Одиночные MOSFET транзисторы

873
Корпус: TO220F
Фильтр
Производители
Корпус
Тип транзистора
Особенности
Напряжение сток-исток макс.
Ток стока макс.
Сопротивление открытого канала
Мощность макс.
Пороговое напряжение включения макс.
Заряд затвора
Входная емкость
Тип монтажа
Одиночные MOSFET транзисторы (873)
IPA65R190C7XKSA1 IPA65R190C7XKSA1 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 650В 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP туба
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-220FP
Напряжение сток-исток макс.:
650В
Ток стока макс.:
8A
Тип транзистора:
N-канал
Тип монтажа:
Through Hole
IPA65R225C7XKSA1 IPA65R225C7XKSA1 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 650В 7A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP туба
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-220FP
Напряжение сток-исток макс.:
650В
Ток стока макс.:
7A
Тип транзистора:
N-канал
Тип монтажа:
Through Hole
IPA65R600C6XKSA1 IPA65R600C6XKSA1 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 650В 7.3A
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
PG-TO220 Full Pack
Напряжение сток-исток макс.:
650В
Ток стока макс.:
7.3A
Сопротивление открытого канала:
600 мОм
Мощность макс.:
28Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
3.5В
Заряд затвора:
23нКл
Входная емкость:
440пФ
Тип монтажа:
Through Hole
IPA70R750P7SXKSA1 IPA70R750P7SXKSA1 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 700В 6.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP туба
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-220F
Напряжение сток-исток макс.:
700В
Ток стока макс.:
6.5А
Тип транзистора:
N-канальный
Тип монтажа:
Through Hole
IPA95R450P7XKSA1 IPA95R450P7XKSA1 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 14A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP туба
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-220FP
Напряжение сток-исток макс.:
600В
Ток стока макс.:
14А
Тип транзистора:
N-канальный
Тип монтажа:
Through Hole
IPAW60R600CEXKSA1 IPAW60R600CEXKSA1 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 10.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP туба
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-220F
Напряжение сток-исток макс.:
600В
Ток стока макс.:
10.3А
Тип транзистора:
N-канальный
Тип монтажа:
Through Hole
IPP80N08S2L07AKSA1 IPP80N08S2L07AKSA1 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 75В 80A автомобильного применения 3-Pin(3+Tab) TO-220AB туба
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-220AB
Напряжение сток-исток макс.:
75В
Ток стока макс.:
80A
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Automotive
Тип монтажа:
Through Hole
Акция
IRF1404 IRF1404 Транзистор полевой MOSFET силовой N-канальный 40В 202A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB туба
Производитель:
UMW Youtai Semiconductor
Корпус:
TO-220AB
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
0 шт
Аналоги:
15 350 шт
Цена от:
от 29,10
Акция
IRF1405 IRF1405 Транзистор полевой MOSFET N-канальный Si 55В 169A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB туба
Производитель:
UMW Youtai Semiconductor
Корпус:
TO-220AB
IRF1503PBF IRF1503PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 75A
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-220AB
Напряжение сток-исток макс.:
30В
Ток стока макс.:
75A
Сопротивление открытого канала:
3.3 мОм
Мощность макс.:
330Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
200нКл
Входная емкость:
5730пФ
Тип монтажа:
Through Hole
IRF3315PBF IRF3315PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 150В 23A
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-220AB
Напряжение сток-исток макс.:
150В
Ток стока макс.:
23A
Сопротивление открытого канала:
70 мОм
Мощность макс.:
94Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
95нКл
Входная емкость:
1300пФ
Тип монтажа:
Through Hole
IRF3703PBF IRF3703PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 210А 230Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-220AB
Напряжение сток-исток макс.:
30В
Ток стока макс.:
210A
Сопротивление открытого канала:
2.8 мОм
Мощность макс.:
3.8Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
209нКл
Входная емкость:
8250пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Акция
IRF3708PBF IRF3708PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 62A
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-220AB
Напряжение сток-исток макс.:
30В
Ток стока макс.:
62A
Сопротивление открытого канала:
12 мОм
Мощность макс.:
87Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
24нКл
Входная емкость:
2417пФ
Тип монтажа:
Through Hole
IRF3709PBF IRF3709PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 90A
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-220AB
Напряжение сток-исток макс.:
30В
Ток стока макс.:
90A
Сопротивление открытого канала:
9 мОм
Мощность макс.:
3.1Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
41нКл
Входная емкость:
2672пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Акция
IRF3805PBF IRF3805PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 55В 75A
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-220AB
Напряжение сток-исток макс.:
55В
Ток стока макс.:
75A
Сопротивление открытого канала:
3.3 мОм
Мощность макс.:
300Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
290нКл
Входная емкость:
7960пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Акция
IRF4104PBF IRF4104PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 40В 75А 140Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-220AB
Напряжение сток-исток макс.:
40В
Ток стока макс.:
75A
Сопротивление открытого канала:
5.5 мОм
Мощность макс.:
140Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
100нКл
Входная емкость:
3000пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Акция
IRF4905 IRF4905 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 55В 74A TO-220AB
Производитель:
UMW Youtai Semiconductor
Корпус:
TO-220AB
Акция
IRF5210 IRF5210 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 100В 40A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB туба
Производитель:
UMW Youtai Semiconductor
Корпус:
TO-220AB
Акция
IRF540N IRF540N Транзистор полевой N-канальный 100В 33A
Производитель:
UMW Youtai Semiconductor
Корпус:
TO-220AB
IRF634PBF IRF634PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 250В 8.1А 74Вт
Производитель:
Vishay
Корпус:
TO-220AB
Напряжение сток-исток макс.:
250В
Ток стока макс.:
8.1A
Сопротивление открытого канала:
450 мОм
Мощность макс.:
74Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
41нКл
Входная емкость:
770пФ
Тип монтажа:
Through Hole
На странице:

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.69252 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"