одиночные MOSFET транзисторы

710
Корпус: D2PAK/TO263
Фильтр
Производители
Корпус
Тип транзистора
Особенности
Напряжение сток-исток макс.
Ток стока макс.
Сопротивление открытого канала
Мощность макс.
Пороговое напряжение включения макс.
Заряд затвора
Входная емкость
Тип монтажа
Одиночные MOSFET транзисторы (710)
Акция
STB6N80K5 STB6N80K5 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 800В 4.5A
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
D2Pak (TO-263)
Напряжение сток-исток макс.:
800В
Ток стока макс.:
4.5A
Сопротивление открытого канала:
1.6 Ом
Мощность макс.:
110Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
7.5нКл
Входная емкость:
255пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
85 шт

Внешние склады:
115 шт
Цена от:
от 58,84
Акция
WMM043N10HGD WMM043N10HGD Транзистор полевой MOSFET N-канальный напряжение сток-исток 100В, ток стока 160А
Производитель:
Wayon
Корпус:
D2Pak (TO-263)
Напряжение сток-исток макс.:
100В
Ток стока макс.:
160А
Тип транзистора:
N-канальный
Наличие:
81 шт

Внешние склады:
203 шт
Цена от:
от 58,35
Акция
IRFS3306TRLPBF IRFS3306TRLPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 160A 3-Pin(2+Tab) D2PAK лента на катушке
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
D2Pak (TO-263)
Напряжение сток-исток макс.:
60В
Ток стока макс.:
120A
Сопротивление открытого канала:
4.2 мОм
Мощность макс.:
230Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
120нКл
Входная емкость:
4520пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
80 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 174,06
Акция
FDB33N25TM FDB33N25TM Транзистор полевой MOSFET N-канальный 250В 33А 235Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
D2Pak (TO-263)
Напряжение сток-исток макс.:
250В
Ток стока макс.:
33A
Сопротивление открытого канала:
94 мОм
Мощность макс.:
235Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
48нКл
Входная емкость:
2135пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
78 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 110,57
Акция
IRFS3006TRLPBF IRFS3006TRLPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 195A
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
D2Pak (TO-263)
Напряжение сток-исток макс.:
60В
Ток стока макс.:
195A(Tc)
Сопротивление открытого канала:
2.5 мОм @ 170А, 10В
Мощность макс.:
375Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
4В @ 250 µA
Заряд затвора:
300нКл @ 10В
Входная емкость:
8970пФ @ 50В
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
71 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 281,49
Акция
STB6NK90ZT4 STB6NK90ZT4 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 900В 140Вт
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
D2Pak (TO-263)
Напряжение сток-исток макс.:
900В
Ток стока макс.:
5.8A
Сопротивление открытого канала:
2 Ом
Мощность макс.:
140Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
4.5В
Заряд затвора:
60.5нКл
Входная емкость:
1350пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
67 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 74,26
Акция
IRFS3004TRLPBF IRFS3004TRLPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 40В 195А 380Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
D2Pak (TO-263)
Напряжение сток-исток макс.:
40В
Ток стока макс.:
195А
Мощность макс.:
380Вт
Тип транзистора:
N-канальный
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
65 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 219,80
Акция
IRF4104SPBF IRF4104SPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 40В 75A
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
D2Pak (TO-263)
Напряжение сток-исток макс.:
40В
Ток стока макс.:
75A
Сопротивление открытого канала:
5.5 мОм
Мощность макс.:
140Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
100нКл
Входная емкость:
3000пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
61 шт

Внешние склады:
70 шт
Аналоги:
88 шт
Цена от:
от 107,76
IRF2804STRLPBF IRF2804STRLPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 40В 75A
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
D2Pak (TO-263)
Напряжение сток-исток макс.:
40В
Ток стока макс.:
75A
Сопротивление открытого канала:
2 мОм
Мощность макс.:
300Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
240нКл
Входная емкость:
6450пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
60 шт

Внешние склады:
40 шт
Цена от:
от 118,60
IPB407N30NATMA1 IPB407N30NATMA1 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 300В 44A
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
D2PAK/TO263
Напряжение сток-исток макс.:
300В
Ток стока макс.:
44А
Тип транзистора:
N-канальный
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
58 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 871,30
Акция
AUIRF1404ZSTRL AUIRF1404ZSTRL Транзистор полевой MOSFET N-канальный 40В 160A
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
D2Pak (TO-263)
Напряжение сток-исток макс.:
40В
Ток стока макс.:
160А
Тип транзистора:
N-канальный
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
54 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 351,69
FQB12P20TM FQB12P20TM Транзистор полевой MOSFET P-канальный 200В 11.5A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-263-3
Напряжение сток-исток макс.:
200В
Ток стока макс.:
11.5A
Сопротивление открытого канала:
470 мОм
Мощность макс.:
3.13Вт
Тип транзистора:
P-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
40нКл
Входная емкость:
1200пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
52 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 434,36
IRF540STRLPBF IRF540STRLPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 28A
Производитель:
Vishay
Корпус:
D2Pak (TO-263)
Напряжение сток-исток макс.:
100В
Ток стока макс.:
28A
Сопротивление открытого канала:
77 мОм
Мощность макс.:
3.7Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
72нКл
Входная емкость:
1700пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
50 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 132,97
Акция
IRF2907ZSTRLPBF IRF2907ZSTRLPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 75В 160A
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
D2Pak (TO-263)
Напряжение сток-исток макс.:
75В
Ток стока макс.:
160A
Сопротивление открытого канала:
4.5 мОм
Мощность макс.:
300Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
270нКл
Входная емкость:
7500пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
43 шт

Внешние склады:
100 шт
Цена от:
от 385,66
IRFBF20SPBF IRFBF20SPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 900В 1.7A
Производитель:
Vishay
Корпус:
D2Pak (TO-263)
Напряжение сток-исток макс.:
900В
Ток стока макс.:
1.7A
Сопротивление открытого канала:
8 Ом
Мощность макс.:
3.1Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
38нКл
Входная емкость:
490пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
41 шт

Внешние склады:
0 шт
Аналоги:
200 шт
Цена от:
от 148,33
IRF640STRRPBF IRF640STRRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 18A
Производитель:
Vishay
Корпус:
D2Pak (TO-263)
Напряжение сток-исток макс.:
200В
Ток стока макс.:
18A
Сопротивление открытого канала:
180 мОм
Мощность макс.:
130Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
70нКл
Входная емкость:
1300пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
40 шт

Внешние склады:
0 шт
Аналоги:
3 217 шт
Цена от:
от 98,16
Акция
IPB107N20N3GATMA1 IPB107N20N3GATMA1 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 88A TO263
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
PG-TO263-3
Напряжение сток-исток макс.:
200В
Ток стока макс.:
88A
Тип транзистора:
N-канал
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
39 шт

Внешние склады:
604 шт
Цена от:
от 251,26
IPB117N20NFDATMA1 IPB117N20NFDATMA1 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 84А
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
D2PAK/TO263
Напряжение сток-исток макс.:
200В
Ток стока макс.:
84А
Тип транзистора:
N-канальный
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
36 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 175,04
Акция
AUIRF6218STRL AUIRF6218STRL Транзистор полевой MOSFET P-канальный 150В 27А 250Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
D2PAK/TO263
Наличие:
30 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 285,01
Акция
FDB8453LZ FDB8453LZ Транзистор полевой MOSFET N-канальный 40В 50А 7 мОм
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
D2Pak (TO-263)
Напряжение сток-исток макс.:
40В
Ток стока макс.:
16.1A
Сопротивление открытого канала:
7 мОм
Мощность макс.:
3.1Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
66нКл
Входная емкость:
3545пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
25 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 29,29
На странице:

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.69252 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"