Одиночные MOSFET транзисторы

873
Корпус: TO220F
Фильтр
Производители
Корпус
Тип транзистора
Особенности
Напряжение сток-исток макс.
Ток стока макс.
Сопротивление открытого канала
Мощность макс.
Пороговое напряжение включения макс.
Заряд затвора
Входная емкость
Тип монтажа
Одиночные MOSFET транзисторы (873)
FDP8880 FDP8880 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 54A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-220AB
Напряжение сток-исток макс.:
30В
Ток стока макс.:
11A
Сопротивление открытого канала:
11.6 мОм
Мощность макс.:
55Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
2.5В
Заряд затвора:
29нКл
Входная емкость:
1240пФ
Тип монтажа:
Through Hole
FDP8896 FDP8896 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 92A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-220AB
Напряжение сток-исток макс.:
30В
Ток стока макс.:
16A
Сопротивление открытого канала:
5.9 мОм
Мощность макс.:
80Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
2.5В
Заряд затвора:
67нКл
Входная емкость:
2525пФ
Тип монтажа:
Through Hole
FDPF10N50FT FDPF10N50FT Транзистор полевой MOSFET N-канальный 500В 9A TO-220F
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-220F
Напряжение сток-исток макс.:
500В
Ток стока макс.:
Тип транзистора:
N-канальный
Тип монтажа:
Through Hole
FDPF12N50FT FDPF12N50FT Транзистор полевой MOSFET N-канальный 500В 11.5A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-220F
Напряжение сток-исток макс.:
500В
Ток стока макс.:
11.5A
Сопротивление открытого канала:
700 мОм
Мощность макс.:
42Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
30нКл
Входная емкость:
1395пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Акция
FDPF12N50UT FDPF12N50UT Транзистор полевой MOSFET N-канальный 500В 10А 42Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-220F
Напряжение сток-исток макс.:
500В
Ток стока макс.:
10A
Сопротивление открытого канала:
800 мОм
Мощность макс.:
42Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
30нКл
Входная емкость:
1395пФ
Тип монтажа:
Through Hole
FDPF13N50FT FDPF13N50FT Транзистор полевой MOSFET N-канальный 500В 12A TO-220F
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-220F
Напряжение сток-исток макс.:
500В
Ток стока макс.:
12А
Тип транзистора:
N-канальный
Тип монтажа:
Through Hole
FDPF15N65 FDPF15N65 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 650В 15A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-220F
Напряжение сток-исток макс.:
650В
Ток стока макс.:
15A
Сопротивление открытого канала:
440 мОм
Мощность макс.:
38.5Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
63нКл
Входная емкость:
3095пФ
Тип монтажа:
Through Hole
FDPF16N50 FDPF16N50 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 500В 16A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-220F
Напряжение сток-исток макс.:
500В
Ток стока макс.:
16A
Сопротивление открытого канала:
380 мОм
Мощность макс.:
38.5Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
45нКл
Входная емкость:
1945пФ
Тип монтажа:
Through Hole
FDPF18N50T FDPF18N50T Транзистор полевой MOSFET N-канальный 500В 18A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-220F
Напряжение сток-исток макс.:
500В
Ток стока макс.:
18A
Сопротивление открытого канала:
265 мОм
Мощность макс.:
38.5Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
60нКл
Входная емкость:
2860пФ
Тип монтажа:
Through Hole
FDPF20N50FT FDPF20N50FT Транзистор полевой MOSFET N-канальный 500В 20A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-220F
Напряжение сток-исток макс.:
500В
Ток стока макс.:
20A
Сопротивление открытого канала:
260 мОм
Мощность макс.:
38.5Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
65нКл
Входная емкость:
3390пФ
Тип монтажа:
Through Hole
FDPF390N15A FDPF390N15A Транзистор полевой MOSFET N-канальный 150В 15A TO-220F
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-220F
Напряжение сток-исток макс.:
150В
Ток стока макс.:
15А
Тип транзистора:
N-канальный
Тип монтажа:
Through Hole
FDPF3N50NZ FDPF3N50NZ Транзистор полевой MOSFET N-канальный 500В 3A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-220F
Напряжение сток-исток макс.:
500В
Ток стока макс.:
3A
Сопротивление открытого канала:
2.5 Ом
Мощность макс.:
27Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
9нКл
Входная емкость:
280пФ
Тип монтажа:
Through Hole
FDPF44N25T FDPF44N25T Транзистор полевой MOSFET N-канальный 250В 44A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-220F
Напряжение сток-исток макс.:
250В
Ток стока макс.:
44A
Сопротивление открытого канала:
69 мОм
Мощность макс.:
38Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
61нКл
Входная емкость:
2870пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Акция
FDPF51N25 FDPF51N25 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 250В 28А 33Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-220F
Напряжение сток-исток макс.:
250В
Ток стока макс.:
28А
Мощность макс.:
33Вт
Тип транзистора:
N-канальный
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
0 шт
Аналоги:
174 шт
Цена от:
от 205,46
FDPF55N06 FDPF55N06 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 55A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-220F
Напряжение сток-исток макс.:
60В
Ток стока макс.:
55A
Сопротивление открытого канала:
22 мОм
Мощность макс.:
48Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
37нКл
Входная емкость:
1510пФ
Тип монтажа:
Through Hole
FDPF5N50NZ FDPF5N50NZ Транзистор полевой MOSFET N-канальный 500В 4.5A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-220F
Напряжение сток-исток макс.:
500В
Ток стока макс.:
4.5A
Сопротивление открытого канала:
1.5 Ом
Мощность макс.:
30Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
12нКл
Входная емкость:
440пФ
Тип монтажа:
Through Hole
FDPF5N50T FDPF5N50T Транзистор полевой MOSFET N-канальный 500В 5A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-220F
Напряжение сток-исток макс.:
500В
Ток стока макс.:
5A
Сопротивление открытого канала:
1.4 Ом
Мощность макс.:
28Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
15нКл
Входная емкость:
640пФ
Тип монтажа:
Through Hole
FDPF5N60NZ FDPF5N60NZ Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 4.5A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-220F
Напряжение сток-исток макс.:
600В
Ток стока макс.:
4.5A
Сопротивление открытого канала:
2 Ом
Мощность макс.:
33Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
13нКл
Входная емкость:
600пФ
Тип монтажа:
Through Hole
FDPF7N60NZ FDPF7N60NZ Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 6.5A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-220F
Напряжение сток-исток макс.:
600В
Ток стока макс.:
6.5A
Сопротивление открытого канала:
1.25 Ом
Мощность макс.:
33Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
17нКл
Входная емкость:
730пФ
Тип монтажа:
Through Hole
FDPF7N60NZT FDPF7N60NZT Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 6.5A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-220F
Напряжение сток-исток макс.:
600В
Ток стока макс.:
6.5А
Тип транзистора:
N-канальный
Тип монтажа:
Through Hole
На странице:

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.69252 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"